Способ определения типа симметрии поверхностной сверхрешетки полупроводниковых пластин и устройство для его осуществления

 

Изобретение касается исследования полупроводниковых материалов, в частности исследования физических свойств поверхности, и может быть использовано при выращивании эпитаксиальных слоев. Целью изобретения является повышение производительности определения за счет интегрального определения симметрии поверхности в процессе однократного цикла измерений. На пластину 11 полупроводника наносят слой анизотропного жидкого диэлектрика. Затем пластину 11 со слоем диэлектрика устанавливают на электроде 4 неподвижной части 2 держателя. Прозрачный электрод 7, жестко закрепленный на поворотной части 3, приводят в контакт со слоем диэлектрика, нанесенного на пластину 11. Обе части 2 и 3 держателя скрепляют при помощи накидных пружинных стопоров 6, входящих в кольцевой паз 9. Прикладывая к электродам 4 и 7 П-импульс электрического поля, поворачивают молекулы слоя анизотропного жидкого диэлектрика. Затем поворачивают прозрачный электрод 7 на угол от 0 до 90°. С помощью шариковых подпружиненных фиксаторов 5 и сферических углублений 8 угол поворота фиксируют. Освещают устройство от источника 1 света, длина волны которого принадлежит области собственного поглощения полупроводниковой пластины 11. С помощью блока 10 регистрации измеряют величину фото-ЭДС, возникающую в пластине 11, при каждом зафиксированном угле поворота электрода 7. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (I9) (111

536 А1 () С 01 В 11/30

3МИРЗЩ .. Е5|М

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHCNY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4432435/25-28 (22) 30.05.88 (46) 07..10.90. Бюл. Р 37 (7i) Одесский государственный университет им. И.И.Мечникова (72) A.Ï.Федчук, 10.К.Корниенко, Л.Д.Шевченко, Н.К.Гузенко и В.Я. Шаповал (53) 531.715.27(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 1298542, кл. С 01 B 21/00, 1987. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПА CHMtfET РИИ ПОВЕРХНОСТНОЙ СВЕРХРЕШЕТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН И УСТРОЙСТВО

ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ . (57) Изобретение касается исследования полупроводниковых материалов, в частности исследования физических свойств поверхности, и может быть использовано при выращивании эпитаксиальных слоев, Целью изобретения является повышение производительности опрецеления за счет интегрального определения симметрии поверхности в про:,ессе однократного цикла измерений.

На пластину 11 полупроводника наносят

2 слой анизотропного жидкого диэлектрика. Затем пластину 11 со слоем диэлектрика устанавливают на электроде 4 неподвижной части 2 держателя. Прозрачный электрод 7, жестко закрепленный на поворотной части 3, приводят в контакт со слоем диэлектрика, на11есенного на пластину 11. Обе части 2 и 3 держателя скрепляют с помощью накидных пружинных стопоров 6, входящих в кольцевой паз 9. Прикладывая к электродам 4 и 7 П-импульс электрического поля, поворачивают молекулы слоя анизотропного диэлектрика. Затем поворачивают прозрачный электрод 7 на угол от 0 до 90 . С помощью шариковых подO пружиненных фиксаторов 5 и сферических углублений 8 угол поворота фикси- руют. Освещают устройство от источника 1 света, длина волны которого при- С надлежит области собственного поглощения полупроводниковой пластины 11.

С помощью блока 1О регистрации измеряют величину фото-ЭДС, возникающую в пластине 11, пфи каждом зафиксирован Ql ном угле поворота электрода 7. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

1597536

Изобретение относится к области исследования полупроводниковых материалов, в частности исследования физических свойств поверхности, и может быть использовано при выращивании эпитаксиальных слоев. целью изобретения является повышение производительности определения за счет интегрального определения симметрии поверхности в процессе однократного цикла измерений.

На фиг. 1 представлена схема устройства для определения типа симметрии поверхностной сверхрешетки; íà f 5 фиг, 2 — разрез А-А на фиг. 1.

Устройство содержит источник 1 света, держатель пластин, состоящий из неподвижной 2 и поворотной 3 частей.

Неподвижная часть 2 включает элект- Zp род 4, шесть шариковых подпружиненных фиксаторов 5 и накидные пружинные стопоры б. Поворотная часть 3 включает прозрачный электрод 7, выполненный в виде пленки двуокиси олова, нане- 25 сенной на стекло. На внутренней стороне поворотной части 3 с шагом в 1 нанесены сферические углубления 8, а на внешней ее стороне расположен кольцевой паз 9, использующийся для фик- ур сации всей конструкции. Фотоэлектрический сигнал измеряется с помощью блока 10 регистрации. Исследуемая полупроводниковая пластина 11 со слоем анизотропного жидкого диэлектрика вместе с электродами 4 и 7 выполняет роль фотодатчика.

Способ осуществляется с помощью устройства следующим образом, На пластину 11 полупроводника на- 4р носят слой анизотропного жидкого диэлектрика. Затем пластину 11 со слоем диэлектрика устанавливают на электроде 4 неподвижной части 2 держателя.

Прозрачный электрод 7, жестко закреп- 15 ленный на повторной части 3, приводят в контакт со слоем диэлектрика, нанесенного на пластину 11. Обе части 2 и 3 держателя скрепляют с помощью накидных пружинных стопоров 6, входящих в кольцевой паз 9. Прикладывая к электродам 4 и 7 П-импульс

- .: электрического поля, поворачивают молекулы слоя анизотропного жидкого диэлектрика. Затем повоРачивают прозрачный электрод 7 на угол 0 — 90".

С помощью шариковых подпружиненных фиксаторов 5 н сферических углублений 8 угол поворота фиксируют, Осве,,щают устройство ст источника 1 света

> длина волны которого гринадлежит об;ласти собственногопсглощения полупроводниковой пластины 11. Г помощью блска 10 регистрации измеряют величину фото-ЗДС, возникающую в пластине 11, при каждом зафиксированном угле поворота электрода 7, строят зависимость величины фото-ЭДС от угла поворота.

По числу максимумов этой зависимости определяют количество осей легксгс ориентирования, вдоль которых укладываются молекулы жидкого кристалла, и соответственно тип симпФтрпи поверхностей сверхрешетки, характеризуемый этими осями симметрии.

Формула и з о б р е т е и и я

1. Способ определения типа симметрии поверхностей сверхрешетки полупроводниковых пластин, заключающийся в том, что освещают полупроводниковую пластину пучком. излучения, регистрируют фотоэлектрический сигнал, анализируют его и определяют тип симметрии поверхностной сверхрешетки, о тли чающийся тем, что, с целью повышения производительности определения, наносят на поверхность полупроводниковой пластины слой анизотропного жидкого диэлектрика, поворачивают его относительно оси, перпендикулярной поверхности иссле .-емой пластины, на угол A — 90 освещение исследуемой поверхности пластины производят излучением из области собственного поглощения этой пластины, измеряют величину фотоЭДС, возникающей в исследуемой полупроводниковой пластине, строят зависимость величины фото-ЗДС от угла поворота слоя анизотропногс жидкого диэлектрика, а тип симметрии определяют по числу максимумов этой зависимости, 2. Способ по п.1, о т л и ч а ю шийся тем, что поворот молекул слоя анизотропного жидкого диэлектрпка осуществляют путем приложения Пимпульса электрического поля напряженностью (2-9) 10 В/см.

3. Устройство для определения тппа симметрии поверхности сверхрешетки полупроводниковых пластин, содержащее источник излучения, держателт, пластин, имеющий поворотную н непс;. вижную части, фотодатчик, датчик р —

Составитель Л.Лобзова

Техред Л.Олийнык Корректор С.Черни

Редактор 0.10рковецкая ю °

Заказ 3039 Тираж 495 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 475

«в «

Производственно-издательский комбинат Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101

5 1597536

6 гистрации угл» поворота держателя и жателя пластин, и шариковых подпрурегистрирующий блок, о т л и ч а ю— жиненных фиксаторов, расположенных

L щ е е с я тем, что держатель плас- на неподвижной части держателя. тин выполнен из двух электродов, 5 4. Устройство но п.3, о т л и— один из которых выполнен прозрачным ч а ю щ е е с я тем, что неподвижи жестко закреплен на поворотной час- ная часть держателя пластин снабжети держателя пластин, датчик регист- на накидными пружинными стопорами рации угла поворота выполнен в виде с шариковыми фиксаторами, входящими совокупности сферических углублений, 1ð в кольцевой паз, выполненный на понанесенных на поворотную часть дер- воротной части держателя пластин,