Устройство для измерения пространственного распределения интенсивности электромагнитного излучения

 

Изобретение относится к технике регистрации пространственного распределения инте Ьивности электромагнитного излучения . Цель изобретения - увеличение пространственной разрешающей способности и чувствительности путем выполнения перемещающейся тонкой нити чувствительного элемента в виде нитевидного кристалла квазиодномерного материала. При температуре фазового перехода металл - диэлектрик 220 К для проводника Та 5з диаметром чувствительно- i-лы. 1 ил. .х/ IX п 11 vyDw nrmcj I a ч/о 0,5 мкм достигнут порог чув сти 5 -ICT Вт 1 з.п. ф-г

СОЮЗ СО8ЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК лi>э 601 J 5/50

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 07.09.91. Бюл. Г 33 (21) 4473306/25 (22) 11.08.88 (71) Институт радиотехники и электроники

АН СССР (72) М.Е. Иткис и Ф.Я. Надь (53) 621.384,3(088.8) (56) Патент США

ЬЬ 3527539, кл.356-156, 1970.

Европейский патент

М 50159, кл. G 01 J 1/04, 1982. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ

ИНТЕНСИВНОСТИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно техники регистрации пространственного распределения интенсивности электромагнитного излучения тепловым приемником.

Цель изобретения — увеличение пространственной разрешающей способности и чувствительности.

На чертеже изображено устройство для измерения пространственного распределения интенсивности электромагнитного излучения.

Устройство для измерения пространственного распределения интенсивности электромагнитного излучения содержит чувствительный элемент 1 в виде нитевидного кристалла квазиодномерного материала, расположенный над диэлектрической подложкой 2 между электрическимих контактами 3 и 4 на пути исследуемого пучка

„„5LI 1598627 А1 (57) Изобретение относится к технике региСтрации пространственного распределения интербивности электромагнитного излучения. Цель изобретения — увеличение пространственной разрешающей способности и чувствительности путем выполнения перемещающейся тонкой нити чувствительного элемента в виде нитевидного кристалла квазиодномерного материала. При температуре фазового перехода металл — диэлектрик

220 К для проводника Та $з диаметром

0,5. мкм уостигнут порог чувствительности 5 1(Г Вт Гц 1 з.п. ф-лы, . ил. излучения 5 и подключенный к измерительному блоку 6.

Устройство работает следующим образом.

Исследуемый пучок излучения 5 направляется на чувствительный элемент 1 и частично поглощается в кваэиодномерном материале.

В результате температура чувствительногЬ элемента увеличивается и его сопротивление изменяется пропорционально температурному коэффициенту сопротивления. Изменение сопротивления регистрируется измерительным блоком 6. Смещение чувствительного элемента 1 с помощью блока его перемещения (на чертеже не показан) позволяет регистрировать пространственное распределение интенсивности в плоскости сечения исследуемого пучка излучения 5, 1598627.

Составитель Г.Плешков.

Тех ред M.Моргентал Корректор С.Шекмар

Редактор И.Ц3убина

Заказ 3724 Тираи " - Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/6 .

Производственно-издатепьский комбинат "Патейт", r. Ужгород, ул.Гагарина; 101

Ф!

Для достижения максимальной чувстви- щая способность, 1 мкм $ порог чувстви, тельности рабочая температура чувствитель- тельности 5 10 Вт Гц ного элемента 1 должна соответствовать Ф о р м у л а и з о б р е те н и я температуре специфического для квазиодно- 1, Устройство для измерения пространмерных материалов пайерлсовскогофазово- 5 ственного распределения интенсивности

ro перехода металл-диэлектрик; вблизи электромагнитного излучения, содержащее которой достигается максимальная величина чувствительный элемент в виде тонкой нити температурного коэффициента сопротивле-, иблокего перемещения, отл ичающеения. Поэтому чувствительный элемейт 1 раз- с я тем. что, с целью увеличения пространмещен в термостате (на чертеже не показан), 10 ственной разрешающей способности и чувПространственная разрешающая спо-. g ствительности, в него введен термостат, а собность увеличивается при уменьшении тонкая нить чувствйтельного элемента раздиаметра квазиодномерной нити, однако: мещена в термостате и выполнена:в виде уменьшениедиаметрачувСтвительногоэле- . нитевидного кристалла квазиодномерного мента 1 меньше характерного раэмера; со- 15 материала, при этом термостат выполнен с ответствующего поперечной длине фазовой возможностью поддержания его температукогерентности волны зарядовой плотности, ры, равной темлературе фазового перехода нецелесообразно, так как начинается металл — диэлектрик квазиодномерного мауменьшение крутизны фазового. перехода териала, а диаметр нитевидного кристалла металл-диэлектрик и соответствующее 20 квазиодномерного материала выбиоают уменьшение температурного коэффициента больше или равным поперечной длине фа" сопротивления, что приводит к падению зовойкогерентностиволнызарядовой плотчувствительности устройства.. ности, Для квазиодномерного проводника 2. Устройство по п,1 ° о т л и ч а ю щ е еТа Яз при температуре фазового перехода 25 с я тем, что,.в качестве тонкой нити чувст220 K длина фазовой когерентности вол- вительного элемента используется нитевидны зарядовой плотности составляет 0,.1 ный . кристалл квазиодномерного мкм. При диаметре нитевидного кри- проводника Та Яз с диаметром, большим сталла 0,5 мкм была достигнута разрешаю- или равным 0,1 мкм при температуре 220 К.