Сверхвысокочастотный корректор

 

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в качестве регулирующего миниатюрного устройства. Цель изобретения - улучшение согласования и уменьшение габаритов. СВЧ-корректор содержит диэлектрическую подложку 1, заземляющее основание 2, размещенное с одной ее стороны, а с другой стороны размещены проводник 3, пленочные резисторы 6, подключенные к нему с двух сторон один напротив другого и закороченные по СВЧ четвертьволновыми шлейфами 7. В заземляющем основании 2 выполнена полуволновая щель 8, короткозамкнутая на концах, перекрещивающаяся с проводником 3 между пленочными резисторами 6 своей средней частью, в которой между ее кромками размещен дополнительный пленочный резистор 9. На средней частоте образуется резистивная П-образная схема, обеспечивающая улучшение согласования при компактном расположении ее элементов. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)ю Н 01 P 1/203,1/22

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4610365/24-09 (22) 28.11.88 (46) 07.10.90, Бюл. ¹ 37 (71) Красноярский политехнический институт (72) И,Г.Нечаев, А,P.Ïîðîâ и В.M.Ïåíüêîâ (53) 621.372.852.3 (088.8) (56) Патент Японии № 53-20767, кл. Н 01 P 1/20, 1978.

Патент ФРГ ¹ 2734436, кл. Н 01 P 1/20, 1979. (54) СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ КОРРЕКТ0Р (57) Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в качестве регулирующего миниатюрного устройства. Цель изобретения — улучшение согласования и

„„. Ы„„1597979 А1 уменьшение габаритов. СВЧ-корректор содержит диэлектрическую подложку 1, заземляющее .основание 2, размещенное с одной ее стороны, а с другой стороны размещены проводник 3, пленочные резисторы

6, подключенные к нему с двух сторон один напротив другого и закороченные по СВЧ четвертьволновыми шлейфами 7. В заземляющем основании 2 выполнена полуволновая щель 8, короткозамкнутая на концах, перекрещивающаяся с проводником 3 между пленочными резисторами 6 своей средней частью, в которой между ее кромками размещен дополнительный пленочный резистор 9. На средней частоте образуется резистивная П-образная схема, обеспечивающая улучшение согласования при компактном расположении ее элементов, 1 ил, 1597979

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано для построения широкополосных миниатюрных устройств. ние при условии согласования по входу и выходу

Целью изобретения является улучше- 5 ние согласования и уменьшение габаритов, Составитель B.Àëûáèí

Техред М,Моргентал Корректор Л.Патай

Редактор И.Шулла

Заказ 3061 Тираж 441 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

На чертеже показан сверхвысокочастотный корректор.

Сверхвысокочастотный корректор содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой размещено заземляющее основание 2, а на другой — проводник

3, концы 4 и 5 которого являются входом и выходом соответственно, и идентичные пленочные резисторы 6, подключенные к нему по разные стороны от него и к которым соответственно подключены два одинаковых четвертьволновых шлейфа 7, разомкнутых на конце. В заземляющем основании 2 выполнена полуволновая щель 8, короткозамкнутая на концах и перекрещивающаяся с проводником 3 между пленочными резисторами 6 своей средней частью, в которой между кромками включен дополнительный пленочный резистор 9, Сверхвысокочастотный корректор работает следующим образом.

СВЧ-сигнал поступает на вход и снимается с выхода. На средней частоте четвертьволновые шлейфы 7, разомкнутые на конце, обеспечивают замыкание пленочных резисторов 6 по СВЧ-току на заземляющее основание 2, а наличие в заземляющем основании 2 полуволновой щели 8 обеспечивает включение дополнительного резистора 9 в отрезок микрополосковой линии, образованной диэлектрической подложкой

1, проводником 3 и заземляющим основанием 2, последовательно. В результате образуется включение в микрополосковую линию трех пленочных резисторов 6 и 9 на резонансной частоте по П-образной схеме; два пленочных резистора 6 параллельно и один дополнительный пленочный резистор

9 последовательно между ними, Выбирая соотношение сопротивлений между сопротивлениями R<,з и Rz пленочных резисторов

6 и 9, можно обеспечить требуемое затухагде Zo — волновое сопротивление микропо10 лосковой линии;

Lo — вносимые потери, На средней частоте вносимое затухание наибольшее. С увеличением частоты ослабление падает и на удвоенной частоте вноси15 мое затухание стремится к нулю, так как на этой частоте четвертьволновые шлейфы 7 становятся полуволновыми и не замыкают пленочные резисторы 6 на заземляющее основание 2, а к дополнительному резистору

20 9 трансформируется короткое замыкание между его концами.

Уменьшение габаритов достигается благодаря размещению практически всех элементов цепи в одном поперечном сече25 нии микрополосковой линии, а улучшение согласования — применением П-образной схемы включения в микрополосковую линию пленочных резисторов 6 и 9.

Формула изобретения

30. Сверхвысокочастотный корректор, содержащий диэлектрическую подложку.„на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой стороне размещены проводник, концы которого

35 являются входом и выходом, и идентичные пленочные резисторы, подключенные к нему и к которым подключены два одинаковых четвертьволновых шлейфа, разомкнутых на конце, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью

40 улучшения согласования и уменьшения габаритов, идентичные пленочные резисторы включены по разные стороны проводника один напротив другого, а в заземляющем основании выполнена полуволновая щель, 45 короткозамкнутая на концах, перекрещивающаяся с проводником между пленочными резисторами средней частью, в которой между кромками включен дополнительный пленочный резистор,