Способ изготовления подложек для гибридных микросхем

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве гибридных микросборок на металлических подложках. Цель изобретения - повышение качества подложек с покрытием из ситаллоцемента. Это достигается путем улучшения равномерности покрытия по толщине и снижения его дефектности с помощью термообработки гранулята стекла. Термообработку проводят при температуре, равной 0,97-1,03 температуры размягчения стекла, в течение 30-45 мин перед его измельчением в стеклопорошок. Это приводит к увеличению относительной плотности осадка и электрофоретического выхода, а также к улучшению растекаемости ситаллоцемента при формировании покрытия методом электрофореза с последующей термообработкой. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве гибридных микросхем на металлических подложках. Цель изобретения - повышение качества подложек с покрытием из ситаллоцемента за счет улучшения равномерности покрытия по толщине и снижение его дефектности, достигаемое в результате выполнения термообработки гранулята стекла перед его измельчением в стеклопорошок, приводящей к увеличению относительной плотности осадка и электрофоретического выхода, а также улучшению растекаемости ситаллоцемента при формировании покрытия методом электрофореза с последующей термообработкой. Предварительную термообработку гранулята стекла проводят при температуре, равной 0,97-1,03 температуры размягчения стекла в течение 30-45 мин. Термообработка при температурах менее 0,97 температуры размягчения стекла практически не влияет на электрофоретические параметры (относительную плотность осадка и его электрофоретический выход) и растекаемость ситаллоцемента в процессе формирования покрытия. Термообработка при температурах выше 1,03 температуры размягчения стекла ухудшает растекаемость ситаллоцемента и соответственно равномерность покрытия по толщине. Термообработка гранулята стекла менее 30 мин не дает значительных результатов, а увеличение времени термообработки более 45 мин нецелесообразно, так как положительный эффекта практически не изменяется. П р и м е р. Гранулят стекла марки СЭ-1 обрабатывают при 620, 630, 660, 670 и 690оС в течение 15, 30 и 45 мин. После термообработки материал измельчают на планетарной мельнице в халцедоновом барабане до удельной поверхности 400-500 м2/кг. Затем из полученных стеклопорошков и изобутанола готовят суспензии с концентрацией порошка 0,1 г/см3. Из суспензии методом электрофореза на предварительно подготовленную металлическую подложку с отверстиями наносят порошковое покрытие. Напряженность электрического поля при электрофорезе составляет 600 В/см, время нанесения 1 мин. Процессы сушки и термообработки порошкового слоя совмещают и проводят в электрической конвейерной печи по следующему режиму: нагрев до 800оС со скоростью 10-40оС/мин; выдержка при 800оС в течение 15 мин; охлаждение со скоростью 20-40оC/мин. Качество покрытия (равномерность по толщине, наличие пор и других дефектов) определяют визуально под микроскопом. Растекаемость диэлектрика измеряют в относительных единицах по изменению формы цилиндрических таблеток (диаметром = 10 мм, высотой = 10 мм) после их термообработки по указанному режиму. Предлагаемый способ поясняется таблицей.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий получение стеклопорошка путем измельчения гранулята стекла, нанесение на металлическую подложку слоя стеклопорошка методом электрофореза из суспензии, содержащей стеклопорошок и алифатический спирт, формирование покрытия из ситаллоцемента путем термообработки слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложек за счет улучшения равномерности покрытия по толщине и снижения его дефектности, перед измельчением гранулят стекла подвергают термообработке в течение 30 - 45 мин при температуре, равной 0,97 - 1,03 температуры размягчения стекла.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 27.03.1996

Номер и год публикации бюллетеня: 17-2001

Извещение опубликовано: 20.06.2001        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронной и электротехнической промышленности

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления гибридных интегральных микросхем (ГИМС)

Изобретение может использоваться при конструировании и изготовлении многослойных печатных плат, предназначенных для сверхплотной разводки поверхностно-монтируемых электронных компонентов, в том числе и с матричным расположением выводов с шагом менее 0,8 мм (в том числе и в корпусах типа BGA, CGA). Технический результат - обеспечение надежного электрического соединения в случае многослойной печатной платы сверхплотного монтажа с помощью формирования переходов на нижележащие слои непосредственно из монтажных контактных площадок, где надежность обеспечивается переходными металлизированными отверстиями, заполненными материалом препрега с подходящим коэффициентом теплого расширения, а также уменьшение массогабаритных характеристик, повышение плотности разводки и снижение трудоемкости при формировании электрических межсоединений для создания высокоинтегрированной радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники. 2 ил.
Наверх