Патент ссср 151299
ОПИСА и WE
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
151299
Зависимое or авт. свидетельства №
Заявлено 14 ° IX I96I (3 744783/23-4) Кл, 12С 2 с присоединением заявки №
Комитет по д изобретений и от при Совете Мии
СССР " Ь "ЕО; Ц;л
Лвтор изобретения
Т.Г.Петров
Заявитель
СПОС ОБ ЕИРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТйШОВ
ИДАННОГО IIPGQKIH ИЗ РАСТВОРОВ
Известен способ выращивания монокристаллов, растущих в одном направлении, с заданным профилем из растворов с постоянной подпиткой одной грани кристалла без перемешивания. Однако этот способ цикличен и длителен.
Предлагаемый способ отличается тем, что раствор непрерывно прокачивают вдоль одной грани кристалла и по мере роста кристалла от него отрезают блоки нужной величины. Это позволяет ускорить и сделать процесс выращивания монокристалла непрерывным.
При осуществлении способа выращивания монокристаллов форма их определяется формой кристаллизационной камеры, конструкция которой позволяет выращивать кристалл в одном направлении (рост боковых частей кристалла ограничен стенками камеры).
Выращивание ведут из пересыщенного,непрерывно циркулирующего вдоль одной грани кристалла раствора.
По Мере роста кристалл вытягивается из камеры и от него отрезают блоки нужной величины без прекращения процесса выращивания.
ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТИ1ИЯ
Способ выращивания монокристаллов заданного профиля
as растворов, растущих в одном направлении,с дальнейпим отрезанием от кристаллов биоков нужной величины, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью ускорение процесса выращивания монокристалла, раствор непрерывно прокачивают в направлении,: перпендикулярном оси роста кристалле.
Тираж PDO3CQ
Подписное
Заказ g>gg
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий. при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова д. 4
Предприятие „Патент", Москва Г-59, Бережковская наб., 24
Регулировку скорости вытягивания кристалла осуцествляют при помощи фотоэлектрической, следящей схемы.
