Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при давлении 0,5-5,0 Па с подъемом температуры от температуры осаждения подслоя до температуры осаждения слоя со скоростью 4-10 K/мин.
Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур и может использоваться при изготовлении сверхчистых снальных слоев для полупроводниковых приборов широкого применения, в частности , для приборов интегральной оптоэлектроники и микроэлектроники
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение высокотемпературной термокомпрессионной попарной сварки полупроводниковых пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с улучшенными электрофизическими характеристиками за счет пониженной концентрации генерационно-рекомбинационных центров
Изобретение относится к области изготовления интегральных схем
Изобретение относится к оборудованию для сварки давлением с подогревом, в частности к установкам для диффузионной сварки полупроводников с диэлектриками, и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур, точнее к изготовлению кремниевых структур, содержащих p-слой кремния над и под границей раздела, и может быть использовано для создания приборов сильноточной электроники и микроэлектроники
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, может быть использовано в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) для производства современных сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других изделий микроэлектроники
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС)
Изобретение относится к оборудованию для сварки с подогревом и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях, для создания современных материалов микроэлектроники, гетероструктур с кристаллическим слоем типа металл-металл, металл-полупроводник, полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-изолятор вне зависимости от структуры подложки, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) или полупроводник-на-кремнии (ПНК), для производства многофункциональных устройств микросистемной техники, устройств на основе сверхпроводящих материалов, спиновых транзисторов, современных сверхбольших интегральных схем (СБИС), систем на чипе и других изделий спинотроники, опто- и микроэлектроники
