Высоковольтный полупроводниковый стабилизатор напряжения

 

№ 150884

Класс 21а"-, 35 ссср ((, > О юг - °

>г ИОтГ;

ОПИСАНИЕ И30БРЕТЕ

К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа ув 89

Ю. Я. Дусавицкий

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ

СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ

Заявлено 19 декабря 1961 г. за М 756556/24-7 в КомитеI по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 20 за 1962 г.

В известных высоковольтных полупроводниковых стабилизаторах напряжения постоянного тока применяются проходные транзисторы, которые имеют низкое максимально допустимое напряжение. Это не позволяет применить последние для стабилизации более высокого напряжения без какой-либо специальной защиты от пробоя при коротком замыкании на выходе стабилизатора.

В предлагаемом высоковольтном полупроводниковом ст":áèëèçàòîpe постоянного тока этот недостаток устранен.

Согласно изобретению для защиты транзистора от перенапряжений он шунтирован диодом через секцию источника питания, напряжение которой не превышает предельно-допустимого напряжения транзистора.

Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором показана принципиальная электрическая схема предпагаемого стабилизатора.

На входе стабилизатора включены две секции нестабилизированного источника питания, напряжение которых соответственно равно

Ui и U2.

При различных режимах работы стабилизатора напряжение на проходном транзисторе 1 никогда не будет превышать величины напряжения U, секции источника питания.

Это объясняется тем, что транзистор 1, диод 2 и секция источника питания с напряжением U, образуют замкнутый контур, внутри которого э.д.с. не превышает Ь2.

Диод 2 при нормальной работе стабилизатора всегда заперт, так как потенциал эмиттера транзистора 1 отрицателен.

Цепь обратной связи стабилизатора образуется с помощью измерительно-усилительного органа 8, который может быть выполнен аналогично измерительно-усилительному органу обычных низковольтных стабилизаторов напряжения.

Защита стабилизатор l !1T !(opoTKHx замыканиЙ Осуц1естВлйстсЯ предохранителем 4.

Предмет изобретения

Высокоаол!зтныЙ полупрОВОдниконыЙ стяОилизятор напряжения l!0стоянного тока, с проходным транзистором, о тл и ч а ю щи Й с я тс!!. что, с целью. защиты транзистора от псрснапряжени!1, он шунтирован диодом через секцию источника питания, напряжение которсй нс превышает предельно-допустимого напряжения транзистора.

Uz

Корректор В. П. Фомина.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка 14

Редактор Л. H. Гольцов Тсхред А. А. Камышникова

Поди. к нсн, 19Л-62 г. Формат бум. 70Х108 /!„Зак, 10386 Тираж 750

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий прп

Москва, Центр, М, Черкасский пер., Объем 0,18 изд. л.

Цена 4 кои.

Совете Министров СССР д. 2/6.