Полупроводниковый бесконтактный коммутатор

 

Л"" 3.:ЕО14о

f г) Класс 21с, 45o..

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОЬ ЕТКНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подпасная группа М 91

О. А. Коссов

ПОЛУПРОВОДН ИКОВЫЙ БЕСКОНТАКТНЫЙ КОММУТАТОР

Заявлено 31 октября 1961 г, за No 750248/24-7 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 18 за 1962 г.

При упра влении быстродействующими электромагнитными муфтами и в ряде других случаев в качестве коммутаторов используют транзисторы. Для защиты их от пробоя электродвижущей силой самопцдукции нельзя использовать шунтирующий диод, так как это значительно увеличивает время отключения. Поэтому применяют отключение срез область пробоя, что |резко снижает надежность, а также использо >ание транзисторов по току и напряжению коллектора

Предложенный полупроводниковый бесконтактный коммутатор хВ рактеризуется тем, что в нем для защиты транзисторов от пробоя нагрузка включена в диагональ моста, противоположные плечи которого содержат соответственно два транзистора, включенных в проводящем направлении по отношению к источнику питания, и два полупроводниковых диода, включенных в непроводящем на правлении. Для ускорения процесса отключения диоды могут быть включены на отдельный источник с напряжением более высоким, чем напряжение исгочника питания нагрузки.

На фиг. 1 показана электрическая схема полупроводникового коммутатора, выполненного согласно изобретению; на фиг 2 — вариант схемы с питанием диодов от отдельного источника.

В схеме на фиг. 1 нагрузка 2 „включена в диагональ моста, выполненного на двух транзисторах Т, и Т и двух диодах Д, и Д,. Импульсный сигнал, снимаемый с вторичной обмотки трансформатора Тр, включает транзисторы Т,, Т, (путь тока в нагрузке показан сплошной линией), после чего транзисторы запираются и напряжение на Z„реверсируется, так как ток, быстро уменьшаясь, протекает через диоды

Д,. Д навстречу напряжению:источника питания U за счет э.д.с. самоиндукции (на схеме показано пунктиром), В варианте, показанноM на фиг. 2, с целью дальнейшего уcKopt . шя пооцесса отключения, диоды включаются на отдельный источник U, напряжение которого выше, чем U .

М 150146

При питании от выпрямителя необходимо включать емкости С (пунктир). Запирающее смещение на транзисторы может быть подано по известным схемам..

Предм ет изобретения

Редактор 3. А. Москвина Техред Т, П. Курилко

Корректор В. Н. Никитина

Подп. к печ. 17Х!11-62 г. Формат бум. 70х!08 / Объем 0,18 изд, л.

Зак. 8717 Тираж 1050 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета го делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр М. Черкасский пер, д, 2/6.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.

1 Полупроводниковый occI(QFITBKTFlb111 KQM!i! "i TBTop Q, IFI а«тив.1оиндуктивпой нагрузки, выполненный HB транзисторах, о т л и ч а юший ся тем, что, с целью зашиты транзисторов or пробоя, нагрузка включена в диагональ моста, противополо>кные плечи которого .одержат соответственно два транзистора, включенных в проводящем направлении по отношению к источнику питания, и два полупроводник >вых диода, включенных в непроводяшем направлении

2. Полупроводниковый коммутатор по п. 1, отл и ч а юшн и си тем, что, с целью ускорения процесса отключения, дигды вклю1ены на отдельнь1й источник с напря>кением, более высоким, чем напряже.1ие источника питания н>1грузки.