Способ регулирования температуры лазерного диода и устройство для его осуществления

 

Изобретение относится к способам и устройствам для регулирования температуры лазерных диодов, применяемых в печатающих устройствах. Цель изобретения - повышение надежности работы лазерного диода за счет повышения точности контроля температуры и упрощение способа. Для этого после каждого импульса накачки пропускают через лазерный диод постоянный ток, величина которого меньше тока накачки, измеряют напряжение на лазерном диоде в интервале времени 200 - 300 нс после окончания импульса накачки и полученное напряжение используют для управления током накачки лазерного диода. Устройство содержит источник тока накачки 2, устройство для управления 8 температурой лазерного диода, повторитель напряжения 3, блок считывания и запоминания 4, блок оценки 5, блок задержки 6, логический блок 7, при этом вход повторителя напряжения 3 соединен с лазерным диодом, выход повторителя 3 соединен с блоком 4, который соединен с входом блока оценки 5 и выходом блока задержки 6, выход блока оценки 5 соединен с входом источника тока накачки 2 и с устройством для управления температурой лазерного диода, логический блок 7 соединен с входом блока задержки 6 и с вторым входом источника тока накачки 2. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (бР 4 Н 01 S 3/19

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТ,Ф

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4023034/24-25 (22) 19 ° 02.86 (31) 597/85 (32) 19.02.85 (33) HU (46) 15.12.89. Ьюл. Ф 46 (71) Видеотон Электроникай Валлалат (llV) (72) Тамаш Сираньи (llU) (53) 621.375.8 (088.8) (56) .Патент Англии Р 2054949, кл. Н 01 S 3/045, 1981.

Патент Англии М 1469/О, кл. Н 01 S 3/096, 1975. (54) СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ЛАЗЕРНОГО ДИОДА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ

ЕГО ОСУП1ЕСТВЛЕНИЯ (57) Изобретение относится к способам и устройствам для регулирования температуры лазерных диодов, применяемых в печатающих устройствах.

Цель изобретения — повышение надежности работы лазерного диода за счет повышения точности контроля температуры и упрощение способа. Для этого после каждого импульса накачки про„„SU „„1530104

2 пускают через лазерный диод постоянный ток, величина которого меньше тока накачки, измеряют напряжение на лазерном диоде в интервале времени

200 — 300 нс после окончания импульса накачки и полученное напряжение используют для управления током накачки лазерного диода. Устройство содержит источник 2 тока накачки, устройство 8 для управления температурой лазерного диода, повторитель

3 напряжения, блок 4 считывания и запоминания, блок 5 оценки, блок 6 задержки, логический блок 7, при этом вход повторителя 3 напряжения с.оединен с лазерным диодом, выход повторителя 3 соединен с блоком 4, KoTophBi соединен с входом блока 5 оценки и выходом блока 6 задержки, выход блг— ка 5 оценки соединен с входом источника 2 накачки и с устройством для управления температурой лазерного диода, логический блок 7 соединен с входом блока 6 задержки и с вторым входом источника 2 тока накачки.1 ил.! 5 !0104

Изобретение от»ос»тся к способам определения и регулирования температуры полупроводниковых лазерных диодов, в частности г(ри((еняемых и лазерных ксерогра(1>ических печатных устроиствах лазерных диодов типа ГаЛв Л1/Р, причем лазерный диод работает в импульсном режиме.

Цель изобретения — повышение на- !0 дежности работы лазерного диода IEv тем повышения точности контроля тем1пературы и упрощение способа

На чертеже представлена блок-схел(а устройства для регулирования темпера- 15

I туры лазерного диода.

Устройство включает лазершпй диод

1, источник 2 тока накачки, повт0ритель 3 напряжения с высоким входным сопротивлением, блок 4 считывания и запоминания, блск 5 оценки, блок 6 задержки, логический блок 7 и блок 8 управления температурой лазерного диода.

Способ осуществляют следующим образом.

При работе лазерного диода в импульсном режиме температуру лазерного диода определяют, пропуская чере> диод постоянный ток, меньший порогового, в промежутках между импульс:ами питания и измеряя напряжение на лазерном диоде. Напряжение на лазерном диоде при пропускании через него постоянного тока зависит от темперзтуры. Измерение напряжения производят через 200-300 нс после прекращения очередного »((пульса накачки, Это обеспечивает наибольшую достоверность.

Далее измеренное напряжение используют для управления током накачки ла40 зерного диода.

Устройство работает следуь>1(г(м образом.

Лазерньп(диод 1 питается от источника 2 тока. Источник 2 тока выполнен 45 в виде управляемого с точностью

+0,1 мА генератора тока.

Лазерный диод 1 соединен с »овторителем 3 напряжения с высоким входным сопротив (ением. Выход повторителя 3 напряжения соединен с блоком 4 считывания и запоминания, выход которого подключен к блоку 5 о((енки.

Выход блока 5 оце.нки соединен с управляющим входом питающего JEa epff»fft ди- 5 од 1 и< точи»ка 2 тока и с блоком Й управления. Управляющий вход блока 4 считыва(шя» залом»1(ания чере 1 блок

6 з а; (е 1> ж к» I I o J I I(JI t<» f P f i к л о г f f t P < K 0! f g блоку 7, которьп(может быть выполнен на 0< »î»å обычш;(х лог»÷p<:êèõ схем.

Другой выход лог»ческогo блока 7 соединен с вторым управляюп(им входом источника 2 тока. Входы логического блока 7 »одключеньt к другим блокам печатного устройства (не показаны).

Рабочий ток лазера в зависимости от T»fl;I Jl;liåðíoão диода сoс гавляет

50-200 мЛ. Г1ежду импульсами рабочего тока чере.> лазершпй диод пропускаетСя ПОстОяи»Ь(й тОК, ВЕЛИЧИНа КОтОрОГО ниже порогotfol.о

Г!гновенное напряжение на лазерном

J«toJ((1»одаетс.я через»овторитель

1 1(а((ря 1:ения, выполненнь(й с высоким входным со»рот»влепи fM на блок 4 с.:I(IT((Et;Ittttft и ;(110vtiftat(HEI. Вы»олненный с выс.ок»м входным со((ротивлением повторитель 3 напряжения служит для того, чтобы помешать во3дейс тв»ю блока 4 на работу лазерного диода 1.

Ус тановка момен га с>l»т ftt1tt»sl »апря>I pffifEI IM. лазс ptto f д»о;>е lpo»звод((тся с помОп(ь(а Jfol и (pc f(of о 6»о(са 7 (1p>t<>i у логl(>(p ск»м блОI,Ом 7 и блоком 4 включе.t блок 6 >адержки. Он

I(pp(l,назначен для того, >(то(и »сключить кnJ106;ItttfH напряжен»я, которые возникают при ff0ffåípниях тока при вкл(а (сн»» lf выключен»и лазерного pe>t.tfI 1(1» влияют ll;l ffçffåpåíffû(f уровень напря>ке((ия при измерении тс м»ературы при ос»овнсм токе», так»м образом, проводят к ош»г>кам »зм<.ренин.

Б р с л(я з;(д е р >t(1(tf p o (1 t Et J t >E < T ?! t t)- 3 0 0 н с °

ht(ê0ä блока 4 пс.(êJ(f»«(н к блоку 5 опенки, к(1тор(гй»р» ог(ас lf< и д.(я лазерного диода тем»сратуре г осредстg правления H <. T 0 < t l » f I(of f 2 блоком 8 управлен»я 1 elf(I<.ратурой устанавливает ток лазерного; »(н да 1

РаВНЫМ ЕГО ОСНОВ»С>МУ З»аЧЕН(па

С пол(0(>(ью пре11ла(лзел(ого способа можно ковтрол»роватl тем»ературу лазерного диода без пр»меt(f н»я температурнс го» off(ptf t еа>»ного з.((емента.

Кроме того, при;Io<"п(жешш опасной по воздейс:твию на ла: ерный диод температуры, упр7FI:(ял 1>с>(;»л(ол(.(азера, его можно вык(1(1 (» гь t Jlo уро. »я ос:—

IE09t(0I 0 то ;.3,> . (с(а гo, lаря атому лаЗЕРНЫй ДИО,I, аа;И .еи 01»Е(>ЕГРЕВа И такжс. От и(! »1 пас ll lf.! 1>(if> f ((I if çë, ажелия ла пера пр» егo (»> с;>; .;t;t (11»».

Составитель 10.Маслобоев

Техреду.Сердюкова Корректор M.Пожо

Редактор А.Огар

Заказ 7767/59 Тираж 616 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101

5 153()1

Ф о р м у л а и з о б р е т е и и я

1. Способ регулирования температуры лазерного диода, включающий подачу тока накачки на лазерный диод

5 и управление током накачки, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности работы лазерного диода за счет повышения точности конт † роля температуры и упрощения способа, подают на лазерный диод импульсы тока накачки, после каждого импульса тока накачки через лазерный диод пропускают постоянный ток, величина которого меньше порогового тока накачки, измеряют напряжение на лазерном диоде предпочтительно в интервале времени 200-300 нс после окончания импульса накачки и полученным напряжением 20 управляют током накачки лазерного диода.

2. Устройство для регулирования температуры лазерного диода, содержащее источник тока накачки, блок 25 обратной связи, включающий устройство для управления температурой лазерногодиода,отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы лазерного диода за счет повышения точности контроля температуры и упрощения способа, в блок обратной связи введены повторитель напряжения с высоким входным сопротив лением, блок считывания и запоминания, блок оценки, блок задержки, логический блок, причем вход повторителя напряжения соединен с лазерным диодом, выход повторителя соединен с блоком считывания и запоминания, который соединен с входом блока оценки и с выходом блока задержки, выход блока оценки соединен с входом источника тока накачки и с устройством для управления температурой лазерного диода, логический блок соединен с входом блока задержки и вторым входом источника тока накачки.

3. Устройство по п. 2, о т л ич а ю щ е е с я тем, что источник тока накачки выполнен в виде управляемого с точностью 10,1 мА генератора тока.

Способ регулирования температуры лазерного диода и устройство для его осуществления Способ регулирования температуры лазерного диода и устройство для его осуществления Способ регулирования температуры лазерного диода и устройство для его осуществления 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам част отной модуляции излучения и может быть использовано в системах оптической связи

Изобретение относится к области устройств со стимулированным излучением , конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах

Изобретение относится к измерительной технике и цифровой технике световодной связи.-Целью изобретения является повышение частоты следования импульсов, а также упрощение генератора и повьшение стабильности оптического сигнала

Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом и электронным пучком

Изобретение относится к области конструирования и применения полупроводниковых лазеров, в частности разработки излучателей на основе лазерных диодов, для сборки матриц лазерных диодов, используемых в качестве источника накачки мощных твердотельных лазеров

Изобретение относится к области конструирования и применения полупроводниковых лазеров, в частности разработки излучателей на основе лазерных диодов, для сборки матриц лазерных диодов, используемых в качестве источника накачки мощных твердотельных лазеров

Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком

Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком
Наверх