Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния

 

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3 мг/см3, концентрации золота и оксида бора берут равными (1,24-1,65)·10-3 мг/см3 и (5,37-5,78)·10-3 мг/см 3 соответственно, температуру "холодного" конца снижают от 800-840°C со скоростью 180-190°C/ч.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов с заданными геометрическими размерами, концентрацию галоида и время выращивания задают согласно соотношению

d=-244,07+232,38·С+2,778·t-0,1499·C·t,

где d - диаметр кристалла, мкм;

С - (1,188-0,521) мг/см 3 - концентрация галоида;

t - время выращивания, равное 50-80 мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области металлургии полупроводников и может быть использовано для выращивания монокристаллов твердого раствора германий-кремний из газовой фазы

Изобретение относится к области металлургии полупроводников и может быть использовано для выращивания монокристаллов твердого раствора германий-кремний из газовой фазы

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев

Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния

Наверх