Ждущий мультивибратор климова
Изобретение относится к импульсной технике. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей Ждущего мультивибратора путем обеспечения одновременного формирования наряду с N импульсами одной полярности М импульсов другой полярности - достигается введением М нормально открытых биполярных транзисторов 11-1...11-К с обратной по отношению к нормально закрытому транзистору проводимостью , М коллекторных резисторов 12-1...12-М, М базовых резисторов 13-1...13-М, М диодов 14...14-М, М полевых транзисторов 15.1...15-М с индуцированными каналами и М времязадакг щих конденсаторов 16-1...16-М. Ждуший мультивибратор содержит также нормаль
СО1ОЗ СОНЕТСНИХ
СОЦИМИСтИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (51) 5 Н 03 К 3/284
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (61) 389.617 (21.) 4484917/21 .(22) 20. 09. 88 . (46) 30.01.91. Бюл. Е - 4 . (72) В.H. Климов (53) 621.373.5(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
О - 389617, кл. Н 03 К 3/284, 1971. (54) ЖДУ!!1ИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР IGEKOBA (57) Изобретение относится к импульсной технике. Цель изобретения — расширение функциональных возможностей
Ждущего мультивибратора путем обес1
„ЯО„„1624663 A 2
2 печения одновременного формирования наряду с N импульсами одной полярности М импульсов другой полярности— достигается введением М нормально открытых биполярных транзисторов
11-1...11-Y. с обратной по отношению к нормально закрытому транзистору проводимостью, II коллекторных резисторов 12-1...12-М, Г! базовых резисторов 13-1...13-М, М диодов 14...14-N, И полевых транзисторов 15.1...15-М с индуцированными каналами и Г! времязадающих конденсаторов 16-1. ° .16-М. Ждуший мультивибратор содержит также нормаль1624663 но закрытый биполярный транзистор 1, резисторы 2,4,N биполярных транзисторов 6-1...6-N, И времязадающих конденИзобретение Отросится к импульсной 10 технике и может быть использовайо в формирователях импульсов, устройствах электронной задержки.и преобразователях постоянного тока в переменный в качестве элементов задающего генератора.
Цель изобретения — расширение функциональных возможностей.ждущехо мультивибратора путем обеспечения
ОднОвременного фОрмирования наряду с
Ы импульсами одной полярности М импульсов другой полярности.
На чертеже приведена принципиальная схема ждущего мультивибратора.
Ждущий мультивибратор содержит нормально закрытый биполярный тран" зистор 1, резистор 2, шину 3 первого .источника. питания, резистор 4, шину
5 второго источника питания, поляр-ность которого протиповоложна поляр30 ности первого источника питания, N биполярных транзисторов 6" 1... 6-N c одинаковой с транзистором 1 проводимостью, N времяэадающих конденсаторов 7"1...7"Б, N резисторов 8-1...8"N, И резисторов 9-1...9-N, N резисторов
1Î-1...1Î-Б, М нормально открытых биполярных транзисторов 11-1...11-М, И коллекторных резисторов 12-1...12-М, И базовых резисторов 13-1...13-М, И диодов 14-1...14-М, И полевых тран40 зисторов с индуцированными каналами .15-1.. ° 15-М, M времяэадающих конденсаторов 16-1...16-M причем транзисТор. 1 эмиттером соединен с обшей шиной 17 коллектором через резистор
2 с шиной 3, базой через резистор 4 с шиной 5, каждый иэ N транзисторов
6-1.. ° 6-М -соединен базой через соот.ветствующий из И конденсаторов 7-1;.. ...-7 N с коллектором транзистора l и через соответствующий иэ N резисторов 8-1...8-N - с шиной 3,.коллектором через соответствующий иэ И резисторов 9-:1...9-N - с.шиной 3 и через соответствующий .иэ Й резисторов 10-1..
55 .. ° 10-0 - с базой транзистора 1, каждый из М конденсаторов 16-1...16-М . первой обкладкой соединен с общей шисаторов 7" 1...7-Ы, резисторов 8" 1... ... 8-11, резисторов 9-1...9-N, 10-1. ° . ...10-.N. ) ил. ной 17, а второй обкладкой — с истоком соответствующего из М транзисторов 15-1.. ° 15-М и через соответствующий из М диодов 14-1...14-М с затвором соответствующего из М транзисторов 15-1...15-11 и с коллектором транзистора 1, при этом сток соответствующего из М транзисторов,15-1...15-М соединен с базой соответствующего из
M транзисторов 11=1 11-M и через соответствующий из М резисторов 13-1.. ...13-М вЂ” с шиной 5, коллектор каждого из М транзисторов 11-1...11-M соединен через соответствующий из М резисторов 12"1...12-М с шино" 5 а эмиттеры М транзисторов l .1-1.. ° 11-.М объединены и соединены с обшей шиной 17.
Ждущий мультивибратор работает следующим образом.
В длительно устойчивом состоянии транзистор 1 заперт и каждый (7-п). из N конденсаторов 7-1...7-N .заряжен по цепи заряда: шина 3 — резистор 2— первая обкладка конденсатора (7-и) вторая обкладка конденсатора (7-n) база открытого транзистора (6-и) эмиттер транзистора (6-п) — шина 17., а каждый (16-тп) из М конденсаторов
16-1...16-М заряжен по цепи заряда: шина 3 — резистор 2 — открытый диод (14-m) - вторая обкладка конденсатора (16-m) - первая обкладка конденсатора (16-m) — шина 17. При этом полевой транзистор (15-.m) с индуцированным каналом заперт, так как напряжение на его .затворе равно напряжению на его истоке, поскольку диод (14-ш) открыт. После подачи запускающего импульса иа транзистор t он отпирается и насыщается, а транзисторы 6-1...6-N запираются напряжением соответствующих конденсаторов 7-1... ...7-М, подключенных первой обкладкой через насыщенный транзистор 1 к об" щей шине. Одновременно с Отпиранием транзистора 1 происходит запирание каждого (14-m) из M диодов, анод которого через насыщенный транзистор 1 соединяется с общей шиной 17, а поло162 663
Формула изобретения
Составитель Н. Ферапонтова
Редактор Т. Лазоренко . Техред Л.Олийнык Корректор М, Шароши
Заказ 201 Тираж Подпи сно е
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-:издательский комбинат "Патент", r.Óærîðîä, ул. Гагарина, 101 жительноЕ напряжение на катоде равно напряжению шины 3. В результате этого полевой транзистор (15-m) отпирается отрицательным напряжением, приложенным к аноду диода (14-m) подключен5 ному к затвору. полевого транзистора (15-ш) и транзистор (11-m) запирается приложенным к его базе напряжением второй обкладки конденсатора (16-.m), В момент запирания транзисторов 6-1.. ...6-N начинается формирование на их коллекторах, являющихся соответственно N выходами ждущего мультивибратора, импульсов положительной относительно общей шины 17 полярности и в тот же момент времени запираются транзисторы 11-1...11-M и начинается формир6вание на их коллекторах, являющихся соответственно дополнительными. 20
И выходами ждущего мультивибратора, импульсов о:грицательной (относительно общей шины 17) полярности. По окончании разряда соответствующих конденсаторов 7-1...7"N, 16-1...16-М происходит открывание соответствующих транзисторов 6-1...6-Г1, 11-1...11-M и окончание. формирования импульсов на их коллекторах. В момент окончания разряда последнего из конденсаторов
7-1...7-N происходит открывание последнего из транзисторов 6-1...6-N, что приводит к запиранию транзистора 1 и открыванию всех еще запертых транзисторов ll 1...11-М, так как диоды 14-1...14-М отпираются зарядными токами соответствующих кондецсаторов ?6-1...16-И, в результате чего. все транзисторы 15-1...15-Г запираются и ждуший мультивибратор возвращает40 ся в длительно устойчивое состояние.. . После заряда всех конденсаторов 7-1... ...7-N и 16-1... 16-М ждущий мультивибратор готов к следующему запуску.
Таким образом, ждущий мультивибратор обладает широкими функциональ.ными возможностями за.счет обеспече;.ния одновременного формирования наря, ду с N Импульсами ОднОЙ полярности
И импульсов другой полярности путем запирания M биполярных транзисторов обратной проводимости в момент отпирания нормально закрытого биполярного транзистора и удержания их в этом состоянии до моментов разряда соответствующих времязадающих конденсаторов, что обеспечивается соответствующей полярностью заряда М времязадающих конденсаторов и электронной коммутацией цепей заряда и разряда этих конденсаторов в соответствии с сос тоянием нормально закрытого биполярного транзистора.
)Кдуший мультнвибратор по авт. св..
389617, о т л и ч а.ю щ и и с .я тем, что, с целью расширения функциональных возможноcTей путем обеспечения одновременного формирования наряду с Г1 импульсами одной полярности
Г1 импульсов другой полярности, в .не- го введены М нормально открытых биполярных транзисторов с обратной по отношению к нормально закрытому транзистору прбводимостью, М коллекторных резисторов, М базовых резисторов, Г1 диодов, М полевых транзисторов с индуцированными каналами и И времязадающих конденсаторов, каждый из которых одной обкладкой соединен с общей шиной, а другой — с истоком соответствующего полевого транзистора и через соответствующий диод — с затвором:соответетвующего полевого транзистора и с коллектором нормально закрытого биполярного транзистора, сток каждого полевого транзистора соединен с ба ой соответствующего нормально открытого биполярного транзистора и через соответствующий базовый. резистор — с шиной второго источника питания, коллектор каждого нормально открытого биполярного транзистора через соответствующий . коллекторный резистор соединен с шиной второго источника питания, а эмиттер — с общей шиной.
