Детектор амплитудно-модулированных сигналов

 

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в радиоприемных устройствах. Целью изобретения является увеличение чувствительности и расширение динамического диапазона линейного участка детекторной характеристики. Детектор содержит дифференциальный каскад 1, выполненный на транзисторах 2 и 3, генератор 4 стабильного тока, выполненный на транзисторе 5, транзистор 6, резисторы 7-11, конденсаторы 12-16, дроссель 17, входной трансформатор 18 и источник 19 питания. Транзисторы 2,3 и 5 по низкой частоте включены по схеме дифференциального усилителя, а по высокой частоте по схеме общий эмиттер (ОЭ) - ОЭ-ОЭ. В РЕЗУЛЬТАТЕ КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ ПО ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЕ УВЕЛИЧИВАЕТСЯ В 50...300 РАЗ И СООТВЕТСТВЕННО СНИЖАЕТСЯ ПОРОГ ЛИНЕЙНОГО ДЕТЕКТИРОВАНИЯ И УВЕЛИЧИВАЕТСЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ. 1 ИЛ.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)5 Н 03 0 1/18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯЦ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4456543/24-09 (22) 08.07.88 (46) 30.08.90. Бюл. Р 32 (71) Рязанский радиотехнический институт (72) Г.В.Уточкин, И.В.Гончаренко и А.В,Девяткин (53) 621.376.23 (088.8)

I (56) Функциональные устройства на интегральных микросхемах дифференциального усилителя/Под ред. В.З.Найдерова. — H. Сов.радио, 1977, с,86, рис.3.18. (54) ДЕТЕКТОР ЫП1ЛИТУДНО-ИОДУЛИРОВАНН1)1Х СИГНАЛОВ (57) Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в радиоприемных устройствах. Целью

„„SU„„1589369 А 1 изобретения является увеличение чувствительности и расширение динамического диапазона линейного участка детекторной характеристики. Детектор содержит дифференциальный каскад f, выполненный на транзисторах 2 и 3, генератор 4 стабильного тока, выполненный на транзисторе 5, транзистор 6, резисторы 7 — 11, конденсаторы 12 — 16, дроссель 17, входной трансформатор 18 и источник 19 питания. Трвнэисторы 2, 3 и 5 по низкой частоте включены по схеме дифференциального усилителя, а по высокой частоте по схеме общий эмиттер (ОЭ) — ОЭ-ОЭ. В результате коэффициент усиления по высокой частоте увеличивается в 50 — 300 раз и соответственно снижается порог линейного детектирования и увеличивается чувствительность. 1 ил.

1589369

Изобретение относится к радиотех- нике и может быть использовайо в радиоприемных устройствах, Цель изобретения — увеличение чув5 ствителъности и расширение динамического диапазона линейного участка детекторной характеристики, На чертеже приведена структурная электрическая схема детектора амплитудно-модулированных сигналов.

Детектор амплитудно-модулированных сигналов содержит дифференциальный каскад 1, выполненный на первом 2 и втором 3 транзисторах, генератор 4 стабильного тока, выполненный на третьем транзисторе 5, четвертый транзистор 6, первый 7, второй 8, третий

9, четвертый 10 и пятый 11 резисторы, первый 12, второй 13, третий 14, четвертый 15 и пятый 16 конденсаторы, дроссель 17, входной трансформатор 18 и источник 19 питания.

Детектор амплитудно-модулированных

,сигналов работает следующим образом. 25

Входной амплитудно-модулированный сигнал с вторичной обмотки входного трансформатора 18 через резистор 11 и конденсатор 16 поступает на базу и эмиттер транзистора 5 генератора 30 стабильного тока, Этот транзистор для входного сигнала образует каскад высокочастотного усиления, причем его коллектор через конденсатор 14 по несущей частоте заземлен. Усиленный сигнал снимается с эмиттера транзистора 5 и через разделительные конденсаторы 16 и 13 поступает на базу транзистора 2 дифференциального каскада 1, который образует второй каскад усиления входного амплитудно-модулированного сигнала. Так как общим электродом между входом и выходом транзистора 5 является эмиттер, первый каскад образует схему с общим эмиттером (ОЭ), а резистор в цепи эмиттера является нагрузкой первого каскада.

Резистор 11, имеющий сопротивление в несколько десятков Ом, служит для предотвращения паразитной генерации.

Второй каскад усиления на первом транзисторе 2 также образует схему с ОЭ, так как эмиттер его по высокой частоте заземлен через конденсатор

14, а в качестве нагрузки использу55 ется дроссель 17 (высокой частоты), предотвращающий возбуждение по низкой частоте, Усиленный амплитудно-моду.— лированный сигнап с коллектора транзистора 2 через (разделительный) конденсатор 15 поступает на базу транзистора 3 дифференциального каскада 1, Эмиттер транзистора 3 заземлен по высокой частоте через конденсатор 14, поэтому третий каскад усиления является каскадом с ОЭ, в цепи коллектора которого включен нагрузочный резистор 7.

Таким образом, по высокой частоте транзисторы 2, 3 и 5 включены по схеме ОЭ-ОЭ-ОЭ. В результате коэффициент усиления амплитудно-модулированного сигнала увеличивается в 50300 раз по сравнению с прототипом, благодаря чему во столько же раз уменьшается входное напряжение порога. линейного детектирования, т.е. Увеличивается чувствительность, С коллектора транзистора 3 усиленный амплитудно-модулированный сигнал подается на вход эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторе

6 и выполняющего роль детектирующего нелинейного элемента. Детектирование осуществляется за счет отсечки эмиттерного тока при отрицательных полуволнах высокочастотного колебания.

При соответствующем выборе постоянной времени цепи нагрузки на выходе детектора амплитудно-модулированных сигналов выделяется огибающая входного амплитудно-модулированного сигнала. Для расширения динамического дИапазона детектор амплитудно-модулированных сигналов охвачен отрицательной обратной связью по огибающей модулированного сигнала через две петли отрицательной обратной связи (ООС).

Первая петля ООС образована связью транзистора 6 с базой транзистора 3 через резистор 8, эффективно действует не только на транзистор 3, но и на транзистор 2, который, в отличие от прототипа, включен по схеме с ОЭ °

Поэтому изменение тока эмиттера транзистора 2 существенно изменяет его крутизну и коэффициент усиления, что приводит к расширению динамического диапазона детекторной характеристики.

Вторая петля ООС охватывает все каскады детектора амплитудно- модулированных сигналов, т.е. с эмиттера транзистора 6 через резистор 9 на эмиттер транзистора 5 генератора 4 стабильного тока.. При этом напряжение ООС частоты огибающей не проходит

89369

Таким образом, в предлагаемой схеме детектора амплитудно-модулированных сигналов транзисторы 2, 3 и 5 по высокой частоте включены по схеме

03-0Э-ОЭ (что резко повышает коэффициент усиления), а по постоянному току для цепей ООС вЂ” по схеме дифференциального усилителя.

Формула изобретения

Составитель А.Осипович

Редактор Л.Пчолинская Техред Jl,0ëèéíûê Корректор 3.Лончакова

Заказ 2546 Тираж 655 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

5 15 через конденсаторы 16 и 13 на базу транзистора 2, так как эти конденсаторы пропускают только сигнал напряжения несущей частоты. При этом емкость конденсатора 14 должна быть выбрана иэ условия заземления коллектора транзистора 5 только по несущей частоте и отсутствия такого заземления по частоте огибающей.

Детектор амплитудно-модулированных сигналов, содержащий дифференциальный каскад, выполненный на первом и втором транзисторах, между эмиттерами кбторых и отрицательным выводом источника питания включен генератор стабильного тока, выполненный на. третьем транзисторе, первый — пятый резисторы, первый и второй конденсаторы и четвертый транзистор, база которого подключена к коллектору второго транзистора дифференциального каскада и первому выводу первого резистора, второй вывод которого соединен с положительным выводом источника питания и коллектором четвертого транзистора, эмиттер которого соединен с первыми выводами второго резистора и первого конденсатора и является выходом детектора амплитудно5 модулированных сигналов, база второго транзистора дифференциального каскада подключена к второму выводу второго резистора и первому выводу третьего резистора, база. первого транзистора дифференциального каскада соединена с первыми выводами второго конденсатора и четвертого резистора, второй выход которого соединен с общей шиной и вторым выводом первого конденсатора, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувстви тельности и расширения динамического диапазона линейного участка детекторной характеристики, в него введены

20 дроссель, включенный между коллектором первого транзистора дифференциального каскада и положительным выводом источника питания, третий конденсатор, включенный межпу эмиттерами

25 транзисторов дифференциального каскада и общей шиной, четвертый конден.сатор, включенный между коллектором первого транзистора и базой второго транзистора дифференциального каска30 да, пятый конденсатор и входной трансформатор, первый и второй выводы вторичной обмотки которого подключены соответственно через пятый резистор к базе и через пятый конденсатор к эмиттеру третьего транзистора гене-, ратора стабильного тока, при этом второй вывод второго конденсатора соединен с вторым выводом вторичной обмотки входного трансформатора °