Устройство для определения максимальной плотности электронов в плазмеgce<«<te3h.\fli3atoi'ii:0-тяхни^п- скля ьик:'-*10т(:иа11

 

Сшив СОве хк1:ех

СОщиьлистимескхх

Р6спубйнк

K АВТОРГОЬ4У СВИ, ЕТЕЛЬСТВУ !

Завис>!мое от авт. свидетельства №

Заявлено 29.Ч111.1963 (№ 849383/26-25) t г с !1рис0L,!1п!е1!и M заявки J¹

21 ä. 21 !!д

МПК 6 21

Пр !!Ор 1тст

Государствен нь1Й

ХОмитэт и О д хиы, изобр отмщай откр!.!Тий

; ДК 621.039(088.8) !

Оп бликовапо 26.!i1.!965. Б!оллетень № 5

Даты опубликования описания 5.Г!.1965

Автор изобретен и —.:

В. В. Рождественский

Физико-гехнический институт имени А. Ф. Иоффе AH СССР гЪ

Заявптел1:

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМАЛЬН

ПЛОТНОСТИ ЗЛЕКТРОНОВ В ПЛАЗМЕ

Подписная группа № 97

Изве тны устройства, предназначенные для определения плотности электронов в плазме методом «отсечки; > электромагнитных волн. В этих устройствах просвечивание плазмы осуществляется одним или тремя микроволновыми генераторами со строго фиксированными длинами волн, а поэтому с помощью их невозможно многократно измерить плазменную частоту и получить зависимость максимальной плотности электронов в плазме от времени за длительность одного разряда.

Предло>кенное устройство отличается от известных тем, что B нем для полу!ения многократных значений максимальнои плотности электронов в плазме и характера зависимост!1 ее {плотности) от времени за длительность одного разряда применен микроволновый свипгенератор миллиметрового диапазона, частота которого с помощью модулятора перестраивается и пределах, достигающих октавы.

На черте>ке предстаглсна блок-схема предлагаемого устройства.

Основными узлами установки являются: микроволповыи сввп-генератор, СВЧ-тракт и регистрирующая схема: Чикрово:!новый св!!игенератор состоит из источника СВЧ-хlощlюсти 1, представляющего собой лампу обратной волны ЛОВ), частота ко»-орого перестраивается в широких пределах с помощью модулятора 2 и блока питания > . В качестве модулятора используется радиочастотный генератор с самовозбуждением, работающий „на частотах порядка сотен килогерц. Вследствие нелинейности дисперсионной характеристики

1ОВ изменение частоты со временем npoucxo;11 ò периодически, но не по синусоидальному з d кону. Кроме того, и икр овол нов а я мощность, генерируемая !1ОВ, зависит от частоты колебаний.

10 СВЧ-тракт состоит из волноводных линий передачи, развязывающего 4 и регулирующ -! о 5 аттешоаторов, приемно-передающих антенн б и 7 типа рупор-эллиптического отражателя, Прпменясмая антенная система, форми15 рук!щая вол! овой фронт, позволяет сделать наиболее резку!о «отсечку; > мпкроволновогг сигнала.

Регистрирующа I схема представляет собои широкополосной приемник прямого усиления

20 с формирующими каскадамн и состоит из детектор ои головки 8, видеоусилителя 9 и электронно-лучевого индикатора 10. Исследуемая плазма получается в разрядной трубке 11.

Работа устройства. Если проводить непре25 рывнсс сравнение плазменной частоты исследуемого разряда с известной частотой микроволнового свпп-генератора и определить мохlенты Времени, когда эти частоты становятся равными, то можно установить, как меняется

30 пла.-;менная ч,стОта, а следовательно, и мак1688О7

Предмет изобретения

Составитель Ю. Пашкин

Редактор М. И. Бородина Техред А. А. Камышникова Корректор А. А, Г>ерезуева

Заказ 553/1 Тираж 1025 Формат бум. 60+90 /8 Объем 0,13 изд. л, Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета но делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 симальная плотность .электронов в зависимости от времени. Для индикации можно использовать как отраиенный от плазмы, так и прошедший через плазму микроволновый сигнал.

Устройство для определения максимальной плотности электронов в плазме, содержащее

СВЧ-генератор, антенно-фидерное устройство, приемник регистрируемых сигналов, отличающееся тем, что, с целью получения многократ IbIx значений максимальной плотности

5 электронов в плазме и зависимости ее от времени за длительность одного разряда, применен микроволновый скип-генератор миллиметрового диапазона, частота которого псрестраивастся с помощью модулятора в про,.лах,, 10 достигающих октавы.