Стекло

 

Изобретение относится к составам стекол, используемым при изготовлении толстопленочных низкоомных керметных композиционных резисторов, применяемых в производстве микросборок для радиотехнической и электронной техники. С целью расширения диапазона удельного сопротивления в низкоомную область и снижения температурного коэффициента сопротивления резисторов стекло содержит мас.%: SIO<SB POS="POST">2</SB> 11,0-30,0

B<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB> 3,0-24,0

PBO 20,0-67,0

CUO 0,8-20,0

MNO 0,2-24,0. Свойства стекла: плотность 4,64-4,85 г/см<SP POS="POST">3</SP>, химстойкость - 1 гидрол. класс, температура начала размягчения 470-525°С, ТКЛР, α (69-77)<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-7</SP> град<SP POS="POST">-1</SP>

характеристики резисторов на основе данных стекол: удельное поверхностное сопротивление 4,1-34 Ом/о, ТКС от 25 до 125 (14-56)<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">-6</SP> град<SP POS="POST">-1</SP>, стабильность резисторов после воздействия электрической нагрузки 0,08-0,16%. 2 табл.

СОЮЗ СОНЕТСМИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51) С 03 С 3/072

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н A BT0PCHOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ч ". 3!>

ГОсудАРст8енный кОмитет

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4638099/23-33 (22) 10. 11. 88 (46) 23.11.90. Вюл. № 43 (72) В.А. Кулигин (53) 666.1.054 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹- 804584, кл. С 03 С 3/072, 1979.

Авторское свидетельство СССР № 996356, кл. С 03 С 3/072, 1981. (54) СТЕКЛО (57) Изобретение относится к составам стекол, используемым при изготовлении толстопленочных нгзкоомных керметных композиционных резисторов, применяемых в производстве микросборок для радио технической и электронной техники.

С целью расширения диапазона удельИзобретение относится к составам стекол, используемьм при изготовлении толстопленочных низкоомных керметных композиционных резисторов,применяемых в производстве микросборок для радиотехнической и электронной техники.

Цель изобретения — расширение диапазона удельного сопротивления . в низкоомную область и снижение температурного коэффициента сопротивления резисторов.

Стекло готовят следующим образом, Взвешенные в определенных количествах компоненты смешивают в фарфоровой мельнице в течение 30-40 мин в присутствии этилового спирта. После удаления спирта путем просушивания при 100 С полученную шихту засыпают в корундизовые тигли и загружают в

„.,$0» 1ЫЩ2 А1

2 ного сопротивления в низкоомную область и снижения температурного ко.эффициента сопротивления резисторов стекло содержит, мас.Х: Si0 11,030,0; В Оэ 3,0-24,0; РЬО 20,0 —.. 67,0;

СиО 0,8-20,0; Nn0 0,2-24,0. Свойства стекла: плотность 4,64-4,85 г/смэ, химстойкость — I гидрол. класс, температура начала размягчения 470-525 С, ТКЛР, с, (69-77 ) ° 10 град, характеристики резисторов на основе данных стекол: удельное поверхностное сопротивление 4,1-34 йм/П, TKC от +25 до + 125 (14-56) 10 град, стабильность резисторов после воздействия электрической нагрузки 0,08-0,167..

2 табл. электрическую печь с силитовыми нагревателями, Варку стекла осуществляют при 1300-1350 С с выдержкой при максимальной температуре 1 ч.

Составы стекол и их свойства приведены в табл. 1.;

Характеристики резисторов на основе синтезированных стекол представлены в табл. 2, Как видно из приведенных характеристик, предлагаемое стекло имеет более низкую температуру начала размягчения стекла, обладает высокой химстойкостью. Применение предлагаемого стекла в резистивных пастах позволяет расширить диапазон удельных сопротивлений резисторов в низкоом.ную область, снизить ТКС резисторов, а также улучшить стабильность резис 1608142 торов после воздействия электриче:ской нагрузки. снижения температурного коэффициента сопротивления резисторов, оно в качестве оксида марганца содержит НпО при следующем соотношении компонентов, мас,Х:

РЬО

Si02

В О

Си0

NnO

Формула изобретения

Стекло, включающее РЬО, Sio

В О, СиО и оксид марганца, о т— личающее с я тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления в низкоомную область и

20-67

11-30

3-24

0 8-20

0,2-24 ъ

Таблица 1

Содержание компонентов, мас, X и показатели свойств для состава

Компоненты и свойства

1 2 3 4

525

72 470

475

570

7 3

Таблица 2

ТКС, 10 град (от +25 до

+125) Стабильность

Удельное поверхностное

Сосрезисторов после воздейтав ствия электрической нагрузки, ь со противление, 4,1-4,8

23-33

28-34

16-20

+(38-54) .t.(14-.26)

+ (24-36)

+ (41-56) 0 16

0,09

0 1

0,08

Составитель Г, Бур авцев а

Техред Л.Сердюкова Корр ек т ар T. Ã! Rëÿ é

Редактор Н. Яцола

Заказ 3591 Тираж 392 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„, д. 4 /5

Производственно †издатепьск комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, l01

SiO<

3,0, PbO

СпО

Мп0

Плотность, r/ñì

Химстойкость,гидролитический класс

Температура начала размягчения, С

КЛТР, с(10

15

14

4,78

67

0,8

0,2

4,85

24

24

4,64

12

63,5

1,5

4,67