Устройство для сеточного управления вентилями преобразовательной установки

 

:Класс Н 021п; 21 йв, 12ца № 152018

11СЕС11Е3 1 Ц

А"

3i?ILdg;07(q

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.Подписная группа ¹ 98

Я. Ю. Солодухо и А. П. Цаллагов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЕТОЧНОГО УПРАВЛЕНИЯ ВЕНТИЛЯМИ

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКИ

Заявлено 29 января 1962 г. за № 761 14/24-7 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 23 за 1962 r.

Широко применяемые в устройствах для сеточного управления мощными ионными преобразователями электромагнитные формирователи импульсов (пик-генераторы, пик-дроссели, однополупериодные магнитные усилители) имеют ряд недостатков.

Более совершенным устройствам на полупроводниковых триодах при их применении к мощным преобразовательным установкам свойственен тот недостаток, что мощные триоды имеют черезмерно большие токи управления и требуют использования сеточных импульсных трансформаторов, так как амплитуда сеточного импульса для мощных выпрямителей должна быть не менее 300 в.

Очень заманчивым является применение полупроводниковых управляемых диодов, которые в отличие от триодов имеют очень маленький ток управления при большой выходной мощности, и изготовляются на значительно более высокое напряжение (до 400 в).

Управляемый диод, по сравнению с триодом, имеет тот недостаток, что его нельзя запереть управляющим электродом при положительном потенциале анода по отношению к катоду, что затрудняет получение сеточного импульса неизменной и наиболее благоприятной ширины, равной 120 .

В соответствии с изобретением для получения управляющих импульсов постоянной ширины, равной 120, предлагается в устройстве .для сеточного управления вентилями преобразовательной установки .применить инвертор с конденсаторной коммутацией на полупроводниковых управляемых диодах. № 152018

На чертеже показана принципиальная схема такого инвертора, на которой обозначены: трансформатор ТП, выпрямитель ВП, сопротивление СП, полупроводниковые силовые управляемые диоды 1У — бУВ,, нагрузочные сопротивления 1СН вЂ” бСН, коммутирующие конденсаторы

1ЕК вЂ” бЕК и конденсаторы нагрузки 1ЕН вЂ” бЕН.

Коммутирующие конденсаторы 1ЕК вЂ” бЕК включены соответственно между нагрузочными сопротивлениями управляемых диодов, импульсы управления которых сдвинуты на 120 . Ниже рассматривается работа одной ветви устройства.

Передний фронт импульса на нагрузочном сопротивлении 1СН формируется с помощью полупроводникового диода 1УВ, при открывании которого напряжение питающей сети прикладывается к этому нагрузочному сопротивлению.

При открывании диода ЗУВ формируется передний фронт импульса на нагрузочном сопротивлении ЗСН и одновременно срезается задняя часть импульса на нагрузочном сопротивлении .1СН, так как при открывании диода 8УВ конденсатором 1ЕК запирается диод 1УВ. Этотконденсатор на очень короткий промежуток времени, необходимый для: восстановления запирающих свойств диода 1УВ, делает его катод положительным по отношению к аноду. Диод запирается и, если на его управляющем электроде отсутствует отпирающий сигнал, то он остается запертым и после восстановления положительного напряжения на аноде после разряда конденсатора 1ЕК.

Нагрузка 1ЕН служит для уменьшения пиков напряжения, обусловленных перезарядкой конденсатора 1ЕК.

Изменяя момент отпирания управляемого диода 1УВ, можно регулировать угол запаздывания зажигания. Управление диодами 1УВ— бУВ может осуществляться различными устройствами: статическим фазорегулятором, однополупериодными усилителями, обычными магнитными усилителями, транзисторными устройствами, пик-трансформа-торами и т. п.

Предмет изобретения

Применение инвертора с конденсаторной коммутацией на полупроводниковых управляемых диодах в устройстве для сеточного управле-ния вентилями преобразовательной установки. № 152018 и ааннаа пувй тбапианаа уааана1кг

Составитель Л. О. Сольц

Техред T. П. Курилко Корректор М. Афанасьева

Редактор Л. Н. Гольцов

Подп. к печ. 15/ХП вЂ” 62 r. Формат бум. 70X 108 /i6 Объем 0,26 изд. л.

3ак. 3700/12 Тираж 1150 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Типография, пр. Сапунова, 2.