Патент ссср 157785

 

Эй 157785 .Класс С 221; 406, ling

CCCP

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная apgnna JB 161

Ю. М. Шашков, Б. И. Абаев, В. П. Гришин, А. В. Бакуи, В. В. Хартулари и Н. Т. Безобразов

ВАКУУМНЫЙ АППАРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ДЕНДРИТНЫХ

ЛЕНТ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Заявлено 22 марта 1962 г. за ¹ 770107122-2 и Комитет по делам изобретений и огкрытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б1оллетене изобретений и товарных знаков» № 19 за 1963 г.

Наиболее перспективным способом выращивания профилированных монокристаллов признано выращивание дендритных лент толщиной 30 1 м.и и шириной до 2,5 .и,и. Обычно на одну затравку вытягивается одна дендритная лента.

Вместе " тем признают, учитывая ограниченные размеры аппаратуры для вытягивания и мальи вес получаемой ленты. что однократное вытягивание малоэффективно, так как большая часть времени затрачивается ча загрузку материала чистку аппаратуры и создание в ней вакуума. Кроме того, значительная часть расплавленного материала в тигле не используется, что приводит к дополнительным его потерямм.

В связи с эгим предлагается вакуумный аппарат для выращивания дендритных лент из полупроводниковых материалов, в полости вакуумной камеры которого эксцентрично установлен совершающий поворотные движения в горизонтальной плоскости контейнер для сбора отрезанных лент, а в стенку камеры вмонтировано приспособление для отрезки выращенных лент от затравки с помощью электр1гческой дуги. Это дает воз.; ожность производить многократное выращивание лент на одну затравку без нарушения герметичности печи, позво.ляет увеличить полезное время работы аппарата и уменьшить потер:1 гисходного м атер и ал а.

На фиг. 1 изображен вакуух1ный аппарат; на фпг. 2 — устройство для резки дендритных лент. № 157785

Предлагаемый аппарат представляет собой камеру 1, присоединенную к вакуумной системе 2, Внутри камеры установлен тигель 8 с расплавом, имеющий графитовый нагреватель 4 и механический привод 5 для вращения и перемещения по вертикали как самого тигля, так и штока 6 затравки.

Для складирования отрезанных дендритных лент 7 установлен контейнер 8, укрепленный на штоке 9, который позволяет поворачиват контейнер в горизонтальной плоскости. Для резки дендритпых лент в рабочий объем аппарата введено устройство 10, состоящее из спектрально чистых графитовых электродов 11, кварцевого изолятора 12, подвода электроэнергии 13, вакуумных уплотнителсй 14, трубки 15 и стc. pжпя 16.

Трубка 15 через стенку камеры 17 введена в рабочий объем аппарата. Уплогнители 14 позволя!От перемещать трубку 15, не нару!пая вакуума. Вставленный в трубку металлический стержень 16, имеющий резиновые уплотнения, электрически изолирован от трубки. Стержень может перемещаться относитель! о трубки. На концах трубки и стержня, !!аходящихся в аппарате, укреплены электроды 11, а нару?кные концы трубки и стер?кня подсоединены к источнику тока в 25 в.

Электрическая дуга получается благодаря псремещенгпо стер?кня l6;; труоке 15; движение и вращение трубки дает возможность переплаьить дендритную ленту 7 в любом месте.

Предмет изобретения

Вакуумный аппарат для выращивания дендритных лент из полупроводниковых материалов, состоящий из вакуумной камеры, в полокоторой установлен тигc7H с !!сходны:i! матерна 70%I, уI

k!Il подви?кном штоке, нагреватель и штОк перемещения Затравк!1, 0 т,! и ч а и шийся тем, что, с целью повышения производительности аппарата, в полости вакуумной камеры эксцентрично установлен соверп1аlощий поворотные движения I3 горизонтальной п7ocKocTH контейнер для сбора отрезанных лент, à B стенку камеры вмонтировано приспособление для отрезки выращенных лент от затравки с помощью электрической дуги, выполненное в виде двух электродов, укрепленных на концах металлической трубки и установленного внутри нее стержня электрически изолированных друг от друга. № 157785

Состав тель Г. А. Григоренко

Редактор В, П. Липатов Текред T. П. Курилко Корректор О. Б, Тюрина

11одп, к печ. 2/XI — 63 г. Формат бум. 70 Q 108 />I; Объем 0,35 изд. л.

Заказ 2709/8 Тпрагк 675 Цена 4 коп.

LlliHHI. È Государствснпого комитета ITQ дслам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Патент ссср 157785 Патент ссср 157785 Патент ссср 157785 Патент ссср 157785 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках с гибкой подвеской затравки для предотвращения раскачки монокристалла
Наверх