Способ определения коэффициента термо эдс нитевидных кристаллов
Изобретение относится к области измерительной техники ,в частности, к определению термоЭДС нитевидных кристаллов. Цель изобретения - повышение точности и расширение области применения. На нитевидном кристалле создают четыре токовывода по два с каждого конца, регистрируют температурные зависимости сопротивлений концов и сопротивлений средних контактов R<SB POS="POST">K1</SB> и R<SB POS="POST">K2</SB>. Путем пропускания постоянных токов I<SB POS="POST">1</SB> и I<SB POS="POST">2</SB> нагревают концы кристалла и регистрируют разность потенциалов U<SB POS="POST">3</SB> между средними контактами. Рассчитывают термоЭДС по формуле ΔЕ = U<SB POS="POST">3</SB>-(I<SB POS="POST">2</SB>R<SB POS="POST">K2</SB>-I<SB POS="POST">1</SB>R<SB POS="POST">K1</SB>). Определяя температуры концов кристалла через температурные зависимости сопротивлений концов, находят коэффициент термоЭДС. 2 ил.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (g1) 4 G 01 N 25/18
ВСЕСОЮЗНАЯ
ИАт1 Th 1 i ЧЕСЩ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К д BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ средние 2 и 3. Проводят предваритель- { ную градуировку, регистрируя температурные зависимости R„(T), к (Т), R„,(T) и Кк (Т) путем термостатирования (см. фиг. 2) ° Пропускают чеP ез контакты 1-2 и 3-4 постоянные токи I л и I, фиКсируют напряжения и U и определяют величины сол противлений В. =Цл/Т, К =П /Т, С помощью графика на фиг, 2 определя- В ют температуры концов, кристалла. Рассчитывают падения напряжения на контактах 2 и 3 U„» è Ui,, Измеряют разность потенциалов U> между точками
2 и 3.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4337713/31-25 (22) 04,12,87 (46) 30.07.89, Бюл. 11 28 (71) Львовский политехнический институт им. Ленинского комсомола (72) С,С,Варшава, И.В.Курило, Т.Н.Перепичка и Э.Б.Пилат (53) 537.32(088,8) (56) Локоть Г.П, и др. Устройство для определения коэффициента термоЭДС нитевидных полупроводниковых кристаллов. — Вестник Львовского политехнического института, 1975, М 94, с. 101 †1.
Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства, Справочник. Киев, Наукова думка, 1979, с. 228. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА
ТЕРМОЭДС НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к определению термоЭДС нитевидных кристаллов.
Целью изобретения является повьппе ние точности измерений и расширение области применения.
На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема устройства для осуществления способа; на фиг, 2 — график характерных зависимостей сопротивления.
Способ осуществляют следующим образом.
На нитевидном кристалле создают четыре контакта: крайние 1 и 4 и .
ÄÄSUÄÄ ) 497541 А1 (57) Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к определению термоЭДС нитевидных кристаллов. Цель изобретения повышение точности и расширение области применения, На нитевидном кристалле создают четыре токовывода по два с каждого конца, регистрируют температурные зависимости сопротивлений концов и сопротивлений средних контактов R и R „, Путем пропусК! кания постоянных токов Тл и I нагревают концы кристалла и регистрируют разность потенциалов U между средними контактами. Рассчитывают термоЭДС по формуле А e=U>-(I R<<-I Определяя температуры концов кристалла через температурные зависимости сопротивлений концов, находят коэффициент термоЭДС. 2 ил. 1497541 U - -U -е +U +е k1 (К 23 где е, е — термоЭДС, возникающие в точках 2 и 3, Отсюда термоЭДС между концами кристалла е к Тг кг Т1 к1 " Зная температуры концов кристалла, определенные через R < и Rg получают коэффициент термоЭДС. ol =ае/ЬТ. ае=Б -(I R -I R ) 1 г кг 1 К> и значение коэффициента термоЭДС кристалла, 42 иг. Со с та в итель С „Харламов Редактор Ю.Середа Техред Л.Олийнык Корректор Л.Патай Заказ 4437/45 Тираж 789 Подписное В11ИИПИ Гасударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðîä, ул. Гагарина, 101 Формулаизобре.тени Способ определения коэффициента 15 термоЭДС нитевидных кристаллов, заключающийся в нагреве концов кристал. ла до различных температур и измерений электродвижущей силы между ними, отличающийся тем, что„ 20 с целю повышения точности измерений и расширения области применения способа, на концах кристалла создают по два токовывода, регистрируют температурные зависимости сопротивлений этих концов и сопротивлений средних контактов R, и R при этом нагрев кгпв концов кристалла осуществляют путем пропускания через них постоянных токов I и I и определяют по сопротивлениям концов кристалла их температуры и фиксируют разность потенциалов U3 между средними контактами, определяют значение термоЭДС по формуле
