Способ плазменного покрытия электропроводных материалов
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51) 5 Н 05 Н 1/00
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИФИ4 И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ;
К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 07,07.93. Бюл, ?в 25 (21) 4091638/25 (22) 26.05.86 (71) Томский инженерно-строительный институт (72) В.К.Чибиркдв, Г.Г.Волокитин, В.И.11?ишковский, P.О.Дедюхин и В.Ç.Старченко (56) Герасимов А,И. Плазменная технология. Опыт разработки и внедрения, Л., Лениздат, 1980, с.72-78.
Донской А.В., Клубникин P.Ñ.
Электроплаэменные процессы и установки в машиностроении, Л., Машиностроение, 1979, с.80-81 ° (54) СПОСОБ ПЛЛЗМЕН?ЮГО ПОКР? ?ТИЯ
ЭЛЕКТРОПРОВОДН?)?Х МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к области плазменной технологии, а более конкретно, к способам нанесения покрытий на электронроноднь)е материаль).
Вель изобретения — обеспечение выИзобретение относится к плазменной технологии, а конкретно к способам нанесения покрытий на электропроводные материалы с целью получения прочных и жаропрочных материалов, Целью изобретения является обеспечение высокой прочности сцепления частиц материала покрытия с основой электропронодного материала, увеличение коэффициент» использования материала покрытия.
Изобретение заключается в том, что на поверхности иэделия создают
)кидкую ванну с температурой на 100о
300 выше температуры плавления
„„SU„„1493078 А1 сокой прочности сцепления чястиц материала покрытия с основой электропроводного материала, а также увеличение коэффициента исцоль копания материала покрытия. Новый способ покрытия злектропронодньтх материалов заключается н том, что п<)верхность изделия расплавляют сканирующей плазменной дугой, до тел<пературы Hà 100<)
300, превышающей температуру плавления, а затем внедряют в зону расплава частицы покрытия, ускоряя их в струе плаэмотрона к )сненного действия. Частота сканиронания дуги по поверхности иэделия выбирается из условия Г 1/2й „„, 6 ехп время охлаждения материала до температуры плавления (крисаллизации ). Для большинства металлов величина частоты сканирования дуги по поверхности лежит н диапазоне 10-20 Гц, 1 з.п. ф-лы. материала изделия иу"ем скациронания по поверхности плазменной дуги с част<)той )0-200 Гц, а частицы покрытия внедряют в з<)ну расплава плазмотроиом косвепного действия °
Сканиронание плазменнof(дуги по поверхности электропронодно)о изделия вызывает ее расипавл<)иие и поддержание необходимой температуры расплава.
Обеспечинзя )<<и?)оку)) зону расплава понерхи<)сти, а т ) I. æ< необходимыи запас кинетическ<)й: )и 1)гии ч Icтицам напь<))немого мат риала за счет сил вязкости и Ill )493078 Составитель А.Рудиков Корректор А.Коэориэ Заказ 2832 тирах Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.умгород, ул. Гагарина, 101 действия, увелнчивают коэффициент использования иапыпяеиого порошка, представляющимi отношение веса покрытия к весу введенного в плазмотрон порошка. Сканирование плазменной дуги с частотой нивнего предела f )0 Гц 1 связано с максимальным значением величины времени охлаждения fo„„ расплава до температуры плавления (кристаллиэацни), при этой должно ) быть выполнено" условие и „„Ф «2f. Верхний предел частоты сканирования f 200 Гц с минимальным значением Ъ И величины времени t »„s обусловлен необходимостью изменения свойств расплава: температуры, поверхностного натяхения, вязкости. Ф о р и у л а н з о б р е т е н и я ) ° Способ плазменного покрытия электропроводных материалов, включаюРедактор С,Титова Техред Л.Сердюкова ший расплавление поверхности иэделия плазменной дугой и нанесение Нв расплавленную поверхность частиц покрытия с энергией )Π— )О Да, о тл и ч а ю шийся там, что, с Целью обеспечения высокой прочности сцепления материала покрытия с основой изделия и увеличения коэффициента использования материала покрытия, расплавление поверхности проводят до о температуры на )00-300 С выше температуры плавления материала изделия путем сканирования плазменной дуги с частотой )0-200 Гц по поверхности, а частицы покрытия наносят на зону расплава. 2. Способ по п.), о т л и ч а ю— шийся тем, ч )о частицы покрытия наносят иа расплавленную поверхность прн помощи плаэмотрона косвенного действия.
