Керамический диэлектрический материал

 

Изобретение относится к керамическим материалам и может быть использовано в радиотехнике преимущественно в качестве конденсаторного материала. Для повышения диэлектрической проницаемости и снижения тангенса угла диэлектрических потерь керамический диэлектрический материал содержит в качестве добавки WO<SB POS="POST">3</SB> при следующем соотношении компонентов, мас.%: PBO 56,5-59,6

NB<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">5</SB> 33,7-35,5

BI<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB> 3,3-6,5 и WO<SB POS="POST">3</SB> 1,6-3,3. Материал получен по обычной керамической технологии, температура спекания 980-990°С. Материал имеет следующие характеристики: ε/ε<SB POS="POST">0</SB> 250-290

TGδ 0,03-0,05

TKε (700-800)<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-6</SP> град<SP POS="POST">-1</SP> в температурном интервале 20 - 300°С. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ÄÄSUÄÄ1527219

А1 (51)4 С 04 В 35/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (1-х)РЬ %> n„ хВ1. И06, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 4412301/31 — 33 (22) 16.03.88 (46) 07.12.89. Бюл. К 45 (71) Рижский политехнический институт им. А.Я. Пельше (72) И.В. Аболтиня, И.С. Виноградова, Э.Ф. Фрейденфельд и И.Н. Сенькова (53) 666.638 (088.8) (56) Заявка Японии 11 60-22449, кл. Н 01 В 3/12, 1985.

Авторское свидетельство СССР

1219567, кл. С 04 В 35/00, 1986. (54) КЕРАМИЧЕСКИЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ

МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к керамиИзобретение относится к диэлектрическим материалам и может быть использовано в радиоэлектронике, преимущественно в качестве конденсаторного материала, Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости и снижение тангенса угла диэлектрических потерь.

Состав материала соответствует формуле где х = 0,05 — 0,10, Керамика получена из оксидов свинца, висмута, вольфрама марки ч.д,а, и пятиокиси ииобия марки РЭТУ вЂ” 48-4273-73.

Смешивание и измельчение компонентов осуществляют в яшмовом бараба2 ческим материалам и может быть использовано в радиотехнике преимущественно в качестве конденсаторного материала.Для повышения диэлектрической проницаемости и снижения тангенса угла диэлектрических потерь керамический диэлектрический материал содержит в качестве добавки110 при следующем соотношении компонентов, мас.%: PbO 56,559,6; Nbgng 33,7-35,5; В120 з 3,3-6,5 и WC 1,6-3,3, Материал получен по обычной керамической технологии, темо пер ат> ра спекания 980 — 990 С. Материал имеет следующие характеристики:

E/éî 250-290 э 1Г 0 э 03 0105 ТКЕ. (700800) 10 град в температурном интервале 20-300 С. 2 табл. не в среде спирта, время помола 12 ч.

После высушивания при 220-250 С материал подвергают синтезу при температуре 700 и при 850 С в течение 2 ч, Затем измельчают до прохождения через сито 10000 отв./см, после чего

z прессуют диски диаметром 12 мм и толщиной 2 мм. В качестве связки используют 3%-ный водный раствор поливинилового спирта. Спекание проводят при 980-990 С с выдержкой

1 ч. На сошлифованные диски наносят электроды методом напыления алюминия в вакууме.

Химические составы предложенного и известного материалов приведены в табл.1, их свойства — в табл,2.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Керамический диэлектрический материал, включающий РЬО, Nb<0, 1527219 добавки W03 при следующем соотношении компонентов, мас.Х:

Pb0 56,5-59,6

Nb 0 33,7-35,5

Bi2ОЪ 3,3-6,5

WO 1,6-3,3

Т а б л и ц а 1

Bi Оз и добавку, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и снимения тангенса угла диэлектричес5 ких потерь, он содермит в качестве

Состав, мас.Х

1 1 I

Материал

СЙО РЬО В 1 0 Nb 05 W03

24,1 28,0 14,6 33,3

Известный

Предлагаемый

2

56,5 6,5 33,7 3,3

59,6 3,3 35,5 1,6

58,1 4,9 34,6 2,4

Таблица2 физико-мехаМатериал нические свойства

Предлагаемый (2 3

Известный

Оптимальная температура спекания 1000

Ппотность

6.10, кг/м 6,7

Диэлектрическая проницаемость E /8o 200

Тангенс угла диэлектричес- Ф ких потерь

ag3,z 0,2

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости

ТКЕ, 10 ° K 200

Температурный интервал определения ТК, С 20-300

980

990 980

6,7 6,7

6,7

250

280 290

0,04 0,05

0,03

700

500 800

20-300 20-300 20-300

Составитель Л. Косяченко

Техред М.Дидык Корректор A- Обручар

Редактор В. Данко

Заказ 7475/32 Тирам 591 Полпнгнло

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.умгород, ул. Гагарина, 101

Керамический диэлектрический материал Керамический диэлектрический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к криогенной технике, в частности к активным элементам каскадных микрокриогенных устройств, обладающих свойством изменения температуры при изменении внешнего электрического поля (электрокалорический эффект), предназначенных для создания микрокриогенных охлаждающих устройств

Изобретение относится к пьезоэлектрически.м керамическим материалам и может быть использовано для создания среднечастотны .х электромеханических преобразователей , в частности дефектоскопов и приборов медицинской диагностики, применяемых в устройствах, где весовые характеристики являются решающими

Изобретение относится к пьезотехнике и может быть использовано для создания электромеханических преобразователей

Изобретение относится к керамическим диэлектрическим материалам и может быть использовано для изготовления низкочастотных конденсаторов, преимущественно силовых

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой, пьезоэлектрической и радиоэлектронной технике. Для получения порошков титаната, или цирконата, или ниобата свинца, или титаната-цирконата свинца из 0,1-0,3М растворов нитратных комплексов титана, циркония или ниобия при рН=8±0,5 осаждают с помощью 5-10% раствора аммиака при температуре ниже 280 К гидроксиды титана, циркония, ниобия или смешанный гидроксид титана-циркония. Полученные гидроксиды смешивают при температуре ниже 280 К с водной суспензией оксида свинца (II), затем оставляют на 10-20 минут. После этого проводят последовательную термообработку при температуре приблизительно 370 К в течение 50-60 минут, затем в изотермических условиях 20-30 минут. Изобретение позволяет снизить температуру синтеза и повысить пьезопараметры получаемых материалов. 3 ил., 2 табл., 15 пр.
Наверх