Патент ссср 165777
l6 5777
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советоких
Социалистических
Республик
Зависимое от авт, свидетельства №
Заявлено 17.Ч.1963 (№ 836846!26-25) Кл, 21а4, 13
21а4, 14/01 с присоединением заявки №
МПК Н ОЗЬ
Н 03с
УДК 621.376.9(088.8) Приоритет
Опубликовано 26,Х.1964. Бюллетень № 20
Дата опубликования описания 14Х1.1968
Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров
СССР
СПОСОБ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОЙ СВЧ-МОДУЛЯЦИИ СВЕТА
КРИСТАЛЛАМИ
Известен способ электрооптичеакой ам плитудной мадуляции света с помощью Поккельсэффе кта, когда полярнзова|нный световой,пучок пропускают через электроаптический кристалл. Вертикально поляризованная волна поляризуется по кругу четвертьволновой пластинкой и затем модулируется на поляризации
СВЧ=/т в кристалле .ПКФК, находящемся в соответствующем поле. Поляриза ция выходного амплитудно модулированного ситнала является функцией частоты входного сигнала.
Пре длатаемый способ отличается тем, что несколько идентичных кристаллов размером не более л/2,располагают по ходу СВЧ-,волны в ряд с шагом, кратным СВЧ-полуволне, и последовательно .пропускают СВЧ-волну через кристаллы в продольном или поперечном направлении к ходу СВЧ-волны. Это позволяет снизить лотребность СВЧ-мощности, уменьшить разогрев кристаллов и увеличить глубину модуляции, Кроме того, предлагаемый способ позволяет осуществлять пять различных сочетаний на правлений света и вектора напряженности электрического поля относительно направления распространения СВЧволны при одинаковых соответствующих ориентировках кристаллов.,При этом кристаллы располатают с:шагом в С ВЧ-волну, а,при шаге в половину СВЧ-волны четные кристаллы поворачивают относительно нечетных на 90 ( или 180 . Это дает возможность увеличить глубину СВЧ-модуляции.
На чертеже представлено расположение ао на|правлению СВЧ-волны идентичных кристал5 лов, размером не больше Х/2 СВЧ-волны. Кристаллы расположены с шагом, равным или кратным половине длины СВЧ-волны, и через них последовательно прапускают свет,в продольном а или:поперечном b к ходу СВЧ-вол10 ны направлении.
Обозначив первой буквой В номер оси Хт, вдоль которой распространяется СВЧ-волна и расположен ряд кристаллов, второй буквой Е номер оси Х2, параллельно которой на правлен
15 вектор напряженности электрического поля Е и третьей буквой С номер оси Хз, параллельно которой проходит свет через кристаллы, можно представить пять возможных частных случаев данного способа следующим образом:
20 1. 333 4. 312, 321
2. 331, 332 5. 313, 323
3. 3 11, 322
Предмет изобретения
25 1. Способ электроаптической СВЧ-модуляции света кристаллами в бегущей или стоячей
СВЧ-волне при п ропускании через кристаллы поляризованного света, отличающийся тем, что, с целью снижения разогрева кристаллов, 30 потребляемой СВЧ-мощности и увеличения
165777 х, — Х, С
Составитель И. Заикина
Техред Л. Я. Левина
Редактор Л. Кречетова
Корректоры: 3. И. Тарасова и С. Ф. Гоптаренко
Заказ 1413(3 Тираж 530 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2 глубины модуляции, несколько идентичных кристаллов размером не более Х/2 располагают п о ходу СВЧ- волны .в ряд с ша гс м, IKp3THbIм СВЧ- полуволне, и последовательно п ропускают СВЧ-волну через кристаллы в ародольном или поперечном направлении к ходу СВЧ-,волны. .2. Способ iqo п, 1, отлича>ощийся тем, что, с целью увеличения глубины СВЧ-модуляции, осуществляют различные сочетания направлений света и вектора напряженности электрического поля относительно направления распространения СВЧ-волны при одинаковых соответствующих ориентировках, кристаллов, которые раополдгают с шагом в СВЧ-волну, а при шаге,в пол-СВЧ-волны поворачивают четные кристаллы относительно нечетных на 90 или 180 .
