Патент ссср 155236

Авторы патента:

H01L29 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

 

Класс Н 011; 21g, 11а2 № 155236

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ

Подписнпя группи № 97

И. В. Грехов и И. В, Атражева

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТА К УПРАВЛЯЮЩЕМУ

ЭЛЕКТРОДУ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

УПРАВЛЯЕМЫХ ВЕНТИЛЕЙ

Заявлено 8 мая 1962 г. за ¹ 777726/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» № 12 за 1963 г.

Известны способы изготовления контактов к управляющему электроду силовых полупроводниковых триодов, основанные на вытравливании участка эмиттерного перехода.

Предлагаемый способ изготовления контакта к управляющему электроду силовых полупроводниковых управляемых вентилей отличается от известных тем, что в качестве койтакта используют участок эмиттерного перехода.

На эмиттерный переход вентиля с никелевым омическим контактом припаивают вольфрамовый диск с цилиндрическим отверстием. Внутри отверстия и соосно с ним располагают и припаивают снабженный нихромовым выводом диск, диаметр которого меньше диаметра отверстия.

Вытравливают припой и верхний слой перехода в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками и используют в качестве контакта управляющего электрода отвод от молибденового диска.

Это существенно упрощает технологию получения контакта к управляющему электроду вентилей, снабженных компенсирующими вольфрамовыми и молибденовыми дисками.

Сущность предлагаемого способа изготовления контакта управляющего электрода силовых полупроводниковых управляемых вентилей поясняется чертежом и сводится к следующему.

Каким-либо из известных диффузионных методов изготавливается и-р-и-р (или p-n-p-n) структура на всей площади используемой пластинки полупроводникового материала, и химическим никелированием и

¹ 155236 вжиганием создают омические контакты к ней. Затем в пластинке вытравливается канавка, разделяющая эмиттерный переход 1 на две неравные части, меньшая из которых с никелевым омическим контактом используется как контакт к управляющему электроду. Вытравливание канавки производится следующим образом.

После изготовления n-p-n-p структуры, никелевых контактов к ней. напайки нижнего вольфрамового диска 2, на эмиттерный переход вентиля припаивают верхний вольфрамовый диск 8 с цилиндрическим отверстием, причем внутри отверстия и соосно с ним распалагают и припаивают снабженный нихромовым отводом 4 молибденовый диск 5.

Внешний диаметр диска 5 меньше диаметра отверстия в вольфрамовом диске 8. Центрирование диска 5 при впайке производится опусканием цилиндрика 6.

После этого канавка заполняется на 4 мин. смесью НИ03 и НС1 в соотношении 1: 1 для вытравливания припоя. Затем, после промывки и просушки, канавка три раза подряд заполняется на одну минуту травителем, состоящим из смеси HF, HNi0 и СНзСООН в соотношении

3:5:1, соответственно, для вытравливания верхнего слоя перехода I в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками5и8.

В качестве контакта к управляющему электроду используют отвод 4 от молибденового диска 5.

Вытравливание канавки производится без применения специальной защиты поверхности пластины от травителя, так как используемые для защиты вольфрамовый диск 8 и молибденовый диск 5 является компен-сирующими прокладками и токоведущими контактами к пластине полупроводника.

Предмет изобретения

Способ изготовления контакта к управляющему электроду силовых полупроводниковых управляемых вентилей; основанный на вытравлпвании участка эмиттерного перехода, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения контакта у вентилей, снабженных компенсирующими вольфрамовым и молибденовым дисками, на эмитерный переход вентиля с никелевым омическим контактом припаивают вольфрамовый диск с цилиндрическим отверстием, причем внутри отверстия и соосно с, ним располагают и припаивают снабженный нихромовым выводом диск, диаметр которого меньше диаметра отверстия, вытравливают припой и верхний слой перехода в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками и используют в качестве контакта управляющего электрода отвод от молибденового диска. № 155236

Редактор Богатырева С. Л. Техред А. А. Камышникова Корректор T. В. Муллина

Подп. к печ. 22/VI-63 г. Формат бум. 70Х 108 /1а. Объем 0,26 изд. л.

Заказ 1007. Тираж 1226. Цена 4 коп

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Тип. ЦИНТИПРИБОРЭЛЕКТРОПРОМ. Москва, Е-123, 2-й Плехановский туп., 12

Патент ссср 155236 Патент ссср 155236 Патент ссср 155236 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом

Варактор // 2102819
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к варакторам (варикапам) полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к приборам с барьером Шоттки (БШ) на фосфиде индия (InP)

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных схем (ИС) большой степени интеграции
Наверх