Полимерная композиция

 

Изобретение относится к композициям на основе низкомолекулярных полиорганосилоксанов, отверждающихся по реакции полиприсоединения, и может быть использовано для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение позволяет повысить жизнеспособность композиции до 470-490 ч и электроизоляционные показатели вулканизатов на ее основе - электрическую прочность повысить до 41-48 кВ/мм, тангенс угла диэлектрических потерь снизить до 2<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-4</SP> - 5<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-4</SP> при частоте 1 МГц и 20°С. Композиция включает, мас.ч. : низкомолекулярный полиметилвинилсилоксан линейного строения (СКТНВ) 100, олигогидридсилоксан линейного строения с 0,6-0,7 мол.% активного водорода 10-20 и ацетилацетонатодикарбонилродий (1) 2<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-3</SP> - 2<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-2</SP>. Композицию получают предварительным растворением ацетилацетонатодикарбонилродия (1) в полиметилвинилсилоксане при 90-95°С в течение 2 ч с последующим добавлением олигогидридсилоксана и смешением в течение 20 мин. Вулканизацию проводят в воздушном термостате при 130-140°С в течение 2-5 ч. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4320724/23-05 (22) 16.10.87 (46) 07.10.Р>9. Вюл. t 37 (71) Московский государственный педагогический институт им.В,И.Ленина (72) А.T.Òåëåøåâ, А,B,ÈèLUèí, Т.А.Ииковец, З.Е.Нифантьев, М.П.Коротеев, !

,>.П.Сергиенко, Н„Е,Иубин, К.И.Ильина, В,Д.Лобков и H.A.Áàñèëüåâà (53) 678.84 (088,8) (56) Варшавский !0.С., Черкасова Т.Г.

Простой метод получения ацетилацетонатодикарбонилродия. — Журнал неорганической химии, 1967, т.12, 1-" 6, с.1709.

Авторское свидетельство ЧССР

И 207958, кл. С 08 Г 77/38, 1982. (54) ПОЛИМЕРНАЯ КОМПОЗИЦИЯ (57) Изобретение относится к композициям на основе низкомолекулярных полиорганосилоксанов, отверждающих.ся по реакции полиприсоединения, и может быть использовано для герметизации полупроводниковых приборов и

Изобретение относится к композициям на основе низкомолекулярных полиорганосилоксанов, отверждающихся по реакции полиприсоединения, и может Ьыть использовано для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Цель изоЬретения — повышение жизнеспособности композиции и электроизоляционных показателей вулканизатов на ее основе.

В качестве полиметилвинилсилок" сана композиция содержит каучук мар„„ЯУ„„1512997 А 1 (5n 4 С 08 L 83/07, С 08 К 5/56//

//(С 08. 1. 83/07, 83:05

2 интегральных схем. Изобретение позволяет повысить жизнеспособность композиции до 470-490 ч и электроизоляционные показатели вулканизатов на ее основе — электрическую прочность повысить до 41-48 кВ/мм, тангенс угла диэлектрических потерь снизить до 2 .10 - 5 10 при частоте 1 МГц и 20 С. Композиция включает, мас,ч.: низкомолекулярный полиметилвинилсилоксан линейного строения (СКТНВ)

100, олигагидридсилоксан линейного строения с 0,6-0,7 мол.4 активного водорода 10-20 и ацетилацетонатодикарбонилродий (I) 2 ° 10 3 - 2 ° 10 2.

Композицию получают предварительным растворением ацетилацетонатодикарбонилродия (I) в полиметилвинилсилоксане при 90-95 С в течение 2 ч с последующим добавлением олигогидридсилоксана и смешением в течение

20 мин. Вулканизацию проводят в воздушном термостате при 130-140 С в течение 2-5 ч. 2 табл. ки СКТНВ с 1,5-2,0 мол.В метилвинилсилоксановых звеньев (ТУ 38.40353586). Олигогидридсилоксан соответствует ТУ 38.40536-86.

Композицию получают предварительным растворением ацетилацетонатодикарЬонилродия (I) в полиметилвинилсилоксане при 90-95 С в течение 2 ч с последующим добавлением олигогидридсилоксана и смешением в течение

20 мин, Из композиции изготавливают образцы путем заливки на алюминиевую фольгу с помощью фильеры слоем 2

10-20

Таблица 1

Примеры

Компоненты, мас.ч.

Полиметилвинилсилоксан (СКТНВ)

Олигогидридсилоксан

Ацетилацетонатодикарбонилродий

100 100

100

100 100 1O l0

100 t 00

15 20 10

10.2 10-а 1О-а 2 10-з 2 10-з 2 10 з 10-

Свойства вулканизатовЖизнеспособПример

ЭлекУдельное объемное электрическое

Тангенс

Темпе.ратура измерения диэлектрических ность компо зиции, угла диэлектрических трическая прочность кВ/мм сопротивление, Ом см потерь на частоте

1 МГц параметров, С вестный

9 10

2 10

1 10

3 ° 1О

3 10

3 10

1 ° 10

4 10

5 10

9 10

100

470

22

46

46

48

470

3 151

3 мм и проводят вулканизацию в воздушном термостате при 130-140 С в течение 2-5 ч, Из фольги с покрытием вырезают диски диаметром 100 мм и испытывают их по электроизоляционным характеристикам.

Жизнеспособность композиций определяют временем, в течение которого вязкость композиции удвоилась. Тангенс угла диэлектрических потерь определяют по ГОСТ 2237.2-77, удельное объемное сопротивление - по ГОСТ

64332-71, электрическую прочность по

:ГОСТ 6433.3-71, Композиции по примерам 1"7 (примеры 6 и 7 контрольные) и вулканизаты на их основе получают как описано выше. Составы композиций приведены в табл. 1, свойства вулканизатов на их основе - в табл. 2.

Формула изобретения

Полимерная композиция, включающая низкомолекулярный полиметилвинилси1

2997

4 локсан линейного строения, олигогидридсилоксан линейного строения с

0,6-0,7 мол.В активного водорода и родиевый катализатор, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения жизнеспособности композиции и электроизоляционных показателей вулканизатов на ее основе, в качестве

1р родиевого катализатора она содержит ацетилацетонатодикарбонилродий (I) формулы Асас Rh {CO) при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:

Низкомолекулярный

1 полиметилвинилсилоксан линейного строения 100

Олигогидридсилоксан линейного стро20 ения с 0,6-0,7 мол.Ф активного водорода

Ацетилацетонатодикарбонилродий (I) указанной формулы 2 10-з-2 ° 10

1512997

Продолжение табл. 2

Свойства вулканизатов

ЖизнеспособПример

ТемпеЭлекУдельное объемное ность компо трическая зиции, ч электрическое прочность, кВ/мм сопротивление, Ом см параметров, С

470

480

490

160

Известная композиция включает, мас.ч.: полиметилвинилсилоксан линейного строения 100; олигогидридсилоксан 10 и 0,113-ный раствор трис(ацетилацетоната) родия (III) в толуоле 5.

Составитель В,Илларионов

Редактор E.Ïàïï Техред Л,Сердюкова Корректор Т,Палий

Заказ 6039/26 Тираж 411 Подписнс

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д=. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина,101

Тангенс угла диэлектрических потерь на частоте

1 МГц

4 ° 1 О -4

7 ° 10

4, 10-4

8 ° 1О

2 ° 10

3 ° 10

5 10

Не

1 ° 10

5 10

7 ° 10

1 10

1 ° 10 .

1 ° !0

5 10 отверждается т

43

42

41

41

25 ратура измерения диэлектрических

100

100

100