Входное устройство схемы сравнения токов

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в аналого-цифровых преобразователях и цифровых измерительных приборах. Цель изобретения - повышение быстродействия. Введение в устройство резисторов 29 и 31, конденсаторов 28, 30, и транзисторов 27, 32 обеспечивает защиту от перегрузок входного каскада, чему способствует снижение сопротивления базовых цепей транзисторов 5, 6, 12, 7, и повышает быстродействие. Устройство содержит также входную шину 1, резисторы 2, 11, 20, два встречно включенных диода 3, 4, транзисторы 8, 9, шину 10 нулевого потенциала, транзисторы 13 - 15, 17 - 19, 21 - 23, 25, шину 16 положительного напряжения, шину 24 отрицательного напряжения и выходную шину 26. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4398936/24-2) (22) 28.03.88 (46) 30,03.90. Бюл. У 1 2 (71) Специальное конструкторское технологическое бюро Модуль Винницкого политехнического института и Винницкий политехнический институт (72) А,Д; Азаров, В.Я. Стейскал, I0.Y. Степайко и А.П.Голубев (53) 621.318(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

11 - 1455387, кл. Н 03 К 5/24.

„„Я0„„15541 (51)5 H 03 К 5 24 G 05 В 1/01

2 (54) ВХОДНОЕ УСТРОЙСТВО СХЕМЫ СРААНЕ-

НИЯ ТОКОВ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в аналого-цифровых преобразователях и цифровых измерительных приборах.

Цель изобретения — повьппение быстродействия ° Введение в устройство резисторов 29 и 31 первого и конденсаторов 28, 30, и транзисторов 27, 32 обеспечивает защиту от перегрузок

1 5541 28 входной каскад, чему способствует снижение сопротивления базовых цепей транзисторов 5, 6, 12, 7, что и обес" печивает повьппение быстродействия.

Устройство-содержит также входную шину 1 резисторы 2, 11, 20, два встречИзобретение-относится к импульсной технике и может быть использовано в аналого-цифровых преобразователях и в цифровых измерительных приборах.

Цель изобретения — повьппение быстродействия путем снижения сопротивления базовых цепей входных транзисторов и повышения йерегрузочной способности входного каскада.

На чертеже представлена принципиальная схема входного устройства схемы сравнения токов..

Входное устройство схемы сравнения токов сбдержит входную шину 1, к которой подключены первые выводы пер-. вого резистора 2 и двух встречно включенных диодов 3 и 4, эмиттер первого транзистора 5, эмиттер второго транзистора 6, база. которого соединена с базой третьего транзистора 7, коллектор которого соединен с базой четвертого транзистора 8, I эмиттер которого соединен с коллектором пятого транзистора 9, а коллектор — с шиной 1 0 нулевого потенциала, первым выводом второго резистора 13 с эмиттером третьего 7 и шестого 1 2 транзисторов и с коллектором седьмого транзистора 13, эмиттер которого соединен с коллектором восьмого транзистора 14, а база — с коллектором шестого транзистора 12, база которого соединена с базой, первого транзистора 5, коллектор ко- 45 торого соединен с базой девятого транзистора 1 5, эмиттер которого соединен с шиной 16 положительного напряжения, с эмиттером десятого транзистора 17 и эмиттером восьмого транзистора 14. База последнего соединена с коллектором и базой десятого транзистора 17 и эмиттером одиннадцатого транзистора 18, коллектор и база которого соединены между собой, с базой двенадцатого транзисто- °

55 ра 19 и первым выводом третьего резистора 20, второй вывод которого .соединен с базой тринадцатого транно включенных диода 3, 4, транзисторы 8, 9, шину 10 нулевого потенциала, транзисторы 13-15,.17-19, 21-23, 25, шину 16 положительного напряжения, шину 24 отрицательного напряжения, и выходную шину 26. 1 ил. зистора 21, ° коллектором и базой четырнадцатого транзистора 22. Эмиттер последйего соединен с коллектором и базой пятнадцатого транзистора 23, базой пятого транзистора 9. Эмиттер последнего соединен с шиной 24 отрицательного напряжения, с эмиттером пятнадцатого транзистора 23 и эмиттером шестнадцатого транзистора 25, база которого соединена с коллектором второго транзистора 6, а коллектор — с эмиттером тринадцатого транзистора 21 . Коллектор. последнего соединен с выходной шиной 26, вторыми выводами .двух. встречно включенных диодов 3 и 4, первого 2 и второго

11 резисторов и коллектором двенадцатого транзистора 19. Эмиттер последнего соединен с коллектором девятого транзистора 15. Коллектор восемнадцатого транзистора 27 соединен с ши- . ной 16 положительного напряжения, база — с коллектором шестого транзистора 12 и первым выводом первого конденсатора 28, а эмиттер — с базой первого транзистора 5 и первым вы- . водом четвертого резистора 29. Второй вывод резистора 29 соединен с шиной 10 нулевого потенциала, вторыми выводами первого 28 и второго 30 конденсаторов и первым выводом пятого резистора 31, второй вывод. которого соединен с базой второго транзистора 6 и эмиттером семнадцатого транзистора 32. База последнего соединена с коллектором третьего транзистора

7 и первым выводом второго конденсатора 30, а коллектор — с шиной 24 отрицательного напряжения.

Входное устройство схемы сравнения токов, состоит из каскада смещения, задающего токи покоя всей схемы и реализованного на резисторе 20, на двух отражателях тока,(транзисторы 17 и 74) и (транзисторы 23и 9); входного каскада, содержащего эмиттерные повторители на транзисторах

1 5541

27 и 32, повышающих нагруэочную способность датчиков токов на транзисторах 12 и 7, которые задают ток покоя входных транзисторов 5 и 6, включенных по схеме с общей базой, каскада усиления тока, состоящего из транзисторов 15 и 25, включенных по схеме с общим эмиттером, выходного каскада на транзисторах 19 и 21, вклю- 10 ченных по схеме с общей базой.

Входное устройство работает следующим образом.

При включении питания через резистор 20 смещения и транзисторы 17, 18, 22, 23, включенных в диодном режиме, протекает ток смещения (Гс„ )» равный

U nqr+ П- пит - Пбэ17 18 22 2

В.20

f где Б+аит»

U „ — напряжения питания положительного и отрицательного 25 источника питания соответственно;

TUB>1 7, 1 8, 22,23 — сумма напряжений U g тран- . зисторов 17, 18, 22, 23; 30

R20 — значение резистора 20.

С целью минимизации аддитивной погрешности предлагаемое устройство необходимо реализовать на парах транзисторов, выполненных в интегральном исполнении. Это позволяет коэффициент отражения токовых зеркал на транзисторах 14, 17, 9, 23, 5, 1 2 и 6,7 практически сделать равным единице.

По этой же причине транзисторы 13 и

15, 8 и 25 также должны быть с идентичными параметрами. Следовательно, через транзисторы 14 и 9, являющиеся источником и тоководом тока соответственно, протекает ток, также равный

? . Этот же ток протекает через транзисторы 13 и 8, включенные по схеме с общей базой, Базовый ток этих транзисторов в р раз меньше I,протекает через транзисторы 27, 12, 7, 50

32. Транзисторы 12 и 7 являются датчиками токовых зеркал на транзисторах 1 2, 5 и 7,6 соответственно. Следовательно, через входной каскад.на транзисторах 5 и 6 протекает ток, равный T ) р, который в свою очередь является базовым током транзисторов 15.и 25. Учитывая, что эти транзисторы являются вторыми транзистоrpe 4<» о(<>» 6» 1 коэффициенты усиления по току схем с общей базой соответствующих транзисторов . Они практически равны между собой и близки к единице, коэффициенты усиления по току схем с общим эмиттером на соответствующих транзисторах, P — среднее арифметическое значение коэффициентов

Рр-и-р и и-р-и транзисторов .

Дополнительно введены транзисторы

27 и 32, предназначенные для уменьшения времени восстановления устройства после перегрузки по входу токовыми импульсами, превышающими 0,5-0,7 мА.

Это позволяет не только уменьшить сопротивления базовых цепей входных транзисторов, но и эффективно отрабатывать импульсные изменения базовых токов транзисторов 5 и 6 без перегрузки транзисторов 12 и 7. Для дополнительной стабилизации в этом случае потенциалов баэ транзисторов 27 и 32 служат конденсаторы 28 и 30, емкость которых определяется величиной времени проникновения входного тока в базу.

Ъ

Таким образом видно, что применение указанных мер защиты от перегрузок входного каскада улучшает динамические: характеристики предлагаемой схемы устройства.

28 6 рами интегральных пар, первыми транзисторами которых являются транзисторы 13 и 8 соответственно, через них протекает ток практически равный ? <> . Этот же ток протекает и через выходной каскад на транзисторах 19 и 21. Ток через дополнительно введенные транзисторы 27 и 32 апре деляется напряжением Ug транзисто,ров 12 и 7 и значением соответствую, щих резисторов 29 и 31.

Работа предлагаемого устройства при входных импульсных токах менее

0,5 мА цолностью аналогична прототипу.

При этом коэффициент усиления по току K с разомкнутой петлей обратИ нои связи равен 5 РIg 19+ <- б 9 25 М

К

Рср» зу

1554128

Составитель Н. Маркин

Редактор С. Лисина Техред Л.Сердюкова Корректор А.Обручар

Заказ 465 Тираж 665 Подписное

РчИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб;, д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

Формула изобретения

Входное устройство схемы сравнения токов, содержащее три резистора, два встречно включенных диода, шестнадцать транзисторов, шину нулевого потенциала, шину положительного питания, шину отрицательного питания, выходную шину, входную шину, к ко1орой подключены первые выводы первого резистора и двух встречно включенных диодов, эмиттер первого транзистора и эмиттер второго транзистора, база которого соединена с базой третьего транзистора, коллектор которого соединен с базой четверто.го транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором пя.того транзистора, а коллектор — с шиной нулевого потенциала, первым выводом второго резистора, эмиттером третьего транзистора, эмиттером шестого

1ранзистора и с коллектором седьмого транзистора, эмиттер которого соедиЙен с коллектором восьмого транзистора, а база — с коллектором шестого транзистора, база которого соединена с базой первого транзистора, коллектор которого соединен с базой девятого транзистора, змиттер которого соединен с шиной положительного натяжения, с эмиттером десятого транзистора и эмиттером восьмого транзистора, база которого соединена с кол- ! лектором и базой десятого транзистоQB H BMHTTBpoM одиннадцатого транj истора, коллектор и база которого

Соединены между собой, с базой двенадцатого транзистора и первым выводом третьего резистора, второй вывод которого соединен с базой тринадцатого транзистора, коллектором и базой четырнадцатого транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором и базой пятнадцатого транзистора, базой пятого транзистора, эмиттер

5 которого соединен с шиной отрицательного напряжения, с эмиттером пятнадцатого транзистора и эмиттером шестнадцатого транзистора, база которого соединена с коллектором второго транзистора, а коллектор — с эмиттером тринадцатого транзистора, коллектор которого соединен-с выходной шиной, вторыми выводами двух встречно включенных диодов, первого и второго резисторов и коллектором двенадцатого транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором девятого транзистора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены четвертый и пятый резисторы, первый и второй конденсаторы, семнадцатый транзистор, восемнадцатый транзистор, кол25 лектор которого соединен с шиной положительного напряжения, база— с коллектором шестого транзистора и первым выводом первого конденсатора, а змиттер — c базой первого транзистора и первым выводом четвертого резйстора, второй вывод которого соединен с шиной нулевого потенциала, вторыми выводами первого и второго конденсаторов и первым выводом пятого резистора, второй вывод которого соединен с базой второго транзистора и эмиттером семнадцатого транзистора, база которого соединена с коллектором третьего

40 TpBHBHcTopB H Лервым выводом второго конденсатора, а коллектор — с шиной отрицательного напряжения.