Кристаллический оптический материал

 

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к твердофазному сращиванию оптических кристаллов, может быть использовано в оптике и обеспечивает повышение величины двулучепреломления. Оптически одноосные кристаллы соединяют друг с другом твердофазным сращиванием. Кристаллы разориентированы относительно друг друга с разворотом их оптических осей относительно границы сращивания в противоположные стороны на одинаковые углы в плоскости, перпендикулярной границе сращивания. Получены кристаллы на основе кварца, кальцита, сапфира. Двулучепреломление в сращенных кристаллах на один, два порядка выше, чем в каждом отдельном кристалле.

СОКИ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

69) (И) А1 (g1)g С 30 В 29/16, 33/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOIVlY СВИДЕТЕЛЬСТВУ новенный лучи и измеряют угол между ними, угол расщепления. При падении луча на границу сращивания иод углом 20 и границе сращивания, угол о расщепления оказывается равным 8 . На монокристалле кварца максимальный угол расщепления фиксируют при падении естественно поляризованного луча под углом 45 к оптической оси и к поверхности кристалла. Угол расщепления оказывается равным 30 мин.

Пример 2. Два оптически одноосных кристалла кальцита соединены твердофазным сращиванием во взаимной кристаллотрафической разориентации, характеризуемой разворотом их оптически< осей относительно границы сращ ивания в противоположные стороны на угол 55 в плоскости, перпендикулярной границе сращивания. Пля определения величины двулучепреломления, по лученного кристаллического оптичес кого материала в плоскости оптичесГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЩР1 7ИЯм

ПРИ fHHT СССР

1 (21) 4379713/31-26 (22) 18.02.88 (46) 23,09.90. Бюл. В 35 (71) Институт кристаллографии им. А.В,Шубникова (72) Е.А.Степанцов (53) 621.315.592(088 ° 8) (56) Авторское свидетельство СССР

N- 1116100, кл. С 30 В ЗЗ/00, 1982. (54) КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ОПТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к твердофазному сращиванию оптических кристаллов, может быть использовано в опИз об ре тен ие о тн о сит ся к выр ащиванию кристаллов, в частности к твердофазному сращиванию оптических кристаллов, и может быть использовано в оптике.

Цель изобретения - повышение величины двулучепреломления.

Пример 1. Два оптически одноосных кварца соединены друг с другом твердофаз. ым сращиванием во взаимной кристаллографической ориентации, характеризуемой разворотом их оптических осей относительно границы сращивания в противоположные стороны на

45 в плоскости, перпендикулярной границе сращивания. Для определения величины двулучепреломления полученного кристаллического оптического материала в плоскости оптических осей под различными углами к границе сращивания направляют луч .света, наблюдают его расщепление на границе сращивания на обыкновенный и необык2 тике и обеспечивает повышение величины двулучепреломления. Оптически одноосные кристаллы соединяют друг с другом твердофазным сращиванием.

Кристаллы разориентированы относительно друг друга с разворотом их оптических осей относительно границы сращивания в противоположные стороны на одинаковые углы в плоскости, перпе1 дикулярной границе сращивания.

Получены кристаллы на основе кварца, кальцита, сапфира. Двулучепреломление в сращенных кристаллах на бдин, два порядка выше, чем в каждом отдельном кристалле.

1594221

Составитель В»Безбородова

Редактор Н.Рогулич Техред А„Кравчук

Корректор С»Черни

Заказ 2814

Тйраж 348

Подписное

SHHHIIH Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

П,оизводственно"издательский комбинат "Патент™, r.Ужгород, ул. Гагарина,101 ких осей под углом 30о к границе сращивания направляют. луч света, наблюдают его расщепление на границе сращивания на обыкновенный и необыкно5 венный лучи и измеряют угол расщеплео ния, который оказывается равным 38 Ha монокристалле кальцита максимальный угол расщепления равен б 4 о

Пример 3» Два оптически одно- 10 осных кристалла сапфира соединены твердофазным сращиванием по плоскось ти, составляющим угол 60 с их опти:ческими осями При этом в плоскости сращивания кристаллы развернуты от.носительно друг друга до совмещения их оптических осей в одной плоскости так, чтобы относительно границы сращивания они были отклонены в противоположные стороны. Для определе» !

-ния величины двулучепреломлення полученного кристаллического оптического материапа в плоскости оптических о осей под углом 35 к границе сращивания направляют луч света, наблюда- 25 ют его расщепление на границе сращивания на обыкновенный и необыкновенный.лучи и измеряют угол расщепления, который оказывается равным 7,5 . На монокристалле сапфира максимальный угол расщепления оказывается равным

45 мин., Пример 4 ° Десять оптически одноосных кристаллов кварца соединены друг с другом по параллельным плоскостям. При этом ориентация каждого кристалла подобрана так, чтобы оптические оси с границами сращивания составляли угол 50 . Кристаллы о развернуты относительно друг друга 49 в плоскостях сращивания до совмещения всех оптических осей в одной плоскости, перпендикулярной границе сращивания, при отклонении оптических осей каждой пары соседних кристаллов относительно границы их сращивания в противоположные стороны.

Для определения величины двулучепреломления полученного оптического материала в плоскости оптических осей под углом 30 к границам сращиЮ вания направляют луч света, наблюдают его расщепление на обыкновенный и необыкновенный лучи на первой границе сращивания и разведение со стороны на последующих. По выходе за последнюю границу сращивания угол расщепления оказывается равным 50 о

Таким образом, предлагаемый оптический кристаллический материал обладает двулучепреломлением на один, два порядка вьппе, чем кристаллы, из которых он состоит» При этом, увеличивая количество кристаллов в материале, можно увеличивать двулучепреломление до величин, значительно превьппающих величины двулучепреломления существу ющик кристаллов даже с самой высокой оптической анизотропией, например кальцита.

Формула изоб ре тения.

Кристаллический оптический материал, включающий оптически одноосные кристаллы, соединенные друг с другом твердофазным сращиванием, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения величины двулучелреломления, кристаллы в материале разориентирова ны относительно друг друга с разворотом их оптических осей относительно границы сращивания в противополажные стороны на одинаковые углы в плоскости, перпендикулярной границе сращивания.

Кристаллический оптический материал Кристаллический оптический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу обработки щелочно-галоидных кристаллов и позволяет упростить технологию процесса

Изобретение относится к получению сцинтилляционных монокристаллов и может быть использовано для регистрации ионизирующих излучений, Целью изобретения является увеличение и стабилизация конверсионной эффективности сцинтилляционных кристаллов и улучшение энергетического разрешения детекторов по их основе, а также обеспечение безотходной технологии

Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия

Изобретение относится к способам обработки активных элементов лазерной и нелинейной оптики и может быть использовано при изготовлении нелинейных элементов на основе монокристалла иодата лития -LilO3 например параметрических преобразователей длины волны лазерного излучения

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов

Изобретение относится к обработке твердых и хрупких материалов, в частности к устройствам для обработки монокристаллов, которые применяются в химической промышленности при порезке кристаллов , и позволяет улучшить качество поверхности резания кристаллов

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к способу получения кристаллической окиси цинка, которая может быть использована при производстве люминофоров, в электрофотографии, для приготовления пигментов и композиций

Изобретение относится к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позволяет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшения их структуры до эпитаксиальной
Наверх