Высокостабильный ждущий блокинг-генератор н.л двух транзисторах

 

СПИ

ИЗО

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое о; ai

Заявлено 15.VI с присоединение

Приоритет

Опубликовано 2

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Дата опубликов

Автор изобретения

Заявитель Организация Государственного комитета по радиоэлектронике СССР

ВЫСОКОСТАБИДЬНЬ1Й ЖДУЩИЙ БЛОКИ НГ-ГЕНЕРАТОР

НА ДВУХ ТРАНЗИСТОРАХ

Под(гисная группа № 140

И,"всстные ждущие блокинг-генераторы на транзисторах имеют весьма сильную зависимость параметров импульса от изменения нагрузки и смены транзисторов и низкое входное сопротивление. Также возникают трудности при запуске блокинг-генератора импульсами положительной и отрицательной полярности.

Предлагаемый высокостабильный ждущий блокинг-генератор на транзисторах с различным типом проводимости отличается от известных тем, что времязадающая цепочка КС включена между коллектором входного транзистора и базой выходного транзистора. 7акое включение позволяет обеспечить стабиль ocTt длительности импульса при изменении нагрузки и смене транзисторов.

На чертеже изображена принципиальная схема описываемого устройства.

Работа ждущего блокинг-генератора осушествляется следующим образом.

В ис>;o,÷ïîì состоянии транзистор 1 закрыт за счет положительного смещения, поданного с делителя 2 напряжения, состоящего из сопротив..ений 3 и 4. Транзистор 5 закрыт за счет шунтирования базовой цепи сопротивлением б. При этом сопротивление 7 служитдля ограничения тока во входной цепи и увеличения входного сопротивления схемы. При подаче на базу транзистора 1 через емкость 8 и сопротивление 7 отрицательного запускающего импульса транзистор 1 открывается. На коллекторе транзистора 1 возникает положительный импульс, который через сопротивле5 иие 9 и конденсатор 10 передается на базу

-ранзистора 5 и о-.крывает его. При этом на коллекторе транзистора 5 появляется отрицательный импульс, который трансформируется через обмотки трансформатора 11, 12 и со10 противление 4 на базу транзистора 1, представляющего дополнительиь1й усилитель тока в цепи обратной связи, и увеличивает ток в базовой цепи транзистора 1. Это является началом регеисративного процесса, в котором

15 участвуют два транзистора 1 и 5, включенные так, что общее усилие по току в схеме В,,„-„, =

ВгВ, где В и В.. — соответствующие коэффициенты усиления по току транзисторов 1 и 5.

За счет этого резко уменьшается зависимость

20 длительности импульса от величины сопротивления нагрузки.

Pereïåðàòèâíûé процесс заканчивается тогда, когда транзистор 5 входит в режим насыщения. После этого начинается заряд конден25 сатора 10 через насыщениьш транзистор 1, сопротивление а и базово-эмиттерный переход транзистора 5. Когда конденсатор 10 зарядится настолько, что транзистор 5 начнет выходить из насыщения, в схеме снова возника

30 ет регеиеративный процесс, который заканчи

165767

Предмет изобретения

Составитель Борисовская

Редактор Н. С. Коган Текред Ю. В. Баранов Корректор Т. С. Дрожжина

Заказ 2881/18 Тираж 825 Формат бум. 60Х90 /в Объем 0,16 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 гастся запиран *eì транзисторов 1 . 5. При э.ом конде:1c!òор 10, заря аившис: во время формиро.-.ания импульса, разряжается через сопротивления 9, 15 и базово-эмиттерныйпереход транзистора 5, ускоряя выключение транзистора 5. Запуск схемы импульсом положительной полярности производится подачей запускающего импульса на базу транзистора

5 через емкость И и токоограничивающее сопротивлецие 14.

Высокостабильный ждущий блокинг-генератор на двух транзисторах разного типа про5 водимости, о т л и ч а и шийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности импульса при изменении нагрузки и смене транзисторов, времязадающая цепочка RC гключена между коллектором входного трап10 зистора и базой выходного транзистора.