Фотодиод

 

Фотодиод, содержащий полупроводниковую структуру p+-n-n+-типа или p+-p-n+-типа с участком для доступа света, расположенным на свободной от электрических контактов поверхности n-слоя или p-слоя, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения абсолютной интенсивности широких пучков света при сохранении внутреннего квантового выхода, близкого к единице, свободная поверхность для доступа света образована плоскостью, расположенной под углом к плоскостям p+-n- или p-n+-переходов, или в виде углубления сферической формы с радиусом R со стороны слоя, имеющего тот же тип проводимости, что и средний слой, при этом должны выполняться следующие соотношения: D = 1,1L, L2/4d < R < 103d, где d - толщина n- или p-слоев; - внутренний квантовый выход; - коэффициент поглощения света; L - ширина или диаметр облучаемого участка;
N - концентрация примеси в среднем слое;
R, D - радиус кривизны и диаметр основания сферического сегмента;
A - (4 - 6) 1012 см-2;
gs = 1,1 эВ - константы, характерные для Si и Ge;
g - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала фотодиода.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к полупроводниковым приемникам, предназначенным для регистрации излучений и заряженных частиц

Изобретение относится к устройствам фотоэлектрического преобразования и системе формирования изображения
Изобретение относится к гибридному органически-неорганическому мономерному материалу, а именно к способу его получения

Гибридная фоточувствительная схема содержит: алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками. В состав МФП входят: верхний плоский электрод, на который подается напряжение смещения, алмазная пластина и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ, с которых снимается сигнал. Нижние электроды гальванически связаны через индиевые столбики с расположенными в виде прямоугольной матрицы с осями X и Y чувствительными элементами кремниевого мультиплексора. Число индиевых столбиков на каждой осей X и Y должно быть не менее двух. Кроме того, матрица алмазного фотоприемника по оси X и Y имеет в два раза шаг больше, чем матрица кремниевого мультиплексора, и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ расположены в шахматном порядке. Нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ соединены гальванически индиевыми столбиками только с нечетными или четными чувствительными площадками кремниевого мультиплексора, поэтому, свободные чувствительные площадки кремниевого мультиплексора могут использоваться для регистрации видимого и ИК-излучений. Технический результат изобретения - расширение детектируемого диапазона излучения, за счет одновременной регистрации изображения в ультрафиолетовом, видимом и ИК спектре, увеличение срока службы ГФС за счет исключения попадания жесткого УФ излучения на мультиплексор. 4 ил.

Настоящее изобретение относится к люминесцентному фотогальваническому генератору (1) и волноводу для использования в таком фотогальваническом генераторе. Фотогальванический генератор содержит фотогальванический элемент (4) и волновод, содержащий прозрачную матрицу (2), имеющую частицы неорганического люминесцентного материала, рассредоточенные в ней, и/или неорганический люминесцентный материал, расположенный по меньшей мере на одной ее стороне. Волновод ассоциирован с фотогальваническим элементом (4), так что при использовании по меньшей мере часть света, излученного из люминесцентного материала, поступает в фотогальванический элемент (4), чтобы создать напряжение в элементе. При этом неорганический люминесцентный материал имеет максимум поглощения по меньшей мере в одной из ультрафиолетовой области, видимой области и инфракрасной области, ширину линии поглощения 50 нм или более, ширину линии испускания 20 нм или менее и Стоксов сдвиг 50 нм или более. Также предложен волновод для использования в фотогальваническом генераторе. Фотогальванический генератор (1) является альтернативой или усовершенствованием известных фотогальванических генераторов, которые обычно страдают от недостатка удельного выхода мощности. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Входное окно предназначено для использования в вакуумных фотоэлектронных приборах проксимити типа. Технический результат - упрощение технологии изготовления входного окна, в том числе для фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур, а также обеспечение значительного коэффициента усиления фотоэлектронных приборов типа проксимити при увеличении их электрической прочности и повышении пробивного напряжения. Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов типа проксимити выполнено чашеобразной формы, составным, включающим боковую часть конусообразной формы, имеющую ступенчатый выступ со стороны меньшего диаметра, и плоское дно, имеющее ступенчатый выступ вдоль края, соединенные посредством примыкания соответствующих ступенчатых выступов друг к другу, причем соединение зафиксировано индиевым уплотнением. 2 ил.

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа защиты приемника оптического излучения. Способ включает в себя прием входного оптического потока матричным фотоприемным устройством (МФПУ), измерение величины ii выходного сигнала каждого i-го чувствительного элемента (ЧЭ) МФПУ, где - номер ЧЭ МФПУ, N - количество ЧЭ в МФПУ, и сравнение их значения с пороговым значением iП. При превышении величины ij выходного сигнала j-ого ЧЭ МФПУ порогового значения iП закрывают j-ую часть входного оптического потока. Далее периодически открывают j-ую часть входного оптического потока и измеряют величины ij выходного сигнала j-го ЧЭ МФПУ. При ij≥iП закрывают j-ую часть входного оптического потока, а при ij<iП оставляют j-ую часть входного оптического потока открытой. Технический результат заключается в обеспечении возможности функционирования устройства в условиях засветки фоточувствительной поверхности мощными сигналами. 3 ил.
Наверх