Способ выращивания монокристаллов слюды

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

¹ 165670

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое ст авт. свидетельства ¹

Заявлено 12. I I I,1962 (№ 768702/23-4) 1 л, 12с, 2

МПК В Old с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.Х.1964. Бюллетень № 20

Государственный комитет по делам изобретений и откоытий СССР

УД1(Дата опубликования описания 28.XI.1964

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЛЮДЫ

Подписная группа Л5 33

Известны способы выращивания монокристаллов ел|оды (фторфлогопита) из расплава путем медленного опускания "èãëÿ с раснлавом сквозь зону максимального нагрева.

Процесс треснет много времени и ведется ступенями.

В предлагаемом способе, основанном на кристаллизации опусканием тигля (или ряда тиглей) сквозь разогретую зону нагревателя (печи), используется промежуточный расплавленный теплоноситель (чугун) ля равномерного донного обогрева расплава при выращивании монокрист-lëëoç фторфлогопита. Это позволяет при использовании невысоких тиглей и IIpH кристалл изя ции м е!о,. ом оп \ ска1ощегося тигля создавать более благоприятные условия для роста монокристаллов слюды и упростить процесс ее кристаллизации.

Способ выращив-!ния монокристаллов состоит в том, что серию тиглей с шихтой и металлом (;iJIH термостатировяния и правильной формы кристаллизации) механическим путем располагают вертикально, последовательно один за другим таким образом, что дно одного тигля слу>кит крышкой другому и тигли могут плавно проходить сверху вниз через вертикальную трубчатую печь. При входе в псчь шихта и металл разогреваются и, двигаясь к ее центру, расплавляются. При дальнейшем движении вниз в определенном месте при заданных параметрах происходит кристаллизация. Тигли загружаются в печь сверху, а убираются снизу, т. е. процесс получения монокристаллов слюды происходит беспрерывно.

Для обеспечения эффективной кристаллизации на дно тигля кладут плитку чугуна, который в процессе нагрева расплавляется.

При движении тигля вниз на выходе из центра печи расплав очень медленно плавно

10 охлаждается последовательно снизу вверх. В это время происходит кристаллизация слоями по сечению сосуда последовательно, а расплавленный чугун выравнивает температуру и способствует рациональному укладыванию

15 кристаллизующихся слоев минерала горизонтально.

Даже при малом перегреве в центре печи (1440 С), перепаде температуры на расстоянии 150 мм до 1380 С и при движении систе20 мы тиглей по 1 мм в час снижение температуры в час будет равно 0,4 С.

Способ предусматривает перемещение системы тиглей со скоростью, необходимой для поддержания заданной скорости охлаждения

25 или нагрева.

Предмет изобретения

Способ выращивания монокристяллов слюды из расплава путем медленного опускания

З0 тигля с расплавом сквозь зону максимально

Способ выращивания монокристаллов слюды 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к способам получения синтетических драгоценных камней
Наверх