Способ контроля кондерсации молекулярного пучка электропроводящего вещества на диэлектрическую подложку

 

Изобретение относится к области физических методов контроля процессов вакуумной тонкопленочной технологии и может использоваться для контроля конденсации молекулярного пучка проводящего вещества на диэлектрическую подложку. Цель изобретения - повышение чувствительности и расширение области применения на аморфные и шероховатые подложки. Для этого перед облучением подложки молекулярным пучком и во время этого облучения на подложку направляют под скользящим углом пучок быстрых электронов и с помощью люминесцентного экрана формируют теневое изображение края подложки в некогерентно рассеянных электронах. О конденсации молекулярного пучка судят по появлению неискаженного теневого изображения края подложки. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН щ)5 С 01 N 237203

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

АЖ

4@ 4

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ пО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИДЦ

flPH ГКНТ СССР (21) 4468582 J31 -25 (22) 01 . 08. 88 (46) 07. 06. 90. Бюл. № 21 (71) Ленинградский государственный университет (72) Х.И.Зелимханов и О.А.Трофимов (53) 543.5(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1330531, кл. G 01 N 25j68 1987

Chang L.L., et а1 Structures.

grown by molecular beam epitaxy.

J. Vae. Sei Technol, 1 973, ч.10, № 5, р.655-662. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КОНДЕНСАЦИИ МОЛЕКУЛЯРНОГО ПУЧКА ЭЛЕКТРОПРОВОДЯШЕГО

ВЕЩЕСТВА НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПОДЛОЖКУ (57) Изобретение относится к области физических методов контроля процессов

Изобретение относится к физическим методам контроля процессов вакуумной тонкопленочной технологии и может использоваться для контроля конденсации молекулярного пучка проводящего вещества на диэлектрическук подложку.

Цель изобретения — повьш|ение чувствительности и расширение области применения на аморфные и шероховатые подложки

На чертеже показана схема осуществления способа.

Способ осуществляк т следующим образом.

Контролируемую подложку 1, покрываемую путем направления на нее мо„„80„1569 85 А1 вакуумной тонкопленочной технологии и может использоваться для контроля конденсации молекулярного пучка проводящего вещества на диэлектрическую подложку. Цель изобретения — повышение чувствительности и расширение области применения на аморфные и шероховатые подложки. Для этого перед облучением подложки молекулярным пучком и во время этого облучения на подложку направляют под скользящим углом пучок быстрых электронов и с помощью люминесцентного экрана Формируют теневое изображение края подложки в некогерентно рассеянных электронах.

О конденсации молекулярного пучка судят по появлению неискаженного теневого изображения края подложки.

1 ил. лекулярного пучка электропроводяще с вещества от источника 2, под скользящим уг IoM облучают быстрыми электро нами от источника 3 и на люминесцентном экране 4 Формируют теневое изо- ОО бражение края подложки 1 в некогерент- СП но рассеянных электронах. В начальный момент перед осаждением, когда на подложке 1 отсутствует слой сконденсировавшегося вещества молекулярного а пучка, вследствие зарядки поверхности подложки 1 электронами теневое изображение 5 края подложки 1 имеет искаженную форму.

По мере конденсации вещества молекулярного пучка на подложке 1 образуется электропроводящий слой, кото1569685 рый приводит к растеканию заряда поверхности подложки от электронов и теневое изображение 6 края подложки 1 с пленкой конденсата имеет неискаженный характер. По появлению такого неискаженного теневого изображе ния 6 индицируют конденсацию молекулярного пучка °

Пример 1. Берут в качестве подложки свежий скол кристалла хлористого калия (KC1). с поверхностным сопротивлением p = 10 OM/1.1 пол мещают в колонну электронографа

ЭГ-)ООИ, которую откачивают до давле- 15 ния 10 Pa. На поверхность подложки направляют пучок быстрых электронов

t с энергией 80 кэВ и током в пучке

50 мкА под скользящим углом 1-3 . Лю-минесцентным экраном, ориентированным 20 перпендикулярно направлению падающего электронного пучка, регистрирук т некогерентно,рассеянные подложкой электроны. При этом наблюдают теневое изображение края подложки в виде иск- 25 ривленной линии с расположенными на ней пульсирующими "пузырями . Включают источник молекул испаряемого вещества и направляют на поверхность подло ки молекулярный пучок полупро- $0 водниковorо вещества теллурида кад13

I мия (СйТе) плотностью 10 мол/см - с „

Через 3 с после включения молекулярного пучка наблюдают установление З5 теневого изображения края подложки в виде резко очерченной прямой линии, индицируя конденсацию теллурида кацмия. Выключают молекулярный пучок, достают подложку с конденсатом из 40 вакуума и измеряют поверхностное сопротивление p = 1 0 Ом/tl при расчетной средней толщине конденсата равной 0,22 нм.

Пример 2. Индикацию конденсации молекулярного пучка теллурида кадмия (CdTe) на шероховатой поверхности подложки из ситалла наблюдают при комнатной температуре. Тыльную шероховатую поверхность пластины ситалла облучают пучком быстрых электронов, направленным перпендикулярно к ней в колонне электронографа.

Регистрируют некогерентно отраженные электроны люминесцентным экраном, расположенным вблизи подложки, параллельно падающему пучку электронов.

Наблюдают на люминеецентном экране пульсирующие вспышки.Направляют йа подложку молекулярный пучок и индицируют конденсацию его на шероховатой ггор,— ложке из ситалла по установлению теневогд изображения края подложки на экране в виде прямой линии. формула и з о б р е т е ц и я

Способ контроля конденсации молекулярного пучка электропроводящего вешества на диэлектрическую подложку путем облучения подложки быстрыми электронами под скользящими углами падения и регистрации рассеянных электронов перед облучением подложки молекулярным пучком и во время этого облучения, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения области применения на аморФные и шероховатые подложки, в некогерентно рассеянных электронах формируют теневое изображение края подложки, и о конденсации молекулярного пучка судят по появлению неискаженного теневого изображения края подложки.

1569685

Составитель К. Кононов

Техред Л. Сердюкова Корректор Л. Бескид

Редактор А. П(андор

Заказ 1443 Тираж 496 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва,.R-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Способ контроля кондерсации молекулярного пучка электропроводящего вещества на диэлектрическую подложку Способ контроля кондерсации молекулярного пучка электропроводящего вещества на диэлектрическую подложку Способ контроля кондерсации молекулярного пучка электропроводящего вещества на диэлектрическую подложку 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области физических методов исследования твердых тел, а более конкретно к спектроскопии рассеяния медленных ионов, используемой для структурного, элементного, концентрационного и физико-химического анализа поверхности твердого тела

Изобретение относится к физическим методам исследования поверхности твердого тела, в частности методам обратного рассеяния ионов, и может использоваться для изучения адсорбционных явлений

Изобретение относится к экспериментальной и технической физике и может быть использовано при исследованиях структуры тверда1Х тел в материаловедении и технологии обработки материалов

Изобретение относится к методам исследования поверхности твердых тел с помощью электронных пучков и может быть использовано для проведения количественных измерений элементного состава поверхности методами ожеспектроскопии , рентгеновского микроанализа , фотоэлектронной спектроскопии
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в машиностроении для контроля состояния и класса обработки поверхности изделий

Изобретение относится к устройствам для обнаружения объектов, скрытых в замкнутых объемах на железнодорожном транспорте, в частности для обнаружения вредных веществ в вагонах, и может быть использовано на контрольно-пропускных пунктах пограничных железнодорожных станций

Изобретение относится к медицине, а именно к лучевой диагностике состояния костной ткани, и может быть использовано при определении таких заболеваний, как остеопороз и остеопатия

Изобретение относится к области анализа поверхности твердого тела методом спектроскопии рассеяния медленных ионов (СРМИ)

Изобретение относится к области физических методов контроля процессов вакуумной тонкопленочной технологии и может использоваться для контроля конденсации молекулярного пучка проводящего вещества на диэлектрическую подложку

Наверх