Устройство для осаждения пленок твердых растворов

 

Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых материалов. Цель изобретения - поддержание постоянного давления смешанных паров компонентов. Устройство содержит обогреваемую вакуумную камеру. В камере размещен испаритель для смеси компонентов и подложка, закрепленная над испарителем и снабженная системой охлаждения. Между подложкой и испарителем установлена упругая перегородка с дросселирующим соплом. При нагреве камеры до температуры испарения компонентов пары смешивают в испарителе, а затем в нижней части камеры. При прохождении паров через сопло упругая перегородка деформируется. Пары поступают в верхнюю часть камеры. При этом поддерживается определенное давление над испарителем и обеспечивается стабильность состава осаждаемых паров на подложке. Получают пленки (RB SE)<SB POS="POST">X</SB>(SN TE)<SB POS="POST">1-X</SB>. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1574697 (51)5 С 30 В 23/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4363676/31-26 (22) 13.01.88 (46) 30.06.90. Бюл. № 24 (71) Ивано-Франковский институт нефти и газа (72) М. А. Галущак, А. М. Абдулзаде, О. В. Заверуха и Г. М. Сендерская (53) 621.315.592 (088.8) (56) Поверхностные свойства твердых тел.

Под ред. М. Грина. М.: Мир, 1972, с. 338, рис. 5.12. (54) УСТРОИ СТВО ДЛЯ ОСАЖДЕ НИ Я

ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (57) Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых материалов. Цель изобретения — поддержание постоянного давления смешанных паров компоИзобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к устройствам для получения полупроводниковых материалов.

Целью изобретения является поддержание постоянного давления смешанных паров компонентов.

На чертеже представлено устройство, общий вид, разрез.

Устройство содержит вакуумную камеру

1, корпус которой выполнен из спектральночистого графита и подключен с помощью электродов 2 к источнику тока. В камере 1 размещен испаритель 3, содержащий смесь компонентов твердого раствора. Над испарителем установлена подложка 4, снабженная системой охлаждения 5 и механической заслонкой 6. Между испарителем 3 и подложкой 4 закреплена перегородка 7, выполненная из упругого материала и снабженная дросселирующим соплом 8, установленным по центру. нентов. Устройство содержит обогреваемую вакуумную камеру. В камере размещены испаритель для смеси компонентов и подложка, закрепленная над испарителем и снабженная системой охлаждения. Между подложкой и испарителем установлена упругая перегородка с дросселирующим соплом.

При нагреве камеры до температуры испарения компонентов пары смешивают в испарителе, а затем в нижней части камеры.

При прохождении паров через сопло упругая перегородка деформируется. Пары поступают в верхнюю часть камеры. При этом поддерживается определенное давление над испарителем и обеспечивается стабильность состава осаждаемых паров на подложке.

Получают пленки (PbSe)„(SnTe) i „. 1 ил.

Устройство работает следующим образом.

После загрузки испарителя 3 компонентами твердого раствора его устанавливают в нижней части камеры 1. Подложку 4 с системой охлаждения 5 и механической заслонкой 6 монтируют в верхней части камеры 1, затем ее вакуумируют. Нагрев камеры 1 до заданной температуры, необходимой для испарения компонентов твердого раствора, осуществляют подачей электроэнергии через электроды 2. Образуемые при нагреве пары предварительно смешиваются внутри испарителя 3 и заполняют нижнюю часть камеры 1. При достижении определенного значения давления испаряемые пары через трубчатое сопло 8, деформируя перегородку 7, поступают в верхнюю часть вакуумной камеры 1. При открытии механической заслонки 6 за счет разности температур, создаваемой системой охлажде1574697

Фоомула изобретения

Составитель Н. Давыдова

Редактор Н. Швыдкая Техред А. Кравчук Корректор Л. Патай

Тираж 343 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыгиям при ГКНТ С P

1! 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательскии комбинат «Патент», г. Ужгород, ул.. à ар г ина 101 з ния 5, проис", эдит осаждение паров на поверхности подложки 4. Потеря давлений в трубчатом сопле 8 позволяет поддерживать определенные давления над испарителем и обеспечить этим стабильность состава осаждаемых паров на подложке 4.

В данном устройстве получают пленки

1\ Yl твердых растворов соединений А В из механической смеси порошкообразных компонентов, например (PbSe) „(ЯпТе) i, для элементов синхросхем. При этом обеспечивается экономия за счет сокращения брака на 12%.

Устройство для осаждения пленок твердых растворов, содержащее обогреваемую вакуумную камеру, размещенные в ней один напротив другой испаритель для смеси компонентов твердого раствора н охлаждаемуЬ подложку, отличающееся тем, что, с целью поддержания постоянного давления смешанных паров компонентов, ваку10 умная камера снабжена перегородкой с дросселирующим соплом в центре, выполненной из упругого материала и установленной между подложкой и испарителем.

Устройство для осаждения пленок твердых растворов Устройство для осаждения пленок твердых растворов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позволяет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшения их структуры до эпитаксиальной

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)x методом сублимации, который обеспечивает получение совершенных слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9 и удешевление процесса

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Изобретение относится к затравочному кристаллу для изготовления монокристаллов и к способу для изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC)

Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов

Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах
Наверх