Способ получения свободных никелевых пленок

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

K." 4® 11о

Зависимое от авт. свидетельства №

Зяявле«о 25.1Ъ .19б3 (№ 833031 22-2) МПК С 23с с присосд««с«ием заявки ¹ (осударственный комитет по делам изобретений и открытий CCCP

Приоритет

ОпубликoBB«0 12.Х.1964. Бюллетс«ь № 19

Дата опубликования описания 23.Х,1964

"ЛК

Автор изобрстсн« .

Ю. Л. Нехаевский

Заявитель

Обьединенный институт ядернь.х исследований

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВОБОДНЫХ НИКЕЛЕВЫХ ПЛЕНОК

Предмет изобретения

Подписная группа № 110

Известен способ получения пленок пикеля толщиной более 1 мк термически..г разложением тетракарбо«ила никеля на нагретой стеклянной подложке с последующим снятием пленки с подложки механически;I путем.

Известен также прием получения пленок любой зада«ной конфигурации путем маскирования части подложки, «апример для получения печатных схем.

Особенностью предлагаемого способа является то, что сначала на всю поверхность подложки напыляют пленку «еобходимой толщины, например 0,1 лгк. Затем «B HB«bIлепный слой накладывают отполированный металлический или стеклянный экран, а на не закрытую экраном площадь продолжают напылять никель, доводя толщину пленки, например, до 2 мк. Толстая пленка является ребром жесткости тонкой пленки, которая при снятии с подложки не разрывается.

Этот способ позволяет получать качествен«ые пленки толщиной до 0,1 лгк и площадью

3,14 см .

Способ получения свободных никелевых пленок термическим разложением тетрякар10 бонила никеля на стеклянной подложке с последующим удалением пленки с подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью удаления с подложки пленок толщиной до 0,1 лгк и площадью 3,14 слг-, 15 с«ачала «а всю поверхность подложки напыляют пленку требуемой толщины, а затем экрапируют часть подложки и продолхкают напыление до получения вокруг экранирован«ого участка слоя никеля толщинои 2 мк, 20 являющегося ребром жесткости.