Способ управления характеристиками магнитостатических волн
Изобретение относится к управляемым устройствам СВЧ, использующим взаимодействие магнитостатических волн (МСВ) с носителями электрического заряда. Цель изобретения - повышение эффективности управления характеристиками МСВ (дисперсией, затуханием). Способ управления заключается в том, что в области распространения МСВ формируется поток носителей электрического заряда, например в полупроводниковой структуре, введенной в указанную область, причем направление распространения носителей устанавливают перпендикулярно направлению распространения МСВ.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 Н 02 P 2/20
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ Р
ПРИ ГКНТ СССР (:) слниа иаоьгктения "", ", Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
1 (2 1) 4286 726! 24-09 (22) 20 ° 07.87 (46) 23,01.90. Бюл . 21 3 (71) Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете (72) С.А.Букесов, В,И.Прокушкин и Ю.П.Шараевский (53) 621,372.029,64(088.8) (56) Вашковский А.В. и др. Свойства слоистых структур "феррит — полупроводник" и их применение на СВЧ. — "Обзоры по электронной технике", сер.2
"Электроника СВЧ", вып, 6 (620),2979, Вапнэ Г.М. СВЧ-устройства на магнитостатических волнах. — "Обзоры по электронной технике", сер. 1
"Электроника СВЧ", вып. 8 (1060), 1984.
Изобретение относится к области управляемых устройств СВЧ, использующих взаимодействие ма гнитостатических волн (MCB) с носителями электрического заряда, Цель изобретения — повышение эффективности упр авл ения характеристиками магнитостатической волны (дисперсией, затуханием), Способ управления заключается в том, что в области распространения магнитостатической волны формируется поток носителей электрического заряда, например, в полупроводниковой структуре, введенной в указанную область, причем направление распространения носителей устанавливают перпен,.SU„„) 538283 А1
2 . (54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ МАГЯИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛН (57) Изобретение относится к управляемым устройствам СВЧ, использующим взаимодействие магнитостатических волн (МСВ) с носителями электрического заряда. Цель изобретения — повышение эффективности управления характеристиками MCB (дисперсией, затуханиемм) . Способ управления заключается в том, что в области распространения
МСВ формируется поток носителей электрического заряда, например в полупроводниковой структуре, введенной в указанную область, причем направление распространения носителей устанавливают перпендикулярно направлению распространения МСВ, дикулярно направлению распространения
МСВ.
Ф о р м у л а изобретения
Способ управления характеристиками магнитостатических волн, заключающийся в формировании потока носителей электрического заряда в области распространения магнитостатической волны, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью увеличения эффективности управления, направление распространения носителей заряда устанавли.вают перпендикулярным направлению распространения магнитостатической волны.