Патент ссср 155872

 

Яв 155872

Класс Н 01l; 21g, 1là.*

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа М 82

А. В. Лубашевская, T. В. Фадеева, Ю. Х. Гукетлев и Л. А. Бобров

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Заявлено 1 марта 1962 г. за X«766897i26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано B «Бюллетене изобретений и товарных знаков» _#_e 14 за 1963 r.

Известны способы стабилизации поверхности полупроводниковых приборов путем нагревания их в сухом воздухе или кислороде.

Предлагаемый способ обработки полупроводниковых структур, например на германии и кремнии, отличается от известных способов тем, что р — n переходы без предварительной сушки подвергают ультрафиолетовому облучению в течение 30 — 60 мин. Благодаря такой особенности способа значительно ускоряется процесс стабилизации параметров полупроводниковых приборов.

Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.

Полученные по обычной технологии полупроводниковые р — п структуры после травления и промывки деионизованной водой без предварительной сушки подвергают ультрафиолетовому обучению.

Источником ультрафиолетового излучения является ртутно-кварцевая лампа типа ПРК-2, процесс облучения длится 30 — 60 мин при температуре окружающей среды 100 — 200 С (в зависимости от применяемомого полупроводникового материала) и проводится в потоке подогретого воздуха или кислорода. Поверхность стабилизированных таким образом полупроводниковых структур необходимо сразу же, до соприкосновения ее с окружающей атмосферой, защитить влагостойким покрытием либо герметизировать. Дальнейшие операции осуществляютсч по обычной технологии.

Применение предлагаемого способа для обработки германиевых р — n переходов позволило, например, получить высокую стабильность параметров и меньшие значения обратных токов при значительном ускорении процесса (на 18 час).

Предлагаемый способ сокращает технологический цикл производства полупроводниковых приборов, повышает их качество, а также позволяет автоматизировать комплекс операций изготовления приборов.

¹ 155872

Предмет изобретения

Редактор Н. С. Коган Техред А. Кудрявйцкая

Корректор А. М. Глазова

Подп. к печ. 25/VII — 64 г. Формат бум. 70) 108 / „Объем 0,18 изд. л.

Заказ 1659/18 Тираж 1050 Цена 5 коп.

LIHHHIIH Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2.

Способ обработки получроводниковых структур, например на германии и кремнии, состоящий в том, что протравленные и промытые

7 — а переходы без предварительной сушки подвергают стабилизации в потоке подогретого воздуха или кислорода, отл и ч аю щи и ся тем, что, с целью ускорения процесса стабилизации поверхностных свойств р — и структур, последние одновременно облучают ультрафиолетовым излучением в течение 30 — 60 мин.