Установка для термовакуумных испытаний материалов

 

Изобретение относится к испытательной технике для исследования микроструктуры и прочностных свойств материалов в условиях вакуума и высокотемпературных режимов. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей путем обеспечения исследований кинетики микроструктурных превращений и механических свойств материалов при концентрированных высокоскоростных температурных воздействиях. Установка содержит высокоэнергетический импульсный источник 1, керамическую теплозащитную оболочку 8, захваты 10, микроскоп 13, вакуумную камеру 17. При испытаниях образец подвергают высокотемпературным импульсным воздействиям от источника 1. Регистрацию кинетики микропревращений в материале образца осуществляют микроскопом 13. Керамическая теплозащитная оболочка 8 обеспечивает постоянное фокусное расстояние от объектива микроскопа до образца и предотвращает прогиб образца во время его нагрева, что позволяет осуществить четкую регистрацию кинетики микроструктурных превращений в образце при высокотемпературных импульсных воздействиях. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

1 А1 (19) (si)s G 01 N 3/16

ГОСУД РСТВЕ ННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЭ БРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ Г НТ СССР К АВ ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4 (22) 0 (46) 2 (71) И нраво мобил (72) Н нов, кин, А (53) 6 (56) А

N -344 (54) У

ИСПЬ (57) И ной т туры вакуу

Цель функц печен

17650/25-28 .12.88 .11.90; Бюл, М 43 ститут машиноведения им, А.А.Благов и Завод-втуз при Московском автоьном заводе им. И.А.Лихачева

А.Махутов, Ю.В.Курочкин,.А.И.Тана.В.Баранов, А.Г.Чуенков, Б.Н.ЖурЕ.Горский и А.А.Чуенков

0.178 (088.8) торское свидетельство СССР

25, кл. G 01 N 3/18, 1969.

ТАНОВКА ДЛЯ ТЕРМОВАКУУМНЫХ

ТАНИЙ МАТЕРИАЛОВ обретение относится к испытательхнике для исследования микрострукпрочностных свойств материалов а и высокотемпературных режимов. изобретения является расширение ональных возможностей путем обеся исследований кинетики микроструктурных превращений и механических свойств материалов при концентрированных высокоскоростных температурных. воздействиях. Установка содержит высокоэнергетический импульсный источник 1, керамическую теплозащитную оболочку 8, захваты 10, микроскоп 13, вакуумную камеру 17. При испытаниях образец подвергают высокотемпературным импульсным воздействиям от источника 1.

Регистрацию кинетики микропревращений в материале образца осуществляют микроскопом 13. Керамическая теплозащитная оболочка 8 обеспечивает постоянное фокусное расстояние от объектива микроскопа до образца и предотвращает прогиб во время его нагрева, что позволяет осуществить четкую регистрацию кинетики микроструктурных превращений в образце при высокотемпературных импульсных воздействиях. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. г

1608471 зом

Составитель H. Мезенцев

Техред М.Моргентал Корректор С. Шекмар

Редактор Е. Папп

Заказ 3608 Тираж 505 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к испытательной технике для исследования микроструктуры и прочностных свойств материалов в условиях вакуума и высокотемпературных режимов. 5

Цель изобретения — расширение функциональных воэможностей путем обеспечения исследований кинетики микроструктурных превращений и механических свойств материалов при концентри- 10 рован ных высокоскоростных температурных воздействиях.

На чертеже приведена принципиальная схема установки.

Установка содержит низковольтный вы- 15 сокоэнергетический источник 1 постояннопеременного тока, запоминающий осциллограф 2, шины 3, шунт 4, клеммы 5, испытываемый образец 6, штыри 7, керамическую теплозащитную оболочку 8, токово- 20 ды 10, медные пластины 11, термопару 12, микроскоп 13, телекамеру 14, телевизионный приемник 15, видеомагнитофон 16, ва- куумную камеру 17, регистратор 18 температур, пульт 19 управления импульса- 25 ми, Установка работает следующим обраПри включении напряжения сигнал с пульта 19 управления поступает к источнику 30

1, Во вторичной обмотке трансформатора, включенного в источник 1, индуцируется ток большой плотности и заданными короткими импульсами поступает на шины 3, от которых через клеммы 5 и тоководы 9 поступает 35 на медные пластины 11, плотно прижатые к образцу 6. Воздействие концентрированных потоков энергии в виде плотных позиций электронов на образец 6 осуществляется за счет пропускания им- 40 пульсов тока большой плотности по его сечению. Скорость нагрева образца в зависимости от его сече я и режима источника 1 лежит в пределах 1-100000 град/с, При нагреве образца пг,.водят исследова- 45 ния микроструктурных превращений и механических свойств материалов, фиксируя кинетику процессов микроскопом 13 с передачей информации на телекамеру 14, телевизионный приемник 15 и видеомагнитофон

16. В процессе исследований керамическая теплозащитная оболочка 8 предотвращает прогиб образца во время нагрева, при этом достигается постоянное фокусное расстояние между обьективом микроскопа и образцом, а также возможность деформации образца, расположенного в керамической оболочке, при электронно-импульсном воздействии, при этом обеспечивается четкая регистрация процессов структурных превращений в образце в любой момент прохождения импульсов через образец при высоких до 100000 град/с темпах нагрева и уровнях температур, близких к температуре плавления материала образца. Химически нейтральное покрытие оболочки в месте ее контакта с образцом устраняет пригар образца к держателю при температурах, близких к температуре плавления образца, что также обеспечивает четкую регистрацию микроструктурных превращений в материале образца.

Формула изобретения

1. Установка для термовакуумных испытаний материалов, содержащая вакуумную камеру с размещенными в ней нагревателем и захватами для образца, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью расширения функциональных воэможностей путем обеспечения исследований кинетики микроструктурных превращений и механических свойств материалов при концентрированных высокоскоростных температурных воздействиях, она снабжена прикрепленной к торцам захватов теплозащитной оболочкой, полость которой предназначена для размещения образца с возможностью контакта, а на внутреннюю поверхность оболочки нанесено химически нейтральное покрытие.

2. Установка по и. 1, отличающаяся тем, что теплозащитная оболочка выполнена из керамического материала.

3. Установка по и, 1, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что нагреватель выполнен в виде низковольтного высокоэнергетического импульсного источника постоянно-переменного тока,