Преобразователь переменного напряжения в постоянное

 

Изобретение относится к электротехнике, в частности к низковольтным преобразовательнымм устройствам, и предназначено для питания интегральных схем. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем обеспечения питания двух нагрузок. Преобразователь переменного напряжения в постоянное обеспечивает получение двух стабильных выходных напряжений, величины которых отличаются друг от друга в два раза и определяются значением φ<SB POS="POST">0</SB> используемых в устройстве транзисторов 1 и 2. Лучшие результаты получаются, когда форма входного напряжения имеет вид меандра. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„1612362 (51)5 Н 02 М 7/217

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTGPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3:»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPbilTHRM

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4638572/24-07 (22) 16.01.89 (46) 07.12.90. Бюл. № 45 (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (72) Д. В. Игумнов, В. А. Масловский и И. С. Громов (53) 621.314.632 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1221705, кл. H 02 М 7/155, 1986.

Радиотехника и электроника. Т. 33, 1988, № 6, с. 1339, рис. 2.

? (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ПОСТОЯННОЕ (57) Изобретение относится к электротехнике, в частности к низковольтным преобразовательным устройствам, и предназначено для п :тания интегральных схем. Цель изобретения — расширение функциональных возможностей путем обеспечения питания двух нагрузок. Преобразователь переменного напряжения в постоянное обеспечивает получение двух стабильных выходных напряжений, величины которых отличаются друг от друга в два раза и определяются значением барр, используемых в устройстве транзисторов 1 и 2. Лучшие результаты получаются, когда форма входного напряжения имеет вид меандра. 1 ил.

2362

161 з

Изобретение относится к электротехнике, в частности к низковольтным преобразовательным устройствам, и предназначено для питания интегральных схем.

Цель изобретения — расширение функционал...iblx возможностей путем обеспечения питания двух нагрузок.

На чертеже приведена принципиальная схема преобразователя.

Преобразователь содержит два транзистора 1 и 2 с р — n — р-структурой и транзистор 3 с и — р — п-структурой. Эмиттер транзистора 1 подключен к входному выводу 4 и первому выводу резистора 5. Второй вывод резистора 5 подключен к базе транзистора 3, эмиттер которого подключен к входному выводу 6. Одни обкладки конденсаторов 7 и 8 подключены к одним выводам сопротивлений нагрузок 9 и 10 и образуют выходной вывод 11. Коллектор транзистора 3 подключен к базе транзистора 2, эмиттер которого подключен к базе транзистора 1.

Коллектор транзистора 1 подключе:, к другой обкладке конденсатора 7, выходному выводу 12 и другому выводу резистора 5. Другая обкладка конденсатора 8 и другой вывод резистора 5 подключены и коллектору транзистора 2 и выходному выводу 13. Входной вывод 6 и выходной вывод 11 объединены. ке 10 определяется инжекционным напряжением на коллекторном переходе транзистора 2, примерно равным равновесной высоте потенциального барьера р — и-перехода гро.

Падение напряжения на промежутках коллектор — эмиттер транзисторов 1 и 2 мало, чем и определяется повышенное значение КПД при малых U-. Конденсаторы 7 и 8 выполняют функции сглаживающих

10 ф .1ьтров. Резистор 5 обеспечивает необходимый режим работы транзистора 3, его номинал выбирается в зависимости от рабочих величии U.

Преобразователь может быть дополнен

15 еще одним или несколькими (инжекционными) р — и — р-транзисторами, включенными аналогично транзисторам 1 и 2. В результате можно получить и другие величины выходных стабильных напряжений (кратных ро).

Формула изобретения

Преобразователь работает следующим образом.

При отрицательной полуволне входного напряжения Ы (на выводе 4) транзистор 3 заперт. В результате оказывается оборванной цепь баз транзисторов 1 и 2, и Usx не проходит на нагрузки. Напряжение 11- проходит на нагрузки 9 и 10 при положительной полуволне напряжения на выводе 4. В этом случае транзистор 3 открыт и не оказывает существенного влиянии на протекание токов через прямосмещенные эмиттерные переходы транзисторов 1 и 2, работающих в инжекционном режиме. Напряжение на нагрузке 9 определяется суммой инжекционного напряжения на коллекторном переходе транзистора 1 и напряжения на эмнттерном переходе транзистора 2, которая для кремниевых транзисторов примерно равна

2 гро — 175 — 2 В. Напряжение U- .з на нагрузПреобразователь переменного напряжения в постоянное, содержащий три транзистор;., первый из которых имеет р — и — р-структуру, а второй — - и — р — и-структуру и конденсатор, первая обкладка которого подключена к коллектору первого транзистора и образует первый выходной вывод, а вторая обкладка конденсатора образует второй выЗо ходной вывод, причем, один входной вывод соединен с эмиттером первого транзистора, а другой входной вывод — с эмиттером второго транзистора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем обеспечения питания двух нагрузок, 35 третий транзистор имеет р — и — р-структуру и коллектором подключен к третьему выходному выводу и одной обкладке дополнительного конденса;ора, другая обкладка . оторого соединена с эмиттером второго транзистора, причс:я, база второго транзи40 тора соединена через дополнительнь!й рез стор к первому входному выводу, база т; rl.ro транзистора подключена к коллектору второго транзистора, г база первого транзистора подсоединена к эмиттеру трет,.его транзистора.

Составитель В. Горохов

Редактор Г. Гербер Техред А. Кравчук Корректор В. Гирняк

Заказ 3834 Тираж 499 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101