Корпус интегральной микросхемы

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхем (ИМС). Цель изобретения - повышение надежности. Корпус ИМС содержит диэлектрическое основание, на котором установлен одной своей торцовой стороной металлический ободок, жестко связанный с ним сваркой, а также крышку, расположенную на противоположной торцовой стороне ободка. Новым является то, что ободок устанавливается с образованием с внешней стороны сварочного шва зазора. Зазор выполнен по всему периметру между обращенными одна к другой поверхностями диэлектрического основания и соответствующей торцовой стороны ободка. Минимальная ширина зазора составляет 0,02-0,1 мм, а минимальная глубина - 0,55-0,6 мм. Наличие воздушного зазора под ободком позволяет отнести зону сильного термического влияния процесса сварки от металлокерамического спая и диэлектрического основания, что предохраняет конструкцию корпуса от появления трещин. 3 ил.

союз ссветсних

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСГВБЛИН

09) (И) (51}5 Н 01 Т. 23/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНР ЫТИЯМ

APH ГКНТ СССР

1 (21} 4326113/24-21 (22) 23.09.87 (46) 23.04,90. Бюл. 0 15 (71) Марийский политехнический институт им, А.И. Горького (72) С.Г, Иаланкин (53) 621.382(088.8} (56} Гельман А.С. Технология контактной сварки. -И.-Л.: Машиностроение, 1946> с. 219.

Ляшок А.П., Берзина А.И., 8яхирева В.И. Технологичность конструкций корпусов полупроводниковых приборов и интегральных- микросхем применитель" но к процессу герметизации сваркой и пайкой. - Обзоры по электронной технике. - И., 1981, сер. 7 вып. 11, с. 54. (54) КОРЙУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ (57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхем (ИИС). Цель изобретения - повышение

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и изготовлении корпусов интегральных микросхем.

Цель изобретения - повышение надежности.

На фиг.. 1-3 представлены варианты, выполнения корпуса с зазором по периметру ободка.

Корпус интегральной микросхемы содержит диэлектрическое основание выполненное, например, из керамики

2 надежности. Корпус ИМС содержит диэлектрическое основание, на котором установлен одной своей торцовой стороной металлический ободок, жестко связанный с ним сваркой, а также крышку, расположенную на противоположной торцовой стороне ободка. Новым является то, что ободок устанав" ливается с образованием с внешней стороны сварочного шва зазора. Зазор выполнен по всему периметру между обращенными одна к другой поверхностями диэлектрического основания и сооТ ветствующей торцовой стороны ободка.

Минимальная ширина зазора составляет 0,02-0,1 мм, а минимальная глубина

0,55-0,6 мм. Наличие воздушно о зазора под ободком позволяет отнести зону сильного термического влияния процесса сварки от металлокерамичес- ( кого спая и диэлектрического основания, что предохраняет конструкцию Д корпуса от появления трещин. 3 ил, 1 табл.

Фж

ВК-91, с припаянным к металлокерамическому спаю 2 с образованием герметичного шва металлическим ободком 3 из материала 29НК или 42Н и крышку

4 из того же материала. Между ободком 3 и основанием 1 по всему периметру ободка со стороны внешней боковой поверхности имеется зазор 5.

Кристалл 6 с микросхемой расположен на диэлектрическом основании 1 корпуса и соединен с выводами 7 проволочными перемычками 8 °

1559383

Величина воздушного зазора для материала ободка, мм св >с

42 Н

29 НК

5 10

3 х10

0,60

0,38

0 55

Оу 29

Корпус используется следующим обра зом, При выполнении в ободке корпуса зазора по его внешнему периметру гер" метизацию производят "âàркой крышки к ободку корпуса. При этом возникает температурное поле, распространению которого препятствует зазор,, В таблице приведены значения величин зазо- >0 ра в зависимости от материала ободка и длительности сварочного импульса (,g).

Наличие воздушного зазора под ободком позволяет отнести зону силь5 ного термического влияния процесса сварки от металлокерамического спая и диэлектрического основания, что предохраняет конструкцию корпуса от поя влени я трещин, пос кол ь ку величина зазора определяется из глубины проникновения максимальных температур при сварке.

Конструкция корпуса позволяет за счет снижения термического воздействия процесса герметизации шовной контактной сваркой на спай металлкерамика и диэлектрическое основание корпуса повысить выход годных интегральных микросхем по операции герметизации и повысить надежность их работы при эксплуатации за счет сохранения герметичности корпуса.

Формула и зобретения

Корпус интегральной микросхемы, содержащий диэлектрическое основание, установленный на основании одной торцовой стороной ободок из металла, который жестко соединен с основанием по периметру посредством герметичного шва, и крышку, расположенную на другой, противоположной торцовой стороне ободка, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения надежности, ободок установлен с образованием с внешней стороны герметичного шва зазора между обращенными одна к другой поверхностями диэлект" рического основания и соответствую" щей торцовой стороны ободка по периметру, минимальная величина ширины которого равна 0,02-0,1 мм, а минимальная величина глубины - 0,550,6 мм.

Составитель С. Манякин

Техред N,Ходаничр Корректор Л. Ратай

Редактор 8. Данко

Заказ 84р Тираж 447 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г ° Ужгород, ул. Гагарина, 101