Симметрирующее устройство

 

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах, включая монолитные. Цель изобретения - повышение интеграции. Устройство содержит полуволновый проводник 1, разомкнутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками (ДП) 2 и 3. На внешней стороне ДП 2 размещены два четвертьволновых проводника 4, 5, причем конец 6 первого из них и начало 7 второго разделены зазором 8. На внешней стороне ДП 3 расположен проводник 9. Толщина H<SB POS="POST">2</SB> ДП 3 больше толщины H<SB POS="POST">1</SB> ДП 2. Одновременно выполнение проводника 9 в виде заземляющего основания, перекрывающего проводник 1 обеспечивает повышение степени интеграции, т.к. позволяет разместить ДП 2 на проводящей плоскости. 2 ил.

(я) 4 Н 01 Р 5/10

3 ;Бй33М1

:< " . ".: ЛЫИЯ ,(1 ...Д

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ ф . р.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

- ..=-.:Ы РЕСПУБЛИК ф-

;"У

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

flQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 3817577/24-09 (22) 28. 11 ° 84 (31) .Р-245000 (32) 09.12.83 (33) РЬ (46) 23.09.89. Бюл. 11 35 (71) Польска Акадэмия Наук, Цэнтрум

Бадань Космичных (PL) (72) Войцех Иарчэвски и Вацлав Немыйски (РЬ) (53) 62 1.372.833(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

,Ф 445949, кл. Н 01 P 5/10, 1972.

Патент США Р 4361818, кл. Н 01 P 5/10, 1982. (54) СИИИЕТРИРУЮЩЕК УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к технике

СВЧ и м.б. использовано в миниатюр„.,SU„„1510726 A 5 ных устр-вах, включая монолитные.

Цель изобретения — повьппение интеграции. Устр-во содержит полуволновый. проводник 1, разомкнутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками (ДП) 2 и 3. На внешней стороне ДП 2 размещены два четвертьволновых проводника 4,5, причем конец 6 первого из них и начало

7 второго разделены зазором 8. На внешней стороне ДП 3 расположен проводник 9. Толщина Ь ДП 3 больше толщины Ь1 lUI 2. Одновременно выполнение проводника 9 в виде заземляющего основания, перекрывающего проводник 1, обеспечивает повышение степени ин;.й

Щ теграции, т.к. позволяет разместить

ДП 2 на проводящей плоскости. 2 ил.

3 1510726

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в миниатюрных устройствах, включая монолитные.

Цель изобретения — повышение интеграции.

На фиг. 1 показана конструкция симметрирующего устройства; на фиг.2— расположение его основных проводни- 10 ков по одному из его вариантов.

Симметрирующее устройство содержит полуволновый проводник 1, разомкнутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками 2 15 и 3, на внешней стороне первой из которых размещены два четвертьволновыхпроводника 4 и 5, расположенные вдоль оси АА полуволнового проводника 1, причем конец 6 первого из них и нача- 20 ло 7 второго разделены зазором 8, расположенным против средней части полуволнового проводника 1. йа внешней стороне второй диэлектрической подложки 3 расположен четвертый проводник 9, при этом начало 10 полуволнового проводника 1, начало 11 первого четвертьволнового проводника 4 и начало 12 четвертого проводника являются несимметричным входом, а конец 30

6 первого четвертьволнового проводника 4 и начало 7 второго четвертьволнового проводника 5 являются симмет. ричным выходом.

Начало 11 первого четвертьволново- 35 го проводника 4 и конец 13 второго четвертьволнового проводника 5 закорочены по СВЧ-току. Четвертый проводник 9 выполнен в виде заземляющего основания, перекрывающего полуволно- 40 вый проводник 1. Толщина h второй диэлектрической подложки 3 больше толщины h первой диэлектрической подложки 2.

Симметрирующее устройство работа- 45 ет следующим образом.

СВЧ-сигнал, поступающий на несимметричный вход, образованный началами

10 - 12 полуволнового 1, первого 4 четвертьволнового и четвертого 9 про- >0 водников, поступает на симметричный выход, образованный концом 6 первого четвертьволнового проводника 4 и началом 7 второго четвертьволнового проводника 5. Выбором параметров второй диэлектрической подложки (диэлектрической постоянной с и толщины h ) обеспечивается равенство фазовых скоростей четной и нечетной волн отреэков связанных линий, образованных полуволновым проводником 1 и четвертьволновыми проводниками 4 и 5.

Тем самым обеспечиваются требуемые выходные параметры в широкой полосе частот. Для выполнения этих условий необходимо толщину h второй диэлектрической подложки 3 выбрать больше толщины первой диэлектрической подложки 2.

Одновременно выполнение четвертого проводника 9 в виде заземляющего основания, перекрывающего полуволновой проводник 1, обеспечивает повышение степени интеграции, так как позволяет разместить диэлектрическую подложку 2 на проводящей плоскости.

Симметрирующее устройство может быть изготовлено как по гибридной, так и по монолитной технологии, например на полуиэолирующей подложке из GaAs, являющейся второй диэлектрической подложкой 3. В качестве первой диэлектрической подложки 2 в этом случае целесообразно испольэовать диэлектрическую пленку, например, 8 3N4 формула изобретения

Симметрирующее устройство., содержащее полуволновый проводник, разомк.нутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками, на внешней стороне первой из которых размещены два четвертьволновых проводника, расположенных вдоль оси полуволнового проводника, причем конец первого из них и начало второго разделены зазором, расположенным против средней части полуволнового проводника, а на внешней стороне второй диэлектрической подложки расположен четвертый проводник, при этом начала полуволнового проводника, первого четвертьволнового проводника и четвертого проводника являются несимметричным входом, а конец первого четвертьволнового проводника и начало второго четвертьволнового проводника являются симметричным выходом и началом первого четвертьволнового проводника и конец второго четвертьволнового проводника закорочены.по СВЧ-току, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения интеграции, четвертый проводник выполнен в виде заземляющего основания, перекрывающего

Фис. 2

Составитель Н.Ткачева

Техред.Л.Олийнык Корректор В.Кабаций

Редактор М.Бланар

Заказ 5831/58 Тираж 616 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Ужгород, ул. Гагарина,101

5 1510726 6 полуволновый проводник, а толщина деляющей их, больше толщины первой второй диэлектрической подложки, раз- диэлектрической подложки.