Способ отбраковки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем полупроводниковых постоянных запоминающих устройств /ПЗУ/ и программируемых логических матриц. Целью изобретения является повышение надежности отбраковки микросхем за счет уменьшения числа микросхем с восстановленными перемычками. Для этого одновременно с воздействием на микросхемы считывающих импульсов прикладывают постоянное магнитное поле, силовые линии которого направлены перпендикулярно плоскости микросхем, а значение напряженности достаточно для удаления заряженных частиц разрушенной перемычки. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

М А ВТОРСМОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (1) 4360602/24-24 (22) 07.01.88 (46) 23.08.90. Бюл. № 31 (72) Я. М. Беккер, М. Я. Беккер, А. А. Заколдаев и Ю. И. Щетинин (53) 681.327.66 (088.8) (56) 1.ycodes N. Practical Uses of Accelerad

Festing Motorola Realiability physics supmosuem 12 th —.Las Vegas, Nov, 1974,. рр. 257 — 259.

Кульбенко В. Я., Домеников В. И., Шумский Н. П. Оборудование для климатических испытаний. †Электронн техника. Сер. 8.

Управление качеством, метрология и стандартизация, вып. 8(78), 1979.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ) и программируемых логических матриц.

Целью изобретения является повышение надежности отбраковки микросхем за счет уменьшения числа микросхем с восстановленными перемычками.

На фиг. 1 изображена перемычка запрограммированной микросхемы, находящаяся в процессе электротермомагнитной тренировки, где а — ширина зауженной части перемычки; d — длина зоны разрушения (0,4 мкм); Н вЂ” напряженность приложенного магнитного поля; на фиг. 2 — устройство, реализующее предлагаемый способ отбраковки микросхем путем проведения их электротермома гнитной тренировки.

Устройство содержит термокамеру 1 с разъемом 2 для электрического соединения

ÄÄSUÄÄ 1587587 А1 (51)5 G 11 С 17 00

2 (54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МИКРОСХЕМ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для программирования микросхем полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ) и программируемых логических матриц. Целью изобретения является повышение надежности отбраковки микросхем за счет уменьшения числа микросхем с восстановлеными перемычками. Для этого одновременно с воздействием на микросхемы считывающих импульсов прикладывают постоянное магнитное поле, силовые линии которого направлены перпендикулярно плоскости микросхем, а значение напряженности достаточно для удаления заряженных частиц разрушенной перемычки. 2 ил. плиты с микросхемами 3 и измерителя 4 электрических параметров (блока сравнения), электромагнит 5 с катушкой 6, создающей постоянное магнитное поле напряженностью О, и устройство 7 управления термокамерой.

В процессе электротермотренировки микросхему нагревают до 125 С и производят опрос по адресам, т. е. прикладывают импульсы напряжения U к электродам разрушенной части коммутирующей перемычки запоминающего элемента. Под действием электрического поля — заряженные частицы, U а находящиеся в зоне разрушения перемычки (а)(д), приходят в направленное движение от одного электрода к другому со скоростьк:

", где m — масса заряженных часд- Ut»

Ы тиц; t„ — время, необходимое для удаления

1587587

Формула изобретения

Фиг. 7 заряженных частиц из зоны разрушения перемычки; q — заряд частиц.

Вектор скорости движения заряженных частиц совпадает с направлением электрического поля. В результате перемещения заряженных частиц возможно образование электропроводящего мостика в разрушенной области перемычки и электроды замыкаются, т. е. запоминающий элемент восстанавливается.

В предлагаемом способе отбраковки микросхем путем их электромагнитной тренировки в поле постоянного магнитного поля на движущиеся между электродами пере.мычки заряженные частицы действует сина Лоренца, выводящая эти частицы из зоны разрушения перемычки. Следовательно, в зоне разрушения перемычки исключается возможность создания проводящего мостика из заряженных частиц материала перемычки, т. е. исключается возможность отказа типа

«восстановление» запрограммированного запоминающего элемента.

Устройство работает следующим образом.

Плату с запрограммированными микросхемами 3 помещают в термокамеру 1, соединяют со стандартным разъемом 2, включают нагреватели термокамеры для нагрева до 125 С. Включают питание электромагнита, устанавливают ток в катушках, включают питание микросхемы и последовательно на все разряды микросхем ПЗУ подают считывающие импульсы. Через обмотку электромагнита 5 пропускают постоянный ток величиной 1, создающий магнитное поле напряженностью H. После проведения отбраковки путем электромагнитной тренировки в течение 168 ч при 125 С определяют число запоминающих элементов К1 с восстановившимися плавкими перемычками следующим образом. Суммарное количество запрограм4 мированных запоминающих элементов (разрушенных) разрядов микросхемы сравни. вают в измерителе 4 электрических параметров с контрольной суммой разрядов.

Результат сравнения идентифицируется на табло блока сравнения измерителя 4. После этого включают магнитное поле Н и нагреватели термокамеры, снимают напряжение с

ПЗУ. Затем через промежуток времени выхода микросхемы в стационарный режим

"0 (в соответствии с техническими условиями на данную микросхему) при комнатной температуре повторно определяют суммарное количество К запоминающих элементов с восстановившимися плавкими перемычками.

15 Величину напряженности магнитного пол H последовательно увеличивают до тех пор, пока разность чисел К вЂ” Ki не будет равна нулю. Это значение напряженности магнитного поля Нр используют для отбраковки последующих партий микросхем ПЗУ по дан20 ному способу.

Значение поля Нр зависит от типа и партии микросхем и составляет 200 †4 А/м.

Способ отбраковки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств, включающий воздействие на микросхемы считывающих импульсов при предельно допустимой температуре и отбраковку 0 микросхем при появлении тока в разрушенных перемычках, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности отбраковки, одновременно с воздействием на микросхемы считывающих импульсов прикладывают постоянное магнитное поле, силовые линии

З5 которого направлены перпендикулярно плоскости микросхем, а значение напряженности достаточно для удаления заряженных частиц разрушенной перемычки.

1587587

Составитель А. Дерюгин

Редактор Г. Гербер Техред А. Кравчук Корректор Л. Пилипенко

Заказ 2424 Тираж 490 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, IOI