Патент ссср 161127

Авторы патента:

C30B29/64 - плоские кристаллы, например пластины, ленты, диски

C30B15/06 - невертикальное вытягивание

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИС HNE

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ,Л,ЕТЕЛЬСТВУ

К 161127

Класс

406, 1зе

МПК

С 22Ь

Заявлено 03.1.1962 (№ 768444/22-2) ГОСУДАРСТВЕННЫИ

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР

Опубликовано 09.111.1964 г. Бюллетень № 6

УДК

Подписная группа № 1б

В. Н, Маслов, А. А. Давыдов и Н. М, Деменков

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ДЕНДРИТНЫХ ЛЕНТ ИЗ РАСПЛАВА

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Предмет изобретения

Известен способ выращивания дендритных полос (пластин) большой ширины из полупроводниковых материалов с использованием дендритной затравки, расположенной под углом 120 к направлению выращивания.

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что дендритная лента стягивается с поверхности находящегося в лодочке расплава полупроводникового материала в горизонтальном направлении. Это позволяет регулировать форму фронта кристаллизации, скорость кристаллизации и равномерное распределение легирующих добавок, а также дает возможность стабилизировать процесс.

На чертеже схематически изображена установка для осуществления предлагаемого спосооа.

Расплав полупроводникового материала находится в лодочке 1 из кварца или графита, которая заключена в кварцевую трубу 2, имеющую кварцевые окна 8 и 4. Первое из этих окон служит для наблюдения за процессом, второе вЂ” для пропускания теплового излучения от дополнительного нагревателя на поверхность расплава. Кварцевая труба 2 вместе с лодочкой 1 помещается в электропечь 5.

Процесс ведут как в вакууме, так и в атмосфере инертного газа. В последнем случае возможно обдувание поверхности расплава газовой струей через трубку б для локального охлаждения. Лодочку нагревают преимущественно снизу, чтобы обеспечить необходимый температурный градиент в расплаве.

После расплавления полупроводникового материала мощность нагревателя понижается, поверхностный слой переохлаждается на

8 вЂ” 12 С и затравка 7 приводится в тангенциальное соприкосновение с мениском расплава 8.

Затравка закреплена на штоке 9 затравкодержателя, совершающего во время затравливания и стягивания дендритной ленты возвратно-поступательное движение по направляющим 10 от электропривода.

Локальное изменение температуры в поверхностном слое расплава, а следовательно, регулирование формы фронта и скорости кристаллизации, достигаются при помощи дополнительного нагревателя и фигурного экрана 11. В качестве дополнительного нагревателя используют источник сфокусированного или направленного ИК-излучения. Скорость стягивания дендритной ленты 12 с поверхности расплава равна скорости ее роста.

Способ выращивания дендритных лент из расплава полупроводниковых материалов, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью получения лент с равномерным распределением легирующих примесей, исходный расплав подвергают нагреву преимущественно снизу и ло№ 161127

ИК-излучение

Составитель Г. А. Григоренко

Редактор В. П. Липатов Техред А. А. Камышникова Корректор Новичкова

Подп. к печ. 6/VIII вЂ” 64 г. Формат бум. 60X90 t s Объем 0,1 изд. л.

Заказ 183411 Тираж 700 Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам нзобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2 кальному охлаждению инертным газом при этом форму фронта кристаллизации и скорость кристаллизации регулируют при помощи дополнительных нагревателей, в качестве которых используют источник ИК-излучения, а полученную ленту непрерывно стягивают с поверхности расплава в горизонтальной плоскости.

Похожие патенты:

Патент 157785 // 157785

Способ получения монокристаллических дисков большого диаметра // 147576

Способ получения монокристаллов в виде полых тел вращения // 144153

Способ изготовления пластин и/или листов фольги анизотропного пиролитического нитрида бора, лист фольги, изготовленный этим способом, изделие из анизотропного пиролитического нитрида бора в виде пакета пластин и/или листов фольги и способ его получения // 2179204

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из высокотемпературных диэлектрических, электроизоляционных материалов и технологии их получения методом химического осаждения из газовой фазы для изготовления различных деталей для СВЧ-техники и интегральных микросхем

Способ и устройство для выращивания кристаллов // 2198968

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Устройство для непрерывного группового выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани // 2258772

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)

Устройство для непрерывного выращивания двусторонних слоев кремния на углеродной фольге // 2332530

Устройство для выращивания слоев кремния на углеродной подложке // 2365684

Монокристалл сапфира, способ его изготовления (варианты) и используемое в нем плавильное устройство // 2388852

Способ и установка для выращивания монокристалла сапфира с ориентацией в с-плоскости // 2436875

Изобретение относится к технологии получения керамических материалов, в частности монокристаллического сапфира в виде слитков или пластин, которые могут быть использованы при производстве светодиодов

Сапфир с r-плоскостью, способ и устройство для его получения // 2448204

Изобретение относится к керамике, в частности к технологии производства монокристаллического сапфира

Способ выращивания монокристаллов германия // 2493297

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия в форме диска из расплава и может быть использовано для изготовления объективов в устройствах регистрации инфракрасного излучения. Монокристаллы германия выращивают в кристаллографическом направлении [111] после выдержки при температуре плавления в течении 1-2 часов, при температурном градиенте у фронта кристаллизации в пределах (10,0÷18,0) К/см, обеспечивающем плотность дислокации на уровне (2·105-5·105) на см2. Изобретение позволяет получать монокристаллы германия со значительным увеличением площади приема сигнала за счет направленного введения в выращиваемый кристалл заданной концентрации дислокации и их превращения из стандартных дефектов кристалла в активно действующие элементы устройств инфракрасной оптики. 3 ил., 1 табл.

Способ получения пластин на основе карбида кремния // 2540668

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности для радиопоглощающих покрытий, термосопротивлений, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей для использования при повышенных температурах. Способ включает перемещение ленты углеродной фольги в горизонтальной плоскости относительно содержащего расплавленный кремний капиллярного питателя в вакууме при разрежении до 10-1 Торр с подачей в камеру воздуха до давления 10 Торр, скорость перемещения ленты задают в пределах 0,5-3,0 м/мин, затем извлекают полученную ленту из камеры, перематывают ее со сменой ориентации слоя полученных кристаллов SiC сверху вниз и повторяют процесс в вакууме при разрежении до 10-1 Торр без подачи воздуха при скорости перемещения ленты до 9 см/мин, затем фазу свободного кремния из полученных пластин удаляют растворением в смеси плавиковой и азотной кислот. В результате на поверхности гибкой углеродной фольги формируется самосвязанный слой микрокристаллов полупроводникового карбида кремния SiC кубической структуры, который может быть дополнительно пропитан расплавленным кремнием для сохранения сплошности и механической прочности полученного композита. 5 пр.