Устройство для рекристаллизации кремниевых пластин

Авторы патента:

C30B13/22 - облучением или электрическим разрядом

Изобретение относится к электронной промышленности и обеспечивает равномерный нагрев пластины при сокращении количества блоков ламп. Устройство содержит охлаждаемый корпус. Внутри него размещена кварцевая камера с обрабатываемой подложкой. Сверху и снизу камеры установлены блоки с галогенными лампами. Верхний и нижний блоки снабжены электроприводами, обеспечивающими их вращение в противоположных направления. Равномерность распределения температуры по пластине составляет ±5°С. Количество ламп сокращено в 2 раза. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)л С 30 В 13/22

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР. » !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4602398/23-26 (22)04.11.88 (46) 1 5.11.90, Бюл. N 42 (75) Ю.В.Кицюк и О.В.Матькова (53) 621.315.592 (088.8) (56) Установка А-6-100. Денси дзайре, 1985, М 3, с. 104-109. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к электронной промышленности и обеспечивает равноИзобретениеотносится кпроизводствуизделий электронной промышленности и может быть использовано для объемного отжига изделий.

Цель изобретения вЂ” обеспечение равномерного нагрева пластин при сокращении количества блоков ламп.

На фиг. 1 представлено устройство, общий вид; на фиг. 2 вЂ” разрез А-А на фиг. 1.

Устройство содержит кварцевую камеру 1, которая размещена в водоохлаждаемом корпусе

2, механизм 3 загрузки и выгрузки кремниевых пластин 4 в кварцевую камеру 1 и нагреватели в виде двух блоков 5, установленных относительно камеры 1 сверху и снизу. Каждый блок 5 содержит галогенные лампы 6, расположенные квадратом в один ярус, и установлен на водоохлаждаемую платформу 7, которая предохраняЕт лампы 6 от перегрева. Кроме того, блоки

5 имеют индивидуальные электроприводы 8.

Платформы 7 блоков 5 кинематически связаны с электроприводами 8, которые состоят из редукторов и электродвигателей. К платформе 7 жестко прикреплен токопроводящий диск 9, Между диском 9 и платформой 7 установлен изолятор (не показан).

„„Я „„1606540 А1 мерный нагрев пластины при сокращении количества блоков ламп. Устройство содержит охлаждаемый корпус, Внутри него размещена кварцевая камера с обрабатываемой подложкой. Сверху и снизу камеры установлены блоки с галогенными лампами. Верхний и нижний блоки снабжены электроприводами, обеспечивающими их вращение в противоположных направлениях. Равномерность распределения температуры по пластине составляет 5 С.

Количество ламп сокращено в 2 раза. 2 ил.

°Устройство работаетследующим образом, В механизм 3 загрузки и выгрузки закладывают пластину 4 и вводят в камеру 1.

Температуру отжига пластины 4 доводят до температуры, установленной технологией, например 1100 С. В момент ввода пластины 4 в кварцевую камеру 1 начинают вращать навстречу друг к другу блоки 5 со скоростью, например, 10об/мин, выравниваятемпературу нагрева, что и обеспечивает равномерный нагрев пластины 4. Для того, чтобы не перегревались блоки 5 и кварцевая камера 1 и для поддержания в камере 1 нужной температу. ры, проводят постоянно водоохлаждение. Регулирование температуры в устройстве происходит бесступенчато. Диапазон температур в камере, например, от 400 до 1200 С.

Скорость повышения температуры в камере составляет, например 200 С/с. Равномерность распределения температуры по пластине составляет "-5 С.

Для предотвращения процесса окисле-ния в камеру подают инертный газ.

Устройство позволяет с меньшим количеством галогенных ламп (меньше в 2 раза) 1606540

Инераньа газ и меньшим потреблением мощности обеспечить равномерное распределение температуры нагрева на пластине.

Устройство возможно использовать не только для отжига, но и для получения мо- 5 нокремния и его легирования. За 1 ч обрабатывают до 200 пластин.

Формула изобретения

Устройство для рекристаллизации 10 кремниевых пластин, содержащее охлаждаемый корпус, размещенные в нем кварцевую камеру для пластины и нагреватели в виде блоков ламп, установленных параллельно пластине сверху и снизу кварцевой камеры, о т л и ч а ю щ е е с я. тем, что, с целью обеспечения равномерного нагрева пластины при сокращении количества блоков ламп, устройство снабжено электроприводами, соединенными с блоками ламп и обеспечивающими их вращение в противоположных направлениях, 1606540

Составитель Н. Давыдова

Редактор Н. Киштулинец Техред М.Моргентал Корректор И. Муска

Заказ 3529 Тираж 342 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Устройство для рекристаллизации кремниевых пластин

Способ электронно-лучевой зонной плавки металла и устройство для его осуществления // 2287023

Изобретение относится к области металлургии черных и цветных металлов и может быть использовано при выращивании монокристаллов и вакуумном рафинировании различных материалов с помощью электронно-лучевой зонной плавки

Способ выращивания трубчатых кристаллов вольфрама и устройство для его реализации // 2358043

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла

Способ управления электронно-лучевой зонной плавкой и устройство для его осуществления // 2359074

Изобретение относится к способу управления электронно-лучевой зонной плавкой и устройству для определения рабочего значения тока накала и может быть использовано при выращивании монокристаллов переходных и тугоплавких металлов и их сплавов и их вакуумном рафинировании

Устройство электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов и сплавов для выращивания монокристаллов // 2370552

Изобретение относится к устройству электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов и сплавов для выращивания монокристаллов

Устройство электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов и сплавов для выращивания монокристаллов // 2370553

Изобретение относится к устройству электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов для выращивания монокристаллов

Способ выращивания плоских кристаллов и устройство для его реализации // 2374339

Изобретение относится к выращиванию плоских кристаллов из тугоплавкого металла электронно-лучевой зонной плавкой и устройству для его реализации

Способ выращивания бикристаллов переходных металлов // 2389831

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов

Способ восстановления поверхности монокристаллической детали или детали, полученной направленной кристаллизацией // 2409708

Изобретение относится к технологии восстановления поверхности монокристаллической или полученной направленной кристаллизацией металлической детали, имеющей толщину Ws менее 2 мм, в которой лазерный луч и поток металлического порошка, имеющего ту же природу, что и металлическая деталь, подают на деталь с помощью сопла для получения, по меньшей мере, одного слоя монокристаллического или подвергшегося направленной кристаллизации от детали металла, при этом лазерный луч имеет мощность «Р» и перемещается вдоль детали со скоростью «v», в котором луч лазера и поток порошка подают на деталь соосно и отношение P/v находится в определенном диапазоне

Способ получения монокристаллов сплава вольфрам-тантал // 2453624

Изобретение относится к металлургии тугоплавких металлов и сплавов и может быть использовано при выращивании однородных монокристаллов сплава вольфрам - тантал методом бестигельной зонной плавки с электронно-лучевым нагревом (ЭБЗП)

Устройство для выращивания монокристаллических пленок // 1647042