Способ осаждения пленок поликристаллического кремния
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.
Похожие патенты:
Эпитаксиальный реактор // 1541689
Изобретение относится к электронной технике, в частности к установкам эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых материалов на монокристаллические подложки методом газофазного осаждения
Способ изготовления кремниевых структур // 1316486
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых структур, в частности к технологии изготовления кремниевых структур
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве кремниевых эпитаксиальных обращенных структур
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия из газовой фазы
Способ получения изолирующих покрытий // 1119523
Изобретение относится к технологии получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы, в частности, может быть использовано при осаждении толстых эпитаксиальных и поликристаллических слоев на монокристаллических подложках в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых эпитаксиальных структур
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано в производстве МДП-приборов на арсениде галлия и твердых растворах GaAlAs
Изобретение относится к технологическому оборудованию для автоматизированного производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности к устройствам газофазного наращивания слоев при быстром термическом воздействии
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов и может использоваться при выращивании тонких пленок контролируемого состава, в том числе эпитаксиальных, из паровой фазы на разнообразных подложках
Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния
Тонкие пленки гидрогенизированного поликристаллического кремния и технология их получения // 2227343
Изобретение относится к новым материалам электроннной техники и технологии его получения