Устройство для введения легко испаряющихся примесей в расплав полупроводниковых материалов

 

Хе 150488

Класс 12с, 2;

401, 1за

СССР

0ЛИСАНИК ИЗОВРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная epgnnn Ла 89

Л. П. Калнач и А. Я. Одзиня

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВВЕДЕНИЯ ЛЕГКОИСПАРЯЮЩИХСЯ

ПРИМЕСЕЙ В РАСПЛАВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ

Заявлено 12 октября 1961 г. за № 747956/22-2 в Комитет Ilo делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б1оллетене изобретений» Х 19 за 1962 г, Недостатком известного устройства для введения легкоиспаряющихся .примесей непосредственно в полупроводниковый расплав является то, что в процессе вытягивания кристаллов вследствие колебания давления паров примеси полупроводниковый расплав засасывается в сосуд с примесью, когда ее еще имеется значительное количество.

Это приводит к нарушению технологического процесса.

Описываемое устройство исключает казанный недостаток. Достигается это тем, что оно снабжено поплавком.

На чертеже изображено предлагаемое устройство.

Устройство состоит из пузырька 1 грибовидной формы с цилиндрической ножкой 2, имеющей отверстие 8, которое плотно закрыто пришлифованным к нижней поверхности ножки поплавком 4. Держатель 5 прикреплен к концу штока для вытягивания кристаллов.

Принцип действия устройства следующий. Пузырек 1 через отверстие 8 заполняют легкоиспаряющейся примесью. После распла влепия полупроводникового материала устройство опускают в расплав так, что в последний погружены поплавок и часть ножки пузырька.

При этом примесь в пузырьке нагревается и испаряется. По достижении соответствующего давления пары примеси отталкивают поплавок, выходят в расплав и растворяются в нем. При уменьшении давления паров поплавок автоматически закрывает отверстие, предотвращая таким образом засасывание расплава в пузырек. № 150488

Предмет изобретения

Устройство для введения легкоиспаряющихся примесей в расплав полупроводниковых материалов, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью редотв а1цения засасывания расплава в устройство, последнее снабжено поплавкой .

Редактор Н, Л Корченко Теаред А, А. Камышникова Корректор Р. Al Рамазанов

Гароди. к печ 11Х-62 г, Формат бум, 70Х108 /ц Объем 0,18 изд. л, .Зак. 9312 Тираж 650 Цена 4 кбн.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М Черкасский пер„д. 2/6.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14,

Устройство для введения легко испаряющихся примесей в расплав полупроводниковых материалов Устройство для введения легко испаряющихся примесей в расплав полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов кремния, в частности к выделению отдельных частей слитков монокристаллов, в которых концентрация примеси углерода имеет заданные значения

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов

Изобретение относится к производству кремния, легированного сурьмой, широко применяемого в качестве подложек для эпитаксии

Изобретение относится к производству полупроводниковых слитков и пластин, в частности кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов лютеций-иттриевого алюмината, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений в медицинской диагностирующей аппаратуре

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского

Изобретение относится к изготовлению легированных монокристаллов или поликристаллов кремния, применяемых в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра
Наверх