Патент ссср 157439

 

СО1Оа СОВЬТСК Х

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

Респу Блик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ко 157439

Класс 210, 11в

МПК Н 01

Заявлено 22.111.1962 (№ 770099/26-9) ГОЕУЛАРСТВЕН НЪ|Й

КОМИТЕТ ПО ДУПЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИИ И ОТКРЫТИЙ

СССР

Опубликовано ОЗ.Х.1963. Бюллетень № 18

УДК

Подписная группа у0 97 к езнвм,тк .тна-!

А. И. Курносов и В. В. Юдин

СПЛАВНОЙ ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ

В производстве полупроводниковых приборов омические контакты к кремнию р-типа изготавливаются обычно в виде сложных систем свинец — индий — никель, свинец — сереоро — индий — никель и других. Известные спла вы для омических контактов недостаточно полно смачивают поверхность кремния, что не обеспечивает вплавления сплава по всей площади контакта.

Предлагаемый сплавной омический контакт, например, к кремнию р-типа отличается от известных тем, что он выполнен в виде системы кремний — алюминий — свинец, переходящей в чистый свинец. Описываемый омический контакт обладает хорошими электрическими и механическими свойствами, свободен от механических напряжений и трещин.

На фиг. 1 изображен омический контакт до сплавления: на фиг, 2 — структура омического контакта после сплавления.

Предлагаемый омический контакт выполнен следующим образом. Кристалл 1 кремния с р-и-переходом 2 помещен на таблетку

3 алюминиевой фольги толщиной 30 — 40 я с, под которой находится таблетка 4 свинца толщиной 75 — 100 л|н. Структуру помещают в вакуумную печь и нагревают до температуры

700=С. Сплавление ведут в течение 5 чин при вакууме 10 т — 5 ° 10 и.и рт. ст. Прп охлаждении, ведущемся со скоростью 10 — 15 C, .ttèí, образуется легированная алюминием об ласть 5 кремния (P ), и омпческий сплав 6 состава А1 — Si — Pb постепенно переходит в чистый свинец 7.

В результате получается омический контакт с хороши,tH электрическими свойствами, свободный от механических напряжений и трещин.

Предмет изобретения

Сплавной омический контакт. например, и кремнию р-типа, создаваемый путем сплавления накладываемых один на другой слоев фольги компонентов сплава, о т л и ч а ю щ и йся тем, что, с целью уменьшения механических напряжений, он выполнен в виде сплава алюминия и свинцB.

¹ 157439

Фиг / б

Фиг.2

Составитель Зенииа

Техред Т. П. Курилко

Редактор Кутафина

Кор ректор Т. В. Мулл ив

Г!одп. к печ. 26/!Х вЂ” 63 r. Формат бум. 60+90

Заказ 2490/15 Тираж 1275 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Патент ссср 157439 Патент ссср 157439 

 

Похожие патенты:

Использование: для сплавления электродными материалами кремниевых полупроводниковых пластин и полупроводниковых подложек с термокомпенсирующими электродами. Сущность изобретения заключается в том, что способ сплавления электродными материалами кремниевой полупроводниковой подложки с термокомпенсатором ведут алюминием/силумином через прослойку окиси кремния, выращенную на поверхности полупроводниковой подложки. Технический результат: обеспечение малой глубины проникновения электродного материала в полупроводниковую подложку. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Наверх