Способ модуляции емкости @ - @ -перехода в параметрических устройствах


H01L29 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

 

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - обеспечение возможности модуляции емкости N-P-перехода электрическим полем меньшей частоты при неизменной частоте параметрического сигнала. Данный способ модуляции емкости N-P-перехода в параметрических устройствах основан на воздействии переменного электрического поля на N-P-переход. Цель достигается тем, что на базовую область с частотой, равной частоте параметрического сигнала, воздействуют электрическим полем, направленным параллельно плоскости N-P-перехода. Дана ил. устройства, реализующего данный способ. 2 ил.

СОЮЗ СОЕЕтСНИК

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (191 SU (I I I 1 5

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИД=ТЕЛЬСТВУ с

h JN

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ пРи Гннт сссР (21) 4242568/24-09 (22) 15,05.87 (46) 07.04.90. Бюл. Р 13 (71) Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе AH СССР и Научно-производственное объединение космических исследований AH АЗССР (72) А,И. Вейнгер, А.Ш. Мехтиев, А.Л. Пойманов и Э.А. Акопян (53) 621.376.32.621.396.662.1 (088.8) (56) Патент США Р 2879482, кл. 332-52, 24.03 ° 59.

Эткин В.С., Гершензон Е,М. Параметрические системы СВЧ на полупроводниковых диодах. — M, Связь, 1964, с. 69.

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в технике радиосвязи, в радиоизмерительной технике, напрцмер, для параметрического усиления или параметрической генерации колебаний.

Целью изобретения является обеспечение воэможности модуляции емкости и-р-перехода электрическим полем меньшей частоты при неизменной частоте параметрического сигнала.

На фиг. 1 приведена электрическая принципиальная схема измерительного устройства, предназначенного для измерения емкости п-р-перехода; на фиг. 2 — диаграммы, изображающие характер изменения емкости и-р-перехо(51)5 Н 03 С 3/22, H 01 L 29/00 (54) СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ЕМКОСТИ п-рПЕРЕХОДА В ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ (57) Изобретение относится к радио.технике. Цель изобретения — обеспечение возможности модуляции емкости п-р-перехода электрическим полем меньшей частоты при неизменной час1 тоте параметрического сигнала. Дан,ный способ модуляции емкости и-р-перехода в параметрических устр-вах основан на воздействии переменного электрического поля на п-р-переход.

Цель достигается тем, что на базовую область с частотой, равной частоте параметрического сигнала, воздействуют электрическим полем, направлен— ным параллельно плоскости п-р-перехода. Дана ил. устр-ва, реализующего данный способ. 2 ил. да.при воздействии на него постоянного и синусоидального напряжений.

Измерительное устройство (фиг. 1) содержит первый 1 и второй 2 источники напряжения, первый 3 и второй 4 вольтметры, переключатель 5, потенци:ометр 6, выключатель 7, измерительный мост 8, резистор 9 и конденсатор 10.

Базовая и-область 11 п-р-перехода 12 имеет торцевые электроды 13 и 14 и электрод 15. р-область 16 и-р-перехода 12 имеет электрод 17.

На фиг. 2 показаны вольтфарадные характеристики п-р-перехода при ра1555307 эомкнутом (а) и замкнутом (б) состояниях выключателя 7 и соответствую щие им временные диаграммы, показывающие характер изменения емкости и-р-перехода (в и г соответственно), при воздействии на него синусоидального напряжения (д).

Сущность способа модуляции емкости и-р-перехода в параметрических устройствах заключается в следующем.

В случае, когда управляющее напряжение приложено к торцевым электродам

13 и 14 и-р-перехода 12, на его базовую область воздействует электрическое поле, которое направлено параллельно базовой области п-р-перехода, Распределение потенциалов в области с противоположным типом проводимости не зависит от направления электрического поля, воздействующего на базовую область и-р-перехода параллельно ей. Поэтому величина емкости п-р-перехода при изменении направления электрического поля на противоположное не изменяется, а следовательно, вольтфарадная характеристика и-р-перехода становится симметричной. При этом за один цикл изменения управляющего напряжения, приложенного к торцевым электродам п-р-перехода, в пределах-полного раствора вольтфарадной характеристики емкость перехода изменяется в установленных пределах дважды (фиг. 2а). Если, например, управляющее напряжение имеет синусоидальную форму, то за один период управляющего напряжения формируются два

7 3 периода изменения емкости и-р-перехода 12 (фиг. 2а, в, д).

В параметрических устройствах. (усилителях, генераторах) п-р-переход может быть использован как управляемый напряжением конденсатор колебагельного контура этих устройств, в . котором и-р-переход включается с помощью электродов 15 и 17 а к торцевым электродам 13 и 14 подключается источник напряжения накачки. В этом случае при частоте колебаний источника напряжения накачки, равной частоте параметрических колебаний в колебательном контуре, частота изменения емкости и-р-перехода 12 в два раза превышает частоту параметрических колебаний. Таким образом может быть обеспечено функционирование парамет» рических устройств при снижении в два раза частоты колебаний источника напряжения накачки.

Формула и з о б р е т е н и я

21 Способ модуляции емкости и-р-перехода в параметрических устройствах путем воздействия на п-р-переход переменным электрическим полем, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью обеспечения возможности модуляции емкости и-р-перехода электрическим полем меньшей частоты при неизменной частоте параметрического сигнала, воздействуют электрическим по35 лем, направленным параллельно плоскости п-р-перехода, на базовую область с частотой, равной частоте параметрического сигнала.

1555807

Составитель Н. Павлов

Техред М.Дидык

Корректор Н. Ревская

Редактор И. 1 1макова

Подписное

Тираж 661

Заказ 560

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Способ модуляции емкости @ - @ -перехода в параметрических устройствах Способ модуляции емкости @ - @ -перехода в параметрических устройствах Способ модуляции емкости @ - @ -перехода в параметрических устройствах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при обработке малых управляющих электрических сигналов в качестве усилительного или ключевого элемента

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к интегральным тензопреобразователям

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к конструкциям тензодатчиков

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при конструировании преобразователей механических величин

Изобретение относится к полевым транзисторам, предназначенным для работы в диапазоне сверхвысоких частот и применяемым в усилителях, генераторах и сверхбыстродействующих переключательных схемах

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в качестве более эффективного способа управления полупроводниковыми приборами, например тиристорами

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к интегральным первичным преобразователям механических величин

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом

Варактор // 2102819
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к варакторам (варикапам) полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к приборам с барьером Шоттки (БШ) на фосфиде индия (InP)

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров
Наверх