Гетерогенный пленочный р—л-переход
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистически
Республик
Зависимое от авт, свидетельства №
Заявлено 12.IП.1964 (№ 889598/26-25) с присоединением заявки №
Кл. 2lg 11yg
Приоритет
Опубликовано 12.XII.1964. Бюллетень № 24
Дата опубликования описания 18.XII.1964
МПК Н 011
УДК
Государственный комитет flo делам изобретений и открытий СССР
0 l. «t ai 1
Авторы изобретения
А. П. Румянцев, Э. Н. Эрлих и Э. В. Ани
Заявитель Предприятие Государственного комитета по электронной техники СССР
ГЕТЕРОГЕННЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ р — п-ПЕРЕХОД
К= 10 — 10
Предмет изобретения
Подписная группа № 82
Известные пленочные р — n-переходы в полупроводниковых приборах изготовляются на гомогенных монокристаллических веществах путем последовательного термического испарения в вакууме.
Предложенный гетерогенный пленочный р — п-переход выполнен на основе сочетания пленок селенида кадмия — электронного полупроводника и теллура — дырочного полупроводника.
Предлагаемый пленочный гетерогенный р — п-переход непосредственно или в сочетании с другими элементами пленочной электроники может образовывать пленочную схему.
Получают гетерогенный пленочный р — n-переход в высоковакуумной установке (вакуум
10 тор) путем последовательного нанесения на изоляционную подложку через специальные маски без нарушения вакуума слоев нижнего металла, электронного полупроводника — селепида кадмия, дырочпого полупроводника — теллура и, наконец, верхнего металла.
Коэффициент выпрямления предлагаемого перехода
Сопротивление в прямом направлении до
10 ом на 1 см2 перехода и меньше, обратное напряжение до 15 в.
Гетерогенный пленочный р — п-переход, получаемый в вакууме путем последовательного термического испарения полупроводниковых материалов на диэлектрическую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения его коэффициента выпрямления, р — и-переход выполнен на основе сочетания пленок селенида кадмия и теллура.
