Патент ссср 158633

 

ЛЪ 158633

Класс Н Oll; 21g, 11в>

СССР

Иод)222снаЯ гРУ)2пп М 97

Р. Д. Тихонов и И. И. Рубцов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕИИЯ СРЕЗОВ р-и-ПЕРЕХОДОВ

3 :яве)е))о 29:, ар. а 196? г.:а X )iIÇÑÇ 26-9

Ко. ) нте) )) U l;) 3 Ai ))3(о))етеH)i)! ) l от () l-) 2 l! I») l) )) Совете . 1íííåò1) ов СССР

Онуб,н)кова-to в «Б)отлетене l).)0))ретен:)9 н тов,)1)ны; ан)))«ов» М 22 аа 1963 г.

Известен способ элекгр,;искровой резки металлов с использова1-. ИЕЪ1 В КгЧЕСТВЕ ЭЛЕКТРОДа-н. 1СТ)>УМ ЕНт а ДВИЖУГЦЕЙСЯ ПРОВОЛОКИ. а В KBчестве среды — высокоомной воды.

Известны также способы изготовления L!Ië)!ôà полупроводникового прибора. Однако эти способы сложны i малопроизводительны.

Отличительной особенность)О предлагаемого способа изготовления срезов р-г2-переходов является использование электроэрозионной резки р-и-переходов. Это позволяет упростить технологию, сократить время изготовления срезов I! без Допол)гительных операций выявить металлографическую структуру в плоскости среза.

На фотографии дан вид среза германиевой р-п-структуры, выяв.пенной предлагаемым способом изготовления срезов р-12-переходов (а — граница рекристаллизоганног0 "IGF.. со стороны эмиттера, б — TG же, со стороны коллектора, в — осгровки основного германия).

Исследуемый Образец подвергаегся эле«троэрозион»ой резке в тре богемой плоскости. Настройка места среза ведется 1103 микроскопом.

В качестве электрода-инструмента используется, например, вольфрамовая проволок (диаметром 15 — 50 IIk) .

Процес . проводится в струе высо оомной Воды с удельным сопротивлением 3 —:10 Вол. Оя. Источником питания разрядного промежуткг является релаксационный КС генератор импульсов. Анодом служит обрабатываемый образец, катодом — инст,>i.)1епт. Проволока-пнст1) I мент непрерывно перематывается со скоростью 5 — 10 )ь)1/сгк, Напряжение холостого хода на искровом промежутке:10 —:50 в, рабочий ток

Ь вЂ” 12 ))а.

¹ 158633 о

Стао f!!FIÇ (öffff реек!(ма 0(> И1ес1 Вляется поддержанием зада нного (5 —:8 >1((с) искрового промежутка. 1,>!я этой цели в установку вводят чувствительный регулятор. Процесс длится от 2 до 5,!(ин, после резки сбразен готов для исследования. ! Ice;Ioд0В3нис ведут ffа ме! 3лло! p3(ри (сско(м микроскопе.

Вследствие различия удельного сопротивления и типа проводимости отдельных Областей ооразца, а также в силу ряда других причин электроэрозия этих 06.,(1(сто!(1(;IBT BО-разному. В pB3v.fbT3Te 3TQI данkfb e, OO >130TFI tBbII IFf,3!iT 1(0J, »пирос:Ol10),I p33JI14>I(IG. Таким Образом, f(10гут быть зыявлены I р",!(Ицы этих оо Ic:стей, а следовательно, и внутренняя геомегрия IIpi:.60ðà. Кроме того, сд:(овременно с процессом резки и(((ее! место элек) рохимическое подтравливание обрабатываемой поверхности, причем в различной степени для разли IF!i fx областей, что акже способствует выя(., !еч,!(o микрос) руктуры.

Предмет изобретения

Способ изготовления срезов р-77-переходов образцов полупроводkIFIKoBblx пр((боров д iFI 1!Зу>!ения !Ix стр) ктуpbl, О т л и ч 3 10 Щ и и с Я те. I, (ТО, С ЦЕЛЫО УПРОЩЕНИЯ ТЕХНО.(ОГИИ И СОКРЗЩЕНИЯ ВРЕМЕНИ ИЗГОТОВЛЕния срез)в, металлографическу!o структуру в плоскости среза Bb!FIBJIFIIOT путем электроэрозиогп(ой резки р-17-переходов.

<.<и"> ад;г(с.т>> Ю. Ii. Тс(.нек

Редактор С. Л. Богатырева Т;.>:ð(.;(А. А. Камыш>(икова Корректор Л. М. Комарова

Г(одп. к печ. 25>Х11 — 68 г. Фора(ат бум. 70),"!08 l(6 Обвея 0,18 изд. св

Заказ 3050(!7 1 яра>к !275 Цсиа 4 коп.

ЦНИИП1г! 1"ос);(ар(>в, и;ии о к(>митста и > д(а-;i изобрст(ии(! и отари(тиш СССР .т!осква, )1си>р, ир. Сi>ðîâÿ,;(. 4

Ти>- >граф>((>, (р. Га((уиова, 2

Патент ссср 158633 Патент ссср 158633 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука
Наверх