Способ считывания информации в накопителях памяти на вертикальных блоховских линиях

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях /ВБЛ/. Целью изобретения является упрощение и повышение надежности считывания информации. Для этого продвигают верхушки полосовых доменов /ПД/ под действием локально изменяющегося магнитного поля, преобразуют ВБЛ, содержащиеся в верхушках ПД, в изолированные цилиндрические магнитные домены /ЦМД/, переводят последние в регистр вывода и считывают их. При этом перевод ВБЛ в ЦМД в регистре вывода осуществляют путем предварительного зарождения ЦМД и перевода соответствующих ЦМД в регистр вывода посредством магнитостатического взаимодействия с верхушками движущихся ПД, содержащих ВБЛ. 3 ил.

СОЮЗ CGBETCHHX

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

09) (П) (51)5 G 11 С 1.1/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГГИНМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4409490/24-24 (22) 13.04.88 (46) 15.03.90. Бюл. № 10 (72) С.Е.Юрченко, В.Д.Ходжаей, И.П.Иерусалимов и О,Н,Мельников (53) 681.327.66(088.8) (56) Заявка ФРГ №- 3542279, кл. G 11 С 19/08, опублик. 1986, Патент США 4583200, кл. 365-29, опублик. 1986. (54) СПОСОБ СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В

НАКОПИТЕЛЯХ ПАМЯТИ НА ВЕРТИКАЛЬНЫХ

БЛОХОВСКИЙ ЛИНИЯХ. (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь-. зовано при построении запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ).

Целью изобретения является упрощение и повышение надежности считывания информации.

На фиг. 1-3 схематически показан процесс считывания информации в устройстве, реализующем предлагаемый способ.

В соответствии с предлагаемым способом считывание информации в накопителях памяти на ВБЛ осуществляют следующим образом.

Продвигают верхушки полосовых доменов (ПД) под действием локально

1 2 устройств на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ), Целью изобретения является упрощение и повышение надежности считывания информации. Для этого продвигают верхушки полосовых доменов (Д) под действием локально .изменяющегося магнитного поля, преобразуют ВБЛ, содержащиеся в верхушках

ПД, в изолированные цилиндрические магнитные домены (ЦМД),, переводят последние в регистр вывода и считывают их. При этом перевод ВБЛ в ЦМД в регистре вывода осуществляют путем предварительного зарождения ЦМД и перевода соответствующих ЦМД в регистр вывода посредством магнитостатического взаимодействия с верхушками движущихся ПД, содержащих ВБЛ. 3 ил. изменяющегося магнитного поля, преоьразуют ВБЛ, содержащиеся в верхушках

ПД, в изолированные цилиндрические магнитные домены (1ЩД), переводят последние в регистр вывода и считывают их, причем перевод ВБЛ в ЦМД в регистре вывода осуществляют путем предварительного зарождения ЦЩ и перевода соответствующих ЦМД в ре-. гистр вывода посредством магнитостатического взаимодеиствия с верхушками движущихся ПД, содержащих ВБЛ.

В устройстве, реализующем предла,гаемый способ, вблизи верхушек 1 ПД, представляющих собой группу замкну:тых накопительных регистров, по которым движутся ВБЛ, расположена груп.па двухслойных проводников 2 для

1550583

1 обеспечения локального изменения поля ,смещения, необходимого для движения ! верхушек 3 ПД. Проводник 4 служит для зарождения 1131@ 5, меандрообразные двухслойные проводники 6 — для вывода ЦМД и их последующего считывания.

При необходимости считать информацию из ПД 1 в проводник 4 подается импульс тока, обеспечивающий зарождение ЦМД 5 в определенных местах на1 против соответствующих ПД (фиг. 1) . Затем, подавая сдвинутые по фазе импульсы тока в группу проводников 2, вызывают движение верхушек ПД 3 (фиг. 2). Верхушки ПД, содержащих

t ВБЛ движутся прямолинейно и прибУ лнжаясь к ЦМД 5, выталкивают их в канал 6 вывода. Верхушка ПЛ без ВБЛ, отклоняется в сторону, оставляя 2п

,ЦМД (средний) на исходном месте. После окончания импульсов тока в проводниках 2 верхушки ЦЦ 3 возвращаются в исходное положение (фиг. 3).

Подавая сдвинутые по фазе импульсы тока в проводники 6, обеспечивают вывод последовательности ЦМД, соответствующей считанной страницы информации„ из накопительного массива и ее считывание. После возвращения системы ПД в исходное состояние в проводник 4 подается импульс обратной полярности, выэывавщий коллапс

I оставшихся ЦМД (среднего) . После этого снова подают импульс тока исходной полярности, зарождающий систему ЦМД 5 и обеспечивающий готовность к последующему считыванию. формула и э о б р е т е н и я

Способ считывания информации в накопителях памяти на вертикальных блоховских линиях, основанный на продвижении верхушек полосовых доменов под действием локально изменяющегося магнитного поля, преобразовании вертикальных блоховских линий, содержащихся в верхушках полосовых доменов, в изолированные цилиндрические магнитные домены и переводе последних в регистр вывода с их последующим считыванием, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения надежности считывания информации, преобразование вертикальных блоховских линий в изолированные цилиндрические магнитные домены осуществляют путем предварительного зарождения цилиндрических магнитных доменов и перевода соответствующих цилиндрических магнитных доменов в регистр вывода посредством магнитостатического взаимодействия с верхушками движущихся полосовых доменов.

1550583

Составитель Ю.Розенталь

Редактор Е.Копча Техред М.Ходанич Корректор Э.Лончакова

Заказ 277 Тираж 487 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета ио изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент, r. Ужгород, ул. Гагарина, !! t!

Г и на 101

Способ считывания информации в накопителях памяти на вертикальных блоховских линиях Способ считывания информации в накопителях памяти на вертикальных блоховских линиях Способ считывания информации в накопителях памяти на вертикальных блоховских линиях 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для ассоциативного поиска информации в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к области вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении магнитных интегральных схем с носителями информации в виде вертикальных блоховских линий

Изобретение относится к вычислительной технике и оптоэлектронике и может быть использовано в быстродействующих магнитооптических транспарантах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле параметров материалов для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств хранения информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх