Устройство с туннельным переходом

Авторы патента:

Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах. Целью изобретения является повышение стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, В устройстве, содержащем два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, слой диэлектрика и защитный слой представляет собой поликристаллическую алмазную пленку. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

s Н 01 1 29/88

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4352754/25 (22) 30,12.87 (46) 30,11.92, Бюл, N 44 (72) В.M. Пузиков, А.В, Семенов, В.Л. Дубоносов, А,И. Черепков, В,А. Булдовский и.

С,П. Клембек (56) Заявка Франции ¹ 2508237, кл. Н 01 L

21/316, 1982, Заявка ЕПВ № 0053912, vn. Н 01 1

21/316, 1982. (54) УСТРОЙСТВО С ТУННЕЛЬНЫМ ПЕРЕХОДОМ

Изобретение относится к приборам на основе структур металл вЂ” диэлектрик вЂ” металл с туннельным переходом, которые могут быть использованы в квантовых приборах и интегральных схемах.

Целью изобретения является повышение стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок.

На чертеже приведено устройство с туннельным переходом в разрезе.

Оно содержит слой 1 поликристаллической алмазной пленки толщиной 10 вЂ” 50 А, нижний и верхний металлические электроды 2 и 3 соответственно, подложку 4, а также пассивирующий и защитный слой 5 алмазной поликристаллической пленки, Принцип работы устройства основан на процессе туннелирования основных носителей заряда через потенциальные барьеры.

„„!Ж „„1598780А1 (57) Изобретение относится к структурам на основе металл вЂ” диэлектрик вЂ” металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах, Целью изобретения является повышение стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, В устройстве, содержащем два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, слой диэлектрика и защитный слой представляет собой поликристал- лическую алмазную пленку. 1 ил.

Благодаря черезвычайно низкому коэффициенту диффузии углерода в металлах, а также отсутствию легкодиффундирующих примесей в этой системе граничная область между металлическими электродами и алмазным слоем является устойчивой при тепловых воздействиях в широком диапазоне температур, а также полевых воздействиях 0© вплоть до пробойных. Это обуславливает стабильность вольт-амперных характери- Q) стик туннельных переходов, чувствитель- С) ную к состоянию граничных областей, а наличие защитного слоя из поликристаллической пленки повышает надежность работы устройств, обеспечивая стабильность электрофизических характеристик, так как покрытие структуры алмазной поликристаллической пленкой способствует улучшению теплоотвода рассеиваемой мощности на переходе.

Устройство изготавливается с использованием известного способа получения ал

Похожие патенты:

Туннельный диод // 1003701

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к функциональным элементам интегральных схем, и может быть использовано в генераторных схемах, а также в вычислительной, измерительной и усилительной технике

Высокочастотный туннельный диод // 263044

Туннельный диод // 219702

Высокочастотный туннельный днод // 219567

Способ получения ариловых эфиров р-алкокси- и р- алкилтиоэтансульфокислоты // 181093

Полупроводниковый стабилитрон // 176988

Туннельный диод // 172404

Туннельный диод // 171923

Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода // 148143

Полупроводниковый двухэлектродный туннельный прибор // 139015

Туннельный прибор // 2105386

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Способ изготовления туннельного прибора // 2106041

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Датчик температуры // 1810931

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров // 2548395

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров может найти применение в электронике, радиотехнике, природоохранной, химической и нефтяной отраслях для контроля качества проведения технологических процессов и качества готовой продукции, например, при создании полимерных нанокомпозитов, функциональных электронных и радиотехнических элементов. Технической задачей является повышение точности определения концентрации наночастиц в аморфных средах любой природы путем уменьшения влияния фоновых токов на результат измерения. Поставленная задача решается тем, что создается измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и слоя исследуемого материала между ними, полученная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду, в которой фоновые токи достигают своего минимального значения и не оказывают существенного влияния на результат измерения, затем измерительная ячейка включается в цепь и снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются значения резонансных потенциалов и соответствующие им значения резонансных токов, далее полученные значения резонансных потенциалов сравниваются с базой данных резонансных потенциалов известных наночастиц и осуществляется идентификация наночастиц в исследуемом материале, затем готовится эталонный образец материала с низкой концентрацией идентифицированных наночастиц, формируется измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и эталонного материала между ними, полученная эталонная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду и включается в цепь, после чего снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются резонансные потенциалы и соответствующие им значения резонансных токов, на основании полученных значений резонансных токов в исследуемом и эталонном образцах, а также известного значения концентрации в эталонном образце рассчитывается концентрация наночастиц в исследуемом образце.