Устройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур . Цель изобретения - повышение точности контроля. Устройство содержит коронируюпщй электрод, зонды для контакта со структурбй, основание для пластины, измеритель электрических -параметров, переключатель, токосъемный резистор, элемент памяти, источник опорного напряжения, регу- Л1ФУЮШИЙ элемент, генератор постоянного высокого напряжения. С помощью источника опорного напряжения на коронирующем электроде напряжение устанавливается таким, чтобы обеспечивалась необходимая плотность заряда. При этом величину заряда на пластине оценивают по величине падения напряжения на токосъемном резисторе, затем по сигналу измерение, подаваемому с управляющего выхода -измерителя электрических параметров на управляющие входы переключателя и элемента памяти, основание соединяется с входом измерителя электрических параметров, а элемент памяти запоминает величину напряжения на токосъемном резисторе. 1 ил. i W С а .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„,SU,„, 1499631 А1 (51) 5 Н Of L 21 66

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ резистор 6, элемент 7 памяти, источник 8 опорного напряжения, регулирующий элемент 9, генератор 10 постоянного высокого напряжения . Измеряемая пластина обозначена позицией 11.

Устройство работает следующим образом.

С помощью источника 8 опорного напряжения устанавливают напряжение на коронирующем. электроде так, чтобы на измеряемой пластине 11 обеспечивалась необходимая поверхностная плотность заряда. При этом величину заряда.на пластине оценивают по вели

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ П4НТ СССР (46) 23. 04. 91 . Бюл. ff 15 (21) 4095754/25 (22) 22.05.86 (72) Е.З.Рыскин, Г.З.Pезников и Н.М.Борунова (53) 621.382(088.8) (56) Патент США М 3723873, кл. 250-3 70, 19 73.

Патент США. к" 4168432 кл. 250-3 70, 19 79. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЗАРЯДОВОЙ СТАБИЛЬНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур. Цепь изобретения - повьпнение точности контроля. Устройство содержит коронирующий электрод, зонды для контакта со структурбй, основание

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, Цель изобретения — повышение точности контроля. .На чертеже показана функциональ- ная схема устройства для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур.

Устройство содержит коронирующийэлектрод 1, зонды 2 для контроля структур, основание 3 для -пластин, измеритель 4 электрических парамет-. ров, переключатель 5, токосъемный

2 для пластины, измеритель электрических параметров, переключатель, то-, косъемный резистор, элемент памяти, источник опорного напряжения, регул|:рующий элемент, генератор постоянного высокого напряжения.. С помощью источника опорного напряжения на коронирующем электроде напряжение устанавливается таким, чтобы обеспечивалась необходимая плотность заряда.

При этом величину заряда на нластине оценивают по величине падения напряжения на токосъсмном резисторе, затем по сигналу "измерение", подаваемому с управляющего выхода измерителя электрических параметров на управляющие входы переключателя и элемента памяти, основание соединяется с входом измерителя электрических параметров, а элемент памяти запоминает величину напряжения на токосъемном резисторе. 1 ил .

Составитель К.Беленов

Техред A,Êðàâ÷óê

Корректор Н.Борисова

Редактор Н.Тимонина

Тираж 377

Подписное

Заказ 1900

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул. Гагарина, 101

3 149963 чине падения напряжения на токосъемном резисторе 6, затем по сигналу

"измерение", подаваемому с управляющего выхода измерителя электрических параметров на управляющие входы переключателя 5 и элемента 7 памяти, переключатель 5 переходит в положение, при котором основание 3 соединяется со вторым входом измерителя 4 1п электрических параметров, а элемент памяти 7 запоминает величину напряжения на токосъемном резисторе б, . которая предшествовала сигналу "измерение". При этом напряжение на коронирующем электроде поддерживается неизменным в процессе измерения параметров структуры. По окончании сигнала "измерение" устройство пере .содит в исходное состоя- 20 ние.

Любое изменение условий коронного разряда в воздухе вызывает изменение падения напряжения на токосъемном 25 резисторе, что приводит к увеличению или уменьшению напряжения на коронирующем электроде,. что, в свою очередь, обеспечивает, поддержание постоянной плотности заряда на пластине, 3О

Наличие заряда на поверхности структуры приводит к изменейию заряда, находящегося в защитном слое структуры, что в свою очередь отражается на измеряемых характеристиках или параметрах, которые сравниваются с эталоном. По виду характеристие или по значению переметров контролирует зарядную стабильность,, 1

Формула изобретения

Устройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур, содержащее основание для закрепления пластины со структурами, измеритель параметров структур, зонды для подключения электродов структуры к первому входу измерителя, генератор высокого постоянного напряжения, один выход которого соединен с коронирующим электродом, а другой заземлен, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения точности контроля, оно содержит дополнительно элемент памяти. токосъем, ный резистор, переключатель, регулирующий элемент источник опорного

Ъ1 напряжения, прйчем общий контакт переключателя соединен с основанием для пластины, нормально замкнутыми .контакт соединен с одним выводом токосъемного резистора и входом элемента памяти, другой вывод токосъемного резистора соединен с общей шиной устройства, а выход элемента памяти соединен с первым входом регулирующего элемента, второй вход которого соединен с первым выходом источника опорного напряжения, второй вход . которого соединен с общей шиной устройства, а выход регулирующего элемента соединен с управляющим входом генератора высокого напряжения, при этом управляющие входы переключателя и элемента памяти соедйнены с управляющим выходом измерителя параметров, второй вход которого соединен с нормально разомкнутым контак- . том переключателя.