Мишень деформографической проекционной электронно-лучевой трубки
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано ,в частности, в системах отображения информации на большой экран, в системах оптической обработки информации. Мишень содержит диэлектрическую подложку 1, на одной из сторон которой расположен электрод 2 в виде сетки, на который подается ускоряющий относительно катода электронно-лучевой трубки потенциал. Поверх электрода 2 расположен слой 3 деформируемого материала, на поверхность которого нанесен слой 4 с металлической проводимостью. Запись производится электронным лучом 5. В качестве деформируемого материала используют гелеобразное упругое вещество на основе слабо структурированного полиорганосилоксанового каучука. Мишень работает на отражение и на просвет и имеет повышенные чувствительность и быстродействие. 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (б11 4 !I 01 Г 29/10 ИМ.Э М
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4292519/24-21 (22) 30.07.87 (4б) 30.07.89. Бюп. Р 28 (71) Инстиэ ут кибернетики им. В. !. Г пушко ва (72) Н, Б. Кулешов и М. V.Новоселец (53) 621. 385. 832 (088.8) (5б) Патент С!1!А 1! Зб76588, кл, 315-22, опубпик, 1976.
Авторское свидетельство СССР
11 550703, кл. 11 04 N 5/82, 1975.
Акцептованная заявка . lпонии
% 50-5528, кл, (04 N, опублик. 1975. (54) МИШЕНЬ ДЕФОРМОГРАФИЧЕСКО!1 1180ЕКЩ1ОННОЙ 31!ЕКТРОННО- 1УЧЕВОИ ТВУЕЗКИ (57) Изобретение относится к опто— электронике и но>нет быть испопьэо нано, в частное п, в системах отоб„„SU„„1497653 А 1
2 ряжения информ;пи и на большой экран, в системах оптин=ской обрабо ки инфо р.1ации, 1ишеи ь соде рзит диане ктрическук подложку 1, на одной из сторон которой распопояен электрод 2 в виде сетки, на который подается ускорякший относительно катода электpoHHo — лучевой трубки потенциал, Поверх электрода 2 располозкен слой 3 дефо1змируемого материала, на поверхность которого нанесен слой 4 с металлической проводимостью. Запись производится электронным лучом 5. В качестве деформируемого материала используют гелеобразное упругое вещество на основе слабо структурированного попиорганосилоксанового каучука, Мишень работает на отразкение и на просвет и имеет повышенные чувствительность и быстродействие. !ил.! 4976") 3
И >обрете»ll< OT»ocllTc>1 !«>»то эпек—
Т P()»ti«(! Л»>IL> ii»O К Э 1С МС. НТ 3!! УСТ рО!3 ст13 з
3fH<1)()(7tl1lt3»I цл бопьшой экрлц, н систем;!х оптической обработки пи<1>ормл-! ц»! и друг!!х обплстлх it;Iyi(tl и Тех10 на и!ш!ець.
Г1»н>(цl coä(.i)жllò ди )пект,цl !с cк )!0
IloJlJi<."ккУ 1 > и <1 одной II 3 c7 ОРР» кото рой рлсп<)пс же» 7)1(«грод 2 н н!)де сетк)1, цл котор>>й подас тс!! у ..<71)л!0- 20 г<л!й o l it<.et!I е <ьit 7 1;лто,<;! >и< ктро»нов лучевой трубки (, ). !Т) потеiliiil 1J!»оверх эпсктр<)дл 2 рлспо с метлппиче ской проводимостью. Запись прои > водит сл электронным пучол1 5 со стороны под»ожкll 1, .)пектростлтическое изображение заI»1ñiU!3ле ТсН Hë снободной поверхности диэпектрическо!! цодпожки 1 с помо(3!ью модулированного эпектрош3огo луча 5, который ускоряется под действием высокого цаг!ряжения, припожецного между катодом Эз!Т и реше гчлтым ипи сет- 35 члтым электродом 2. Нанесенный заряд и сетчатый и)п! репетчлтый электрод 2 создают распределение электрического поля, с!!поные Jill»till котopol проник<нот сквозь лчей«и электрода ? и, 10 вэлимодействул со связанными заряда— ми дефор!3ируе мого слоя 3 и свободными з лр ядами ело я 4, деформируют слой
3 вместе с тонкой пленкой — слоем 4.
Воспроизведение изображения, з аписа!иного в ниде поверхностного репьефл, осуществляется с помощью опт!>ческой пр<эекцион»3ой шпирец-системы, которая преобразует фазоную модуплц!»о светового потока, которая
IlpoII çI3oätI ãñÿ ми!1!е!3ь!0, в моду)!яц!ио по
ltHTcfIcIiBHocтll Стирал!!е з 11!11cлцц(7й нл м>»не»и !if 1<1> эрмлции о суще ст)3)<лется электронным . !учом, энергия элеKTðoНОВ КО1 OP<71 ТЛ1<О13Л > ЧТО HG ДИ >ПРКТ рической >11<<»)<«е 1 ослжд<иотся заряJJbl > цс »1 р<с>и.>1!ру!ог3»е заряды -эпектрос т л г 1 ч е < 1; < > I . 1> 3 < ) б р < > ))< е I I I I Ft °
S0 ц!!к!!.
Цепью 113OGpL те»»я л!3)1»етс!i поныв
lUc1tllc чувстшп епьности ы)г!еци It ee быстродейстн!!я.
1(л чертеже:хемлтическ!! иэобрлже- 15
В !<;3 ц <-г!3<»рим< р;1 рс;3!1»3<»!ии мож— цо п(7сд!!<>;>l!Ti, фл >оопт!!ческую мишен1., ц клчес i не it!i эпс «три Ic CI(<)iI »<>mao)ixtf
IfcII<7Jl > >уе гол с.;!!од<1 топг)и»ои 10 мкм, .)» (. 1(тp o>I, 2) н!.!!10» tnt (ò с л и 3 Ilp0 H<) 1!11 (РЙ
»17оз)7;1 и!<)й».!епки SnOg T,> Ii!Iti»<)if 2()0 Л, !! 3 котор< и методом фотолитогрлфии обр;)зус тсл рсэг!етчлтлл структурл с г»!риц(>й по.!ос.ок 5 и«!1 l1 расстоянием между цил»! ".20 мкм.
Б 1(;i че C TII(I дефор -!lfpye Ho l o с>1ол приме»я етс!! (с по o<>(„". цос упру О<э нецество !i<3 <)с!!оне спабо структурировлп!3ог<7»сц»!орглносипоксапо>>ого клу— чука, топгцэна этого слоя снязлна с
II L)) I! oJl()! !»»33! <)17с пил P OL>IÐT
5 мкм. (>1о!! с мет wt! II«lect(oi про нодиd мост..!) Т< илц»(ой )0 Л соэ<лнлп< л ме—
Тод() ..1 1 (p".113 1< >C I(< г(> ц 11!! UI(»11л 3 о 10 »
azit0mtHifл илп;"7п00 если миг>ець рлбоТ<1Сст» >; ()(13(1 > 1!)!И С(Р>" >РЛ> eC.III ми io!11 рлботлет цл отрлжеиие.
Устроистп<) может р;)ботлть как на отрлжс»це, тлк и цл просвет. В перном сп чле спой 4, нанесен>и!й цл поверхность деформируемого слоя, доп— жеH oG 11дат!> хоропим!3 отрлж<»опими свой cTв<3мii. jul)I этого его следует f3b!— попцять в виде тонкой серебряной из)енк. Мишень может работлть и на пропуска»не . Дпл этого пленку вь»и>ппяют из тонкого слоя зопотл ипи наиболее прозрачного окисного покрытия
IT0 (In>0 + Sn0<2) . Из этого же состана следует выполнить и сетчатый
1ц!и решетчатый электрод. Эксперименты показа>)и что при TQJIL(IIHQ эпектО > рода 150 Л ц периоде повторения репетчатой структуры 25 мкм интенсивность света, дифрагированшего н первый порядок, составляет приблизительно сотую часть света в нупевол< порядке дифрлкции. Такой сетчатый !
3пи решетчатый электрод не ухудшает контрастность изображения на »роек-!!ионном экране.
Чувствительность мишени определяется величиной пондеромоторных сип, дейстнукнцих на единичную поверхность деформируемой среды, при единичной ипотности поверхностного заряда на диэлектрической подложке. Величина пондеромоторцых сип зависит от нели— чины заряда на границе раздела де1>ормируемый спой — вакуум.
Если поверхности деформируемого слоя придать металлические свойства с полем суцествеино возрастает, а это именно та сила, которая дефор <:<рует поверхность дефо рмируе мо го <..JI() H, Поэтому введение топкой пленки с металличе ской и ронодимост ью су<<(е ст— венио повьп!<ает дсформационную чувст— вительность предлагаем< и ми<<ени по сравнению с известными устройствами, Составитель Н, Григорьева
Редактор Т.Лазоренко Техред Л.Олийнык Корректор Т. Малец
Заказ 4449/51 Тираж 695 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113015, Москва, Ж-35, Рауша.кая наб., и. 4/5
Производственно-излате.(ьский комбинат "Патент", r.Ужгород, ул. Гагарина, 101
5 I49 с пом(п! ю т<1нкой 100 — !00 Л < << HKI} п«<ею<цей! металлический тип проводимости, к связанным зарядам добавляются свободные з аряды металлизированной поверхности, Сила их взаимодействия
7653
Ф о p . .1 v !;»! 3 о б р с т е и и я
Миюень деформограф;<÷((кой проек
