Патент ссср 161439

Авторы патента:

H01L31/0352 - отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

ОПИСА НИЕ

И 3 О Б Р ЕТ Е Н И, Н

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

К 161439

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

Класс

21g, 29„o

МПК

На1

Заявлено 03.1V.1963 (М 828754/26-10) ГосудАРсТВенныи

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР

УДК

Опубликовано 19.111,1964. Бюллетень М 7

Подписная группа № 82

В. В. Зыков

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОЛОЖЕНИЯ СВЕТОВОГО ЛУЧА

В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ

Известны фотоэлектрические преобразователи (фотоэлементы) светового потока в фототок.

Отличительной особенностью предлагаемого преобразователя положения светового луча в электрический сигнал является выполнение его в виде короткой линии из двух проводников высокого сопротивления, изолированных друг от друга фотопроводящим слоем и расположенных в углублениях изоляционной платы. Такое конструктивное выполнение преобразователя позволяет обеспечить зависимость сопротивления прибора от места падения светового луча.

На чертеже изображен предлагаемый прибор.

Основу прибора составляет изоляционная плата 1, в углублениях которой располагаются два параллельных высокоомных (например, манганиновых) проводника 2. Плата со стороны расположения проводников покрывается фотопроводящим составом 3, обладающим свойством проводить электрический ток при освещении. Для создания надежного контакта проводников с фотопроводящим слоем на поверхность платы в месте расположения проводников наносится тонкий слой 4 хорошо проводящего металла, например серебра, Снаружи фотопроводящий слой покрывается прозрачной пленкой 5 для защиты от внешних механических воздействий и влаги, При различных положениях светового луча по длине прибора место замыкания прогодннков и, следовательно, сопротивление прибора будут меняться. Это изменение сопротивления может быть измерено и записано известными способами. Характеристика преобразователя (сопротивление как функция положений светового луча по длине) будет линейной при условии, что удельное сопротивление проводников на единицу длины вЂ” величина постоянная, так же, как и сопротивление единицы длины фотопроводящего слоя, которое должно быть достаточно мало по сравнению с первым.

Таким образом, погрешность прибора определяется точностью изготовления проводников с постоянным по всей длине удельным сопротивлением и степенью постоянства сопротивления фотопроводящего слоя по длине прибора, Предлагаемьш прибор предназначен для преобразования позитивных (белая линия на черном фоне) записей процессов на осциллографической бумаге и кинолентах в электрический сигнал для обработки этих записей в электронных вычислительных машинах. Преобразователь может быть также использован для электрической регистрации показаний жидкостных манометров с непрозрачными и малопрозрачными жидкостями, в качестве уровнемера малопрозрачных жидкостей, Р фотомеханических умножающих устройствах ит и.

¹ 1б1439

Предмет изобретения

А А-A

Составитель Г. H. Кучеренко

Редактор Н. С. Кутафина Техред А. А. Камышникова Корректор Ю. М. Федулова

Подп. к печ. 8/IV вЂ” 64 г. Формат бум. 60 Q 90 /з Объем 0,23 изд. и.

Заказ 723/18 Тира>к 925 Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Преооразователь поло>кения светового луча в электрический сигнал, представляющин собой фотоэлемент, основанный на явлении замыкания двух проводников через фотопроводящий слой на участке, освещаемом лучом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения зависимости сопротивления прибора от места падения светового луча, фотоэлеменг выполнен в виде короткой линии из двух проводников высокого сопротивления, изолированных друг от друга фотопроводящим слое.н и располо>кенных в углублениях изоляционной платы.

Похожие патенты:

Фотопреобразователь // 2359361

Изобретение относится к области производства твердотельных фоточувствительных полупроводниковых приборов, а именно к области производства преобразователей мощности света в электрический ток, и может быть использовано при изготовлении указанных приборов

Фотоэлектрический элемент // 2415495

Изобретение относится к фотоэлектрическому элементу (фотоэлементу), включающему в себя по меньшей мере первый переход между парой полупроводниковых областей, при этом по меньшей мере одна из этой пары полупроводниковых областей включает в себя по меньшей мере часть сверхрешетки, содержащей первый материал с распределенными в нем образованиями второго материала, причем образования имеют достаточно малые размеры, так что эффективная ширина запрещенной зоны сверхрешетки по меньшей мере частично определяется этими размерами, при этом между полупроводниковыми областями предусмотрен поглощающий слой, и при этом поглощающий слой содержит материал, предназначенный для поглощения излучения с возбуждением в результате этого носителей заряда, и имеет такую толщину, что уровни возбуждения определяются самим этим материалом

Солнечный модуль и комбинированная солнечно-энергетическая установка на его основе // 2455584

Изобретение относится к гелиотехнике, может быть использовано для преобразования солнечной энергии в электрическую и тепловую энергию и касается солнечного модуля, включающего концентратор, в фокусе которого расположен фотовольтаический преобразователь солнечной энергии, с контактами подключения батарей накопителей электрической и тепловой энергии и системой жидкостно-проточного теплосъема, при этом фотовольтаический преобразователь выполнен в виде полой трубки из теплопроводящего материала, на внешней поверхности которой нанесена полупроводниковая структура и внутри которой циркулирует теплоноситель, а также комбинированной солнечно-энергетической установки, включающей указанные выше солнечные модули

Полупроводниковый фотоприемник // 880198

Полупроводниковый прибор // 1306407

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике

Структура для приемника ик-излучения // 1810932

Полупроводниковый комбинированный приемник электромагнитного излучения // 2578103

Использование: для регистрации электромагнитного излучения со сложным спектральным составом. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковый комбинированный приемник электромагнитного излучения включает соосно расположенные каналы регистрации оптического и жесткого электромагнитного излучения, созданный на основе чередующихся эпитаксиально согласованных слоев чувствительных в соответствующих спектральных диапазонах полупроводниковых материалов с электронно-дырочными переходами или без них, чувствительные слои располагают по разные стороны подложки, толщина чувствительного к жесткому электромагнитному излучению материала приемника на два порядка больше, чем у чувствительного материала фотоприемника, в качестве фильтра для приемника жесткого электромагнитного излучения, обрезающего излучение оптического диапазона, используют слой чувствительного к этому излучению полупроводникового материала, на основе которого формируют фотоприемник оптического диапазона. Технический результат: обеспечение возможности упрощения конструкции и расширение возможностей систем регистрации электромагнитного излучения. 1 ил.

Способ детектирования электромагнитных волн в терагерцовом диапазоне // 2599332

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа детектирования электромагнитных волн в терагерцовом диапазоне. Способ включает в себя направление потока терагерцового излучения на преобразователь с формированием в последнем сигнала, регистрируемого детектором. В качестве преобразователя используют систему квантовых точек в матрице с терагерцовой прозрачностью, помещенную во внешнее магнитное поле с индукцией В=ħ×ν/g×µБ, в качестве детектора используют магнитометр, который регистрирует изменение намагниченности системы квантовых точек. Интенсивность излучения определяют как jвн=1/[g×µБ×n×b/ΔJ×(1+b·j0)-b], где В - индукция внешнего магнитного поля; ħ - постоянная Планка; ν - частота регистрируемого излучения; g - множитель Ланде; µБ - магнетон Бора; jвн - интенсивность регистрируемого излучения; n - объемная плотность квантовых точек; b=с2/4πν3 - параметр, определяемый частотой; j0 - интенсивность фонового (теплового) терагерцового излучения. Технический результат заключается в упрощении способа детектирования. 1 з.п. ф-лы.

Спин-детектор свободных электронов на основе полупроводниковых гетероструктур // 2625538

Использование: для поляризованных светодиодов и спин-транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что спин-детектор содержит подложку, на которой последовательно выполнены: барьерный слой, первый слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, второй слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, третий слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, третий слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, четвертый слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, первый слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, второй слой из GaAs, ферромагнитный слой и защитный слой. Технический результат: обеспечение возможности проведения измерения спиновой поляризации с пространственным разрешением, измерения трех компонент спина в одной структуре, повышения стабильности гетероструктуры Pd/Fe/GaAs (001) к деградации электрофизических и оптических свойств, а также возможность прогрева до температуры 200°С и отсутствие реактивации. 12 з.п. ф-лы, 2 ил.

Фотопреобразователь // 2648310

Использование: для преобразования оптического сигнала в электрический, а также энергии электромагнитного излучения указанного диапазона в электрическую энергию. Сущность изобретения заключается в том, что фотопреобразователь представляет собой массив полупроводниковых нанопроводов, сформированных в пористой матрице диэлектрика, на противоположных сторонах которой сформированы эмиттерный и коллекторный контакты так, что граница между контактом и нанопроводом представляет собой гетеропереход, в котором нанопровод является потенциальным барьером для основных носителей заряда. Технический результат: обеспечение возможности упрощения изготовления в виде массива наногетероструктурных элементов. 7 з.п. ф-лы, 2 ил.